AOS代理商|泰德兰|放大场效应MOS管电路的特点
2018-05-16 10:47:07
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(AOS代理商|泰德兰|摘要:放大场效应MOS管电路的特点)


AOD607AOD607  场效应管放大电路


AOD423AOD423  对应三极管的共射、共集及共基放大电路,


AOD417AOD417  场效应管放大电路也有共源、共漏和共栅三


AOD403AOD403  种基本组态。下面以JFET组成的共源极放大


AOD424AOD424  电路为例,介绍场效应管放大电路的工作原


AOD413AOD413  理。

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AOD558AOD558  自偏压电路

AOD538AOD538  自偏压电路如图3-10所示。在图中,场效应


AOD536AOD536  管栅极通过栅极电阻RG接地,源极通过源极


AOD528AOD528  电阻RS接地。这种偏置方式利用JFET(或耗


AOD522AOD522  尽型MOS管)在栅源电压uGS=0时,漏极电流


AOD508AOD508  iD≠0的特点,以漏极电流在源极电阻RS上


AOD480AOD480  的直流压降,给栅源之间提供反向偏置电压


AOD418AOD418  。也就是说,在静态时,源极电位

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AOY526AOY526  uS=iDRS,由于栅极电流为0,RG上没有压降


AOD418AOD418  ,栅极电位uG=0,所以栅源之间的偏置电压


AOD538AOD538  为


AOI423AOI423  uGS=uG-uS=-iDRS


AOI403AOI403  要说明的是,自偏压方式不能用于由增强型


AOI538AOI538  MOS管组成的放大电路。因为增强型MOS管


AOI530AOI530  只有当uGS达到UT时才有iD产生。

AOI514AOI514  场效应管放大电路特点


AO4952AO4952  对于图3-10电路的静态工作点,可以利用式


AO4948AO4948  (3-1)和式(3-3)求联立方程,即


AO4924AO4924  ID=IDSS(1-UGS/UP)2(3-4


AO4914AO4914  )UGS=-IDRS(3-5)


AO4630AO4630  求得ID和UGS之后,则有


AO4629AO4629  UDS=VDD-ID(RD+RS)(3-6)


AO4627AO4627  例3-1电路如图3-10所示,已知


AO4620AO4620  IDSS=0.5mA,UP=-1V,试确定电路的静态工


AO4620AO4620  作点。

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AO4616AO4616  解:根据上面分析得到的公式有


AO4606AO4606  ID=0.5(1+UGS)2


AO4815AO4815  UGS=-2ID


AO4813AO4813  将UGS表达式代入ID表达式中,得


AO4807AO4807  ID=0.5(1-2ID)2


AO4805AO4805  解方程得


AO4803AO4803  ID=(0.75±0.56)mA


AO4801AO4801  而IDSS=0.5mA,ID不应大于IDSS,所以


AO9926AO9926  IDQ=0.19mA


AO4806AO4806  UGSQ=0.38V


AO4862AO4862  UDSQ=11.9


AO4854AO4854  分压式自偏压电路

AO4842AO4842  虽然自偏压电路比较简单,但是当静态工作


AO4838AO4838  点确定后,uGS和iD就确定了,因而RS选择


AO4832AO4832  的范围很小。分压式自偏压电路是在图3-


AO4822AO4822  10电路的基础上加接分压电阻后组成的,如


AO4818AO4818  图3-11所示。漏极电源VDD经分压电阻RG1和


AO4812AO4812  RG2分压后,通过RG3供给栅极电压,


AO4800AO4800  uG=RG2VDD/(RG1+RG2);同时漏极电流在源


AO4840AO4840  极电阻RS上也产生压降,uS=iDRS。因此,


AO4425AO4425  静态时加在JFET上的栅源电压为


AO4459AO4459  uGS=uG-u


AO4455AO4455  =VDDRG2/(RG1+RG2)-iDRS(3-7)


AO4449AO4449  同样可根据式(3-1)和(3-7)求联立方程

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AO4447AO4447  ,即


AO4435AO4435  ID=IDSS(1-UGS/UP)2


AO4423AO4423  UGS=VDDRG2/(RG1+RG2)-IDRS


AO4419AO4419  从而求出ID和UGS,并求出


AO4413AO4413  UDS=VDD-ID(RD+RS)


AO4411AO4411  得出电路的静态工作点。


AO4409AO4409  场效应管放大电路的动态分析

AO4407AO4407  图3-10自偏压电路可以用图3-12的交流等效


AO4405AO4405  电路来表示,图中RL为放大电路外加的负载


AO4403AO4403  电阻。从图中不难求出电压放大倍数Au、


AO4335AO4335  Ri和Ro三个性能参数。

AO4453AO4453  场效应管放大电路特点

AO4402AO4402  电压放大倍数Au


AO4752AO4752  由图3-12可得出


Au=uo/ui=(-idR′L)/ugs=- (gmugsR′L)/ugs


AO4498AO4498  即


AO4496AO4496  Au=-gmR′L(3-8)


AO4494AO4494  其中,R′L=RD∥RL。


AO4492AO4492  式(3-8)表明,JFET共源放大电路的电压


AO4490AO4490  放大倍数Au与跨导gm成正比,且输出电压与


AO4476AO4476  输入电压反相。


AO4468AO4468  输入电阻Ri和输出电阻Ro


AO4466AO4466  由图3-12可得


AO4446AO4446  Ri≈RG(3-9)


AO4430AO4430  Ro≈RD(3-10)


AO4406AO4406  可见,共源放大电路的输入电阻Ri主要由偏


AO4404AO4404  置电阻RG决定,而输出电阻Ro则由漏极电阻


AO4354AO4354  RD决定。


AO4306AO4306  场效应管放大电路的优缺点


AO4310AO4310  优点


AO3415AO3415  输入电阻大。用普通三极管做成放大电路,


AO3413AO3413  共射电路的输入电阻约几KΩ,(我们一般


AO3420AO3420  称之为10^3级),共集电极电路的输入电阻


AO3416AO3416  也只能做到几十K欧到一百多K欧(10^5级)


AO3414AO3414  ,而使用结型场效应管(JFET)就可做到输


AO3434AO3434  入电阻10^6级,使用MOS管能做到10^8级以


AO3424AO3424  上。

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AO3418AO3418  温度稳定性好,由于场效应管里没有漂移电


AO3406AO3406  流,基本不受温度变化的影响。


AO3404AO3404  缺点:


AO3402AO3402  放大倍数小,一级放大只能做到几倍(可能


AO3400AO3400  不到10倍),(2)输入端由于静电感应容


AO7801AO7801  易产生击穿。

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