AOS代理商|泰德兰|无线充电MOS管三大巨头集成方案,谁强谁弱?又是哪家影响市场转型发展?
2018-06-14 10:08:06
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(AOS代理商|泰德兰|新闻摘要:无线充电MOS管三大巨头集成方案,谁强谁弱?又是哪家影响市场转型发展?)


AOTF12NAOTF12NAOTF12N  随着越来越多的智能手机承载无线充电功能,无线充电市场持续升温


AOTF10NAOTF10NAOTF10N  。无线充电SOC程序也推出了新的FSM、Drmos和MOS集成方案。哪个计


AOT9N50AOT9N50AOT9N50  划更好?


AOT8N50AOT8N50AOT8N50  在新的突发浪潮中,高集成度的系统级芯片程序“SOC”有望成为无线


AOT5N50AOT5N50AOT5N50  充电TX最具发展潜力的发展框架,引领无线充电的未来发展方向。以


AOT3N50AOT3N50AOT3N50  5W计划为例,提出了三个促进无线充电TX市场转型发展的方案。


AOT22N5AOT22N5AOT22N5  FSM集成方案(如下所示)

AOT16N5AOT16N5AOT16N5  该方案作为市场上早期的单芯片集成方案,将所有外围设备集成在一


AOT14N5AOT14N5AOT14N5  个芯片中,集成了无线充电驱动、运算放大器、主控内核、MOS、


AOT13N5AOT13N5AOT13N5  MOS驱动等功能。

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AOT12N5AOT12N5AOT12N5  DRMOS集成方案(如下所示)

AOK22N5AOK22N5AOK22N5  该方案主要由控制芯片和智能全桥芯片SmartBridge组成。智能全桥芯


AOD6N50AOD6N50AOD6N50  片与整个桥MOS和驱动器集成,以实现MOS和驱动器的匹配,如上文所


AOD5N50AOD5N50AOD5N50  示。该方案集成度高,总体面积减小,大部分外围电路集成到集成电


AOD3N50AOD3N50AOD3N50  路中。

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AOB14N5AOB14N5AOB14N5  MOS外部SOC方案(如下所示)

AOB12N5AOB12N5AOB12N5  在这种方案下,PCB只需要高度集成的SoC主控芯片和两个集成MOS。整


AOTF190AOTF190AOTF190  个电路板非常简单,整体面积较小。SOC方案集成了无线充电驱动、运


AOWF7S6AOWF7S6AOWF7S6  算放大器、主控核心和内置温度保护功能。所有功能均由一个芯片实


AOWF25SAOWF25SAOWF25S  现。


AOWF15SAOWF15SAOWF15S  干货


AOWF11SAOWF11SAOWF11S  其次,从整合、功能和成本绩效三个方面分析了三种解决方案。


AOW7S65AOW7S65AOW7S65  大规模集成:


AOW25S6AOW25S6AOW25S6  比较这三种方案,我们可以得到三个特点:

AOW15S6AOW15S6AOW15S6  在无线充电的早期,FSM集成方案具有高度的前瞻性。集成度高,外围


AOW11S6AOW11S6AOW11S6  设备少。“傻瓜”的设计非常简单,方便客户直接使用。然而,后期


AOU7S65AOU7S65AOU7S65  产品的升级和定制是很困难的。同时,最大输入电压也很低。


AOTF7S6AOTF7S6AOTF7S6  在FSM集成方案上对DRMOS集成方案进行了改进,集成了全桥MOS和驱动


AOTF25SAOTF25SAOTF25S  器,使MOS和驱动器完全匹配,提高了效率,有效地解决了EMI问题。


AOTF15SAOTF15SAOTF15S  然而,没有Buck或LDO的集成,这需要外部功率转换器,并且最大输入


AOTF11SAOTF11SAOTF11S  电压低。异常适配器或QC不稳定适配器容易烧毁。

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AOT25S6AOT25S6AOT25S6  MOS外部SoC方案,采用MOS插件,虽然价格不能达到最好,但给设计带


AOT11S6AOT11S6AOT11S6  来一定的灵活性,MOS外部使客户能够调整MOS的配置,优化驱动程序


AOI7S65AOI7S65AOI7S65  ,减少主芯片的问题。


AOD7S65AOD7S65AOD7S65  大功能:


AOB25S6AOB25S6AOB25S6  比较这三种方案,可以获得以下功能差异:

AOB15S6AOB15S6AOB15S6  FSM集成方案作为一种具有高集成功能的早期进入市场集成方案,其主


AOB11S6AOB11S6AOB11S6  要性能是集成的和简单的设计。同时,无法满足最新的CE标准。同时


AOWF7S6AOWF7S6AOWF7S6  ,芯片的加热效率较低,对光的定义也不方便,这可能被市场淘汰。


AOWF4S6AOWF4S6AOWF4S6  DRMOS集成方案在FSM集成方案和集成DRMOS上得到了改进,以实现


AOWF20SAOWF20SAOWF20S  MOS和驱动器的匹配;但是为了达到理想的使用效果,可能需要增加过


AOWF15SAOWF15SAOWF15S  电压保护电路,甚至在某些情况下需要添加散热结构。

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AOWF11SAOWF11SAOWF11S  MOS外部SoC方案,除了集成芯片外,外部MOS外层,高性能,能够更好


AOW7S60AOW7S60AOW7S60  地适应和满足当前主流无线充电产品的需求,具有更好的性价比,达


AOW4S60AOW4S60AOW4S60  到最佳性能。


AOW20S6AOW20S6AOW20S6  进一步的比较可以发现:


AOW15S6AOW15S6AOW15S6  Drmos的1。DRMOS集成方案比MOS外部SOC方案效率低,并且热将很高。


AOW11S6AOW11S6AOW11S6  在效率和散热方面,MOS外部SoC方案由于其配置灵活性而更好,并且


AOV20S6AOV20S6AOV20S6  在更大程度上优化了总体方案性能价格比。由于MOS外部SOC程序MOS可


AOV15S6AOV15S6AOV15S6  以自由配置,当5W为低功耗时,不需要考虑散热,并且可以使用具有


AOV11S6AOV11S6AOV11S6  较高电阻的MOS,但是价格更好。


AOU4S60AOU4S60AOU4S60  从性能的角度来看,许多无线充电PCB板对EMI认证有一定的测试。


AOTF11NAOTF11NAOTF11N  MOS外部SoC方案可以灵活地配置驱动能力,调整MOSFET驱动器的死区


AOTF7S6AOTF7S6AOTF7S6  时间和驱动功率,优化EMI,进一步解决内部MOSFET驱动器与MOSFET栅


AOTF4S6AOTF4S6AOTF4S6  极之间的EMC问题,从而有利于EMI认证。TX的S版本。


AOTF42SAOTF42SAOTF42S  高性价比:


AOTF15SAOTF15SAOTF15S  在满足主流用户对无线性能的需求的情况下,(同时暂时丢弃FSM方案


AOTF11SAOTF11SAOTF11S  不能通过CE的问题),FSM集成方案和DRMOS集成方案需要额外的过电


AOT7S60AOT7S60AOT7S60  压保护电路,导致这两种方案所需的组件数量多于MOS外部SOC方案,


AOT4S60AOT4S60AOT4S60  但由于5W芯片外围设备的选择。不同厂家的型号和应用是不同的,一


AOT15S6AOT15S6AOT15S6  个鱼N到处吃,我们不列出具体的组件数量。

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AOK53S6AOK53S6AOK53S6  总结


AOI4T60AOI4T60AOI4T60  目前,市场上无线充电TX模式中存在三种高集成SOC方案,FSM集成方


AOI4S60AOI4S60AOI4S60  案较为简洁。然而,由于存在无法升级等诸多问题,将DRMOS集成方案


AOI11S6AOI11S6AOI11S6  与MOS和驱动程序集成在一起,将MOS外部SOC方案挂起并与其他外围设


AOD7S60AOD7S60AOD7S60  备集成。这三种方案都有各自的特点和优缺点,促进了无线充电TX 


AOD4S60AOD4S60AOD4S60  SoC集成的发展。从长远来看,无论是从TX的性能、生产成本还是性价


AOD11S6AOD11S6AOD11S6  比来看,TX的发展趋势都将转移到MOS外部SoC程序中。相比之下,该


AOB7S60AOB7S60AOB7S60  方案的总体优势是明显的。它具有体积小、配置方便、降低开发难度


AOB4S60AOB4S60AOB4S60  等优点,可以有效地降低成本和工艺成本。在未来的TX,高集成度和


AOB27S6AOB27S6AOB27S6  灵活性,我们将拭目以待,我们将花费谁。


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