MOS管当开关管是如何实用
2018-12-13 09:21:18
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AOS美国万代半导体公司代理商|泰德兰官网|MOS管电路工作原理电子新闻摘要:MOS管当开关管是如何实用、MOS管当开关管怎么用的?)

AOI4184

普通状况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.假如在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要留意的是应该选择适宜的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

1:稳压电路 晶体管  稳压管的型号
AOI41852:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体
AOI4093:mos晶体管的工作原理
AOD3N404:电子元器件
AOD3T40P5:mos晶体管的栅极
AOD5N406:mos晶体管源极
AOD5T40P7:vdmos,mosfet
AOD9N408:MESFET工作原理
AOD9T40P9:双栅mosfet
AOD46810:功率mosfet
AOD458MOS管是电压驱动,按理说只需栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。但假如请求开关频率较高时,栅对地或VCC能够看做是一个电容,关于一个电容来说,串的电阻越大,栅极到达导通电压时间越长,MOS处于半导通状态时间也越长,在半导通状态内阻较大,发热也会增大,极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小,普通要加前置驱动电路的。下面我们先来理解一下MOS管开关的根底学问。11:电子元件
AOD8N2512:mos场效应管参数
AOD45013:mos场效应管  用途
AOD450414:mosfet
AOD2210MOS管的开关特性15:场效应管是什么
AOD256一、静态特性16:mos管是什么
AOD2544MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决议其工作状态。工作特性如下:17:mos管   场效应管的基本知识
AOD4454uGS<开启电压UT:MOS管工作在截止区,漏源电流iDS根本为0,输出电压uDS≈UDD,MOS管处于“断开”状态,其等效电路如下图所示。
18:mos管怎么用
AOD46419:大功率mos管驱动电路
AOD478uGS>开启电压UT:MOS管工作在导通区,漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中,rDS为MOS管导通时的漏源电阻。输出电压UDS=UDD·rDS/(RD+rDS),假如rDS《RD,则uDS≈0V,MOS管处于“接通”状态,其等效电路如上图(c)所示。20:MOS管选型表要求
AOD48221:电子器件,MOS管
AOD294A22:元器件交易网
AOD296A

23:MOS管当开关管怎么用的
AOD291024:热管的工作原理
AOD2910E25:超结场效应管
AOD2916二、动态特性26:mos管工作用途
AOD2922MOS管在导通与截止两种状态发作转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子自身导通和截止时电荷积聚和消散的时间是很小的。下图 (a)和(b)分别给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特性表示图。
27:AOS万代mos管
AOD412628:高压晶体管
AOD428629:快恢复和超快恢复二极管
AOD2810

30:晶体管得工作原理,mos器件
AOD281631:mos二极管,mos
AOD474B32:线性稳压器,MOS管电源
AOD442NMOS管动态特性表示图33:ic采购
AOD444当输入电压ui由高变低,MOS管由导通状态转换为截止状态时,电源UDD经过RD向杂散电容CL充电,充电时间常数τ1=RDCL.所以,输出电压uo要经过一定延时才由低电平变为高电平;当输入电压ui由低变高,MOS管由截止状态转换为导通状态时,杂散电容CL上的电荷经过rDS停止放电,其放电时间常数τ2≈rDSCL.可见,输出电压Uo也要经过一定延时才干转变成低电平。但由于rDS比RD小得多,所以,由截止到导通的转换时间比由导通到截止的转换时间要短。
34:续流二极管
AOD260635:功率开关管
AOD2610E36:MOS管设计电源
AOD413037:电容的作用
AOD240由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱和电阻rCES要大得多,漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大,所以,MOS管的充、放电时间较长,使MOS管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。不过,在CMOS电路中,由于充电电路和放电电路都是低阻电路,因而,其充、放电过程都比拟快,从而使CMOS电路有较高的开关速度。38:PWM控制电路
AOD24239:MOS管驱动
AOD454A40:电感的基本知识
AOD486A41:MOS管开关条件
AOD4184A

42:MOS管集成电路
AOD418643:MOS管续流二极管
AOD413A44:ic代理
AOD4185AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代半导体公司45:MOS管工作详解
AOD418946:P沟道mos管
AOD407电子新闻_AOS万代官网_电子元器件_电子器件_电器元件_电子元件_电子商城_元器件交易网_ic采购_ic代理_电子电路图网_集成电路芯片
47:mos管电源中作用
AOD40948:mos管应用电路
AOD603A

制造商零件编号:AO3401A
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):44 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3

49:mos管封装
AOD60950:mos管工作原理
AOW250251:mos管的三个极
AOW29252:mos管驱动芯片
AOW28453:场效应管符号
AOW48254:MOS管开关电路
AOWF41255:电子电路图网
AOB254L56:快恢复二极管
AOB256L

57:场效应管
AOB2500L58:24v开关电源
AOB2502L59:24v开关电源电路图
AOB290L

                      30多年前,美国是怎么遏制日本半导体的?


昨天华为的事情刷屏了。小编想说的是,其实看看商业史就知道,美国这一手其实都是老套路,为了维护自己世界老大的地位,对追随者一向是不择手段的。


1、上世纪80年代遏制日本半导体行业就是一例。

日本自打二战战败之后就一门心思去挣钱,70多年的发展史中科技一直居于主导地位,股市、楼市涨了跌跌了涨,但依赖在科技领域的实力,即便有失落的二十年,也保持了不错的竞争力。

50年代,sony的创始人盛田昭夫到美国出差,引入了晶体管技术,这主要用来制造当时的高科技产品——收音机,很快成为爆款,其他公司纷纷引入晶体管,开始一窝蜂地制造收音机,本国消费能力有限,就用于出口。

1959年向美国出口了400万台,6年之后达到了2400万台,不过美国业内一致认为日本只是弄弄收音机之类的低端产品,对其构成不了实质性威胁。

更重要的是1959年,美国德州仪器的工程师Jack Kilby 发明了集成电路。到了1970年,IBM 宣布在新推出的大型机中将使用半导体存储器, 半导体存储器开始替代磁芯,在半导体存储器中占据重要位置的DRAM内存芯片,成为一个巨大的市场。

而不论是半导体还是集成电路,当时的主要中心都在军方,冷战时期,这点是可以理解的,60年代,美国军方的半导体需求超过了供应量的50%,集成电路达到了72%。

日本一点也没闲着,紧随美国的脚步。

美国搞出来集成电路没两年,日本也做了第一块集成电路。美国整出DRAM芯片不久,日本NEC也推出了自己的DRAM 芯片,不过技术稍逊。

此时,美国开始搞事了。日本一个公司叫卡西欧,他们当时主要生产计算器(现在也很多),高峰时,他们公司的产品占了全美市场的80%,1972年,美国借口计算器倾销,拒绝给日本提供核心 IC集成电路,日企大败落,市场份额一个腰斩接一个腰斩,两年后就降到27%。

日本急了,不给就自己造呗!他们当时采用的也是国家队的模式,成立了”DRAM制法革新”国家项目,怎么讲?就是政府牵头,联合日立、NEC、富士通、三菱、东芝等等重要企业,大家凑份子筹资737亿日元设立研究所,其中光主管部门通产省就补助了291亿日元,占39.5%。

60:igbt驱动电路
AOB292L61:igbt是什么
AOB410L62:led电路
AOB41463:led电路图
AOB41664:led路灯电源
AOB290465:led驱动
AOB280L66:集成电路芯片
AOB282L67:led驱动电路
AOB284L68:led驱动电源
AOB286L69:led驱动芯片
AOB288L70:led照明电路
AOB270AL71:p沟道场效应管
AOB470L72:场效应晶体管
AOB260L73:场效应管原理
AOB266L74:场效应管型号
AOB1608L75:场效应管开关电路
AOB2606L76:场效应管功率放大器
AOB2608L77:电路图分析
AOB240L78:场效应管功放电路
AOB1404L79:场效应管功放
AOB41842、他们怎么搞呢?

研发搞“赛马”,谁跑出来算谁的,因为很多项目的底层是相通的,所以各大企业各派人手一起研发,互相pk;

资金除了补贴还有接近于零的低息贷款;

市场搞保护,提高关税抵制美国产品,倡导国货,尽管暂时差点,也能用。

到了1980年,当时最牛的科技公司美国惠普的测试结果表明,“日本货的良品率远远高于美国货”,龙头公司NEC、东芝和日立的良品率,比有的美国著名公司高6倍。

有了这么高的评价,日本公司的市场份额也不断上涨,到了1980年,完全超过美国,成为半导体行业的霸主。1986年,日本半导体产业在 DRAM 份额占到了80%。

但是“战争”的种子早已种下,早在1977年3月,美国半导体行业协会(SIA)就得出结论:日本电子产业的成功,是在美国倾销的结果。而为了保持美国电子产业的竞争力,美国政府必须介入这次争端。美国政府认同了SIA的立场,围绕芯片产业的产业战争,就此开始。

这里需要了解一下美国对于高科技的战略定位,尽管有货币优势、有贸易优势,但是美国的执政者一致认为——对于高科技的垄断地位,才是美国霸权的基石。而电子、芯片产业,对国家安全有着巨大的战略意义。所以这不是一个成本核算的问题。

但也有人认为,按照经济学的比较优势理论,既然芯片不是美国的优势产业,那就应该放弃,直接市场购买就可以了,为此,美国国防部安排了一个小组做了调查,结论认为:美国所有的先进武器系统,都建立在无比先进的芯片技术上,所以,美国必须保护本土芯片业的商业市场。

于是,美国政府开始针对日本开始了“芯片战争”。

经济学家李斯特在《政治经济学的国民经济体系》一书中提出了“踢开梯子”的说法,讲的就是“一个人攀上高峰后,就会把身后的梯子一脚踢开,以免别人跟上来,以此来保证自己的优势”。

美国自打成了老大,就不断踹梯子,防止后面的人跟上来,冷战、贸易战都与此有关,日本在80年代风生水起,美国针对日本的汽车和芯片贸易制裁就没停止过。

芯片战争的时间值得解释下,1985年,是一个转折的年份,之前日本凭借多年的积累正在“买下美国”,对美贸易顺差极大,本国的房子、股市也都是飞涨,美国没办法,只好协迫日本签订“广场协议”,核心就是逼迫日元升值,让美元贬值,以此来增加美国商品的出口竞争力,平衡美国的国际收支,协议签订后,日元大幅升值,最终导致房地产泡沫破灭,迎来失落十年。

而美国政府采取的一贯手段就是“剥洋葱”。啥意思呢?就是先提出一个原则性问题,里面对关键性问题一笔带过,如果这个原则性问题获得对方认可,那就针对这个潜藏的关键问题提出具体建议,真是一个心机婊啊。

到了1985年,美国SIA认为,如果政府还不迅速采取严厉措施,整个行业将在与日本的竞争中消亡。到了6月,SIA向美国贸易代表办公室就日本电子。
80:场效应管工作原理
AOB409L81:场效应管工作电压
AOB411L82:场效应管符号
AOK29S5083:场效应管的作用
AOTF29S5084:场效应管的参数
AOW29S5085:场效应管测量
AOB11S60L86:稳压电源电路图
AOB15S6087:稳压二极管参数
AOB27S60L88:电路图符号
AOB42S60L89:稳压二极管型号
AOB4S6090:稳压芯片
AOB7S6091:肖特基二极管
AOD11S6092:锂电保护芯片
AOD4S6093:锂离子电池工作原理
AOD7S6094:电子新闻
AOI11S6095:AOS万代官网
AOI4S6096:电子元器件
AOI4T6097:电子器件
AOI4T60P98:碳化硅二极管
AOK53S6099:电器元件
AOT15S60L100:电路图符号大全
品质第一

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