以NMOS晶体管为例,阐明MOS的工作原理特征
2018-12-17 11:28:48
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(AOS美国万代半导体公司代理商|泰德兰官网|MOS管电路工作原理电子新闻摘要:以NMOS晶体管为例,阐明MOS的工作原理特征)

AOT20N60

                                  MOS晶体管的工作原理

首先讨论将栅极与源极短路、接地(VGS=OV)时的状况。如图1.9所示的MOS晶体管。这种状态下,虽然漏极上加电压VDS,但是在漏极—源极间简直没有电流流过。为什么?如图1.10所示,这是由于此时的漏极与源极间能够等效为两个pn结二极管反向连接。

                                             工作原理

1:稳压电路 晶体管  稳压管的型号
AOT2N602:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体
AOT3N603:mos晶体管的工作原理
AOT4N604:电子元器件
AOT5N605:mos晶体管的栅极
AOT7N606:mos晶体管源极
AOT8N607:vdmos,mosfet
AOTF10N608:MESFET工作原理
AOTF11N609:双栅mosfet
AOTF12N601.VGS从0V→渐增加

     当栅极—源极间的电压VGS从0V逐步增加时(图1.11),那么在一定电压下,如图1. 12所示,在栅氧化膜下面会构成称为沟道的n型化的区域,即构成n型反型层。这个沟道就是将源区与漏区l连接起来的电子通路。这时如图1.12所示,当漏极加电压VDS时,漏极—源极间就有电流流过,该电流叫做漏极电流。把构成沟道所必需的栅极—源极间的电压叫做阈值电压VT,关于Si MOS晶体管来说,大约是0.6V。用VTN、VTP分别表示NMOS晶体管和PMOS晶体管的阚值电压。栅极—源极间所加电压VGS高于阈值电压VT构成沟道的状态称为强反型状态(strong inversion)。


10:功率mosfet
AOTF12N60FD11:电子元件
AOTF20N6012:mos场效应管参数
AOTF2N6013:mos场效应管  用途
AOTF4N6014:mosfet
AOTF7N6015:场效应管是什么
AOTF7N60FD16:mos管是什么
AOTF8N6017:mos管   场效应管的基本知识
AOU1N602.当VGS大于VT,VDS增加时

    在坚持VGS大于VT前提下,VDS逐步从OV增大时,如图1.13(a)所示,漏极电流ID也在增加。这时的漏极电流表达式由下式给出:


18:mos管怎么用
AOU2N6019:大功率mos管驱动电路
AOU2N60A20:MOS管选型表要求
AOU3N6021:电子器件,MOS管
AOU4N60式中,W是MOS晶体管的沟道宽度;L是MOS晶体管的沟道长度。w与L都是重要的参数,沟道宽度W和长度L如何肯定是晶体管设计中的重要问题,这里首先需求留意的是,漏极电流ID与沟道宽度W成比例,而与沟道长度L成反比。
22:元器件交易网
AOW10N6023:MOS管当开关管怎么用的
AOW11N60                                              基础参数24:热管的工作原理
AOW12N603.决议电学特性的其他参数25:超结场效应管
AOWF10N60

我们再来看式(1.1)中的其他参数。μ是载流子迁移率,在NMOS与PMOS中分别是电子和空穴的迁移率,用μn和μp表示。其典型值为


26:mos管工作用途
AOWF11N6027:AOS万代mos管
AOWF12N6028:高压晶体管
AOWF4N6029:快恢复和超快恢复二极管
AOB12N65L就是说,PMOS与NMOS的迁移率相差3倍。假如晶体管的电流驱动才能相同,那么NMOS的尺寸大小就只要PMOS的1/3。
30:晶体管得工作原理,mos器件
AOD7N65

Cox是MOS晶体管单位面积的栅电容,由下式给出:


31:mos二极管,mos
AOI7N6532:线性稳压器,MOS管电源
AOK18N65式中,εox真空介电常数(8.85X10-14[F/cm]),εox为栅氧化膜的相对介电常数(SiO2是3.9);tox是栅氧化膜的厚度。
33:ic采购
AOT10N65式(1.1)表示的漏极电流表达式适用的条件是VGS>VT,VDS≤VGS-VT。在这个条件下MOS晶体管的工作区域称为非饱和区,也叫做线性区(linear region)
34:续流二极管
AOT12N65

当VDS处于OV左近时,精确地说,是当VDS《2(VGS-VT)时,式(1.1)右边的第2项能够疏忽不计,能够近似为下式:


35:功率开关管
AOT7N6536:MOS管设计电源
AOT8N6537:电容的作用
AOTF10N65由该式能够看出,当VDS《2(VGS-VT)时,ID与VDS成比例。实践上,如图1.13(b)所示,在VDS接近ov的区域,能够看到ID与VDS,成比例地增加。随着VDS的增大,式(1.1)中的-VDS2/2变得不可疏忽,这时ID的增加就迟缓了。
38:PWM控制电路
AOTF12N6539:MOS管驱动
AOTF18N65

在VGS大于VT的强反型状态,假如漏极-源极电压进一步增加,到达VDS=VGS-VT时,漏极电流ID就变为下式:


40:电感的基本知识
AOTF7N6541:MOS管开关条件
AOTF8N6542:MOS管集成电路
AOW10N65在漏极-源极间电压进一步增加的状况下(也就是VDS>VGS -VT),漏极电(流不再像前面那样增加,根本上是一定值,其值由式(1.4)给出。这个工作区域(VDS>VGS-VT)称为饱和区。43:MOS管续流二极管
AOW12N65                                         工作基本原理44:ic代理
AOWF10N654.模仿电路工作在饱和区
    图1. 14示出漏极电流ID与漏极-源极间电压VDS的关系。非饱和区与饱和区R的分界是
VDS=VDS-VT
45:MOS管工作详解
AOWF12N6546:P沟道mos管
AOB9N70L

在CMOS模仿电路中,MOS晶体管通常工作在饱和区(但是,在MOS晶体管作为开关运用的场所,由于漏极—源极间没有电位差,即VDS=OV,所以工作在非饱和区)。成为饱和区与非饱和区的分界的漏极—源极间电压VDS十分重要,这里用VGS-VT=VDSsat示。


47:mos管电源中作用
AOD3N8048:mos管应用电路
AOD2N10049:mos管封装
AOK8N8050:mos管工作原理
AOK10N90需求指出的是,MOS晶体管的饱和区相当于双极晶体管中的活性区或者激活区( active region),而与双极晶体管中的饱和区概念完整不同。51:mos管的三个极
AOK9N90

图1. 15是以栅极-源极间电压VGS为参变量的状况下漏极电流ID与漏极-源极间电压VDS的关系。随着VGS的增加,ID也在增。虚线表示饱和区与非饱和区的分界。能够看出,VGS越高为了使晶体管丁作在饱和区就需求更大的VDS。


52:mos管驱动芯片
AOK5N10053:场效应管符号
AOT11N7054:MOS管开关电路
AOT7N7055:电子电路图网
AOT9N70再来讨论以栅极-源极间电压VGS为横轴时漏极电流ID的变化。当MOS晶体管工作在饱和区时,由于这时的ID由式(1.4)给出,所以如图1.16所示,ID与VGS的关系是2次方特性。

    取式(1.4)两边的平方根,就是


56:快恢复二极管
AOT3N10057:场效应管
AOT5N10058:24v开关电源
AOTF11N70能够看出,ID是VGS的一次函数。图1.17示出ID与VGS的关系。从该图中可以看出,在VGS>VT时,ID是VGS的一次函数。外插直线与横轴VGS的交点就是阈值电压VT。
59:24v开关电源电路图
AOTF7N7060:igbt驱动电路
AOTF9N70

61:igbt是什么
AOTF3N8062:led电路
AOTF8N80AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代半导体公司63:led电路图
AOTF10N9064:led路灯电源
AOTF3N90电子新闻_AOS万代官网_电子元器件_电子器件_电器元件_电子元件_电子商城_元器件交易网_ic采购_ic代理_电子电路图网_集成电路芯片
65:led驱动
AOTF4N9066:集成电路芯片
AOTF6N90原厂标准完整型号: AON3818

制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 24V 8A

系列: AlphaMOS

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压(Vdss): 24V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 13.5 毫欧 @ 8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 840pF @ 12V

功率 - 最大值: 2.7W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线裸焊盘

供应商器件封装: 8-DFN(3x3)

                      日本研发机器人代替人类播报新闻工作

大阪大学机器人教授石黑浩研究的机器人艾丽卡将替代一部分人类新闻播报的工作,具体就职哪家电视台,现在还不得而知。艾丽卡有着丰富的面部表情,可以与人类进行对话,还有令人惊诧的幽默感。播报新闻或许真的不是什么大事。可能在人形机器人方面,这么操作的还是第一次。

机器人技术突破仍有障碍

据网友分析,播报的新闻是特定的新闻稿,当然新闻稿是整理出来由艾丽卡在读出来的。她不能移动,如果出现在电视上,可能很容易分辨出是机器人还是人类。不过没有了解过艾丽卡的人来说,可能在看第一次她主播的新闻的时候,会感觉十分的奇怪。如果你知道她是机器人,肯定会大吃一惊的。艾丽卡的前一代机器人,现在还在商场里卖衣服,所以播报新闻对艾丽卡来说,真不是什么难事。但是就目前的技术来说,艾丽卡离真正的“智能”还有相当长的距离。机器人还只能在某些特定领域,根据人的指令工作,有人说现在的机器人就挺好,以人为主。也有人担心,如果机器人真正有了“智能”,恐怕地球的主人不再是人类了。

近几十年来,全世界顶尖的机器人研究团队从未停止过拟人机器人研究的步伐。有代表性的机器人包括,美国波士顿动力的 Atlas 双足机器人,通用电气和 NASA 研制的,用于航空作业的 Robonaut 机器人,就在日本,也有大名鼎鼎的 ASIMO 机器人。与石黑浩的机器人不一样的是,上述的人形机器人更偏向实际的应用,其外表更具有机械感。石黑浩承认,目前市面上这些机械外观的机器人相比于他的高仿人机器人,在某些特定领域确实有更大的实用价值。但是,对于人的大脑而言,最好的交互方式不是人与 Atlas的方式,也不是人与 ASIMO的交互方式,而是人与人的交互方式。这就是他研究仿制人机器人的原因之一。

67:led驱动电路
AOTF9N9068:led驱动电源
AOTF3N10069:led驱动芯片
AOTF5N10070:led照明电路
AOWF11N7071:p沟道场效应管
AOWF9N7072:场效应晶体管
AOZ1015AI73:场效应管原理
AOZ1017AI74:场效应管型号
AOZ1017AIL75:场效应管开关电路
AOZ6115CI76:场效应管功率放大器
AOZ6115HI77:电路图分析
AOZ6134DI78:场效应管功放电路
AOZ6135HI79:场效应管功放
AOZ6232QI80:场效应管工作原理
AOZ6233QI81:场效应管工作电压
AOZ6234QI82:场效应管符号
AOZ6236QI83:场效应管的作用
AOZ6274QI

                      我国的机器人产业的这些扶持政策


我国同发达国家相比,我们的机器人产业存在自主创新能力不强、产品以中低端为主、企业规模偏小、产品质量参差不齐等问题。而为了规范、扶持我们的行业,中央及地方相继出台了各项政策。小编今天就梳理了我国已出台的一些机器人产业扶持政策来给大家浏览使用。


国家扶持政策以引导为主

国家高度重视机器人产业发展。相继出台了《关于推进机器人产业发展的指导意见》、《机器人产业发展规划(2016-2020年)》等,从战略上做好顶层设计;科技部通过863项目对机器人相关技术研发给予扶持;工业强基工程中对减速器、控制器、伺服电机和驱动器等核心零部件有所支持;

在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2015年第二版)》中,对工业机器人及其关键零部件进行了调整,并新增了对多功能破拆机器人的支持。地方政府对首台(套)产品给予采购或保费补贴,如安徽省出台《安徽省发展改革委关于加快我省智能制造装备产业的指导意见》、福建省发布《关于加快发展智能制造九条措施的通知》,对用户企业采购首台(套)产品给予补贴;上海市、东莞市、马鞍山市等地对机器人方面的首台(套)重大技术装备产品,或给予单台奖励,或在企业购置首台(套)综合保险给予保费补贴,东莞市设立首台(套)重大技术装备专项扶持资金,下面请看具体政策明细:

国务院:2006年2月

政策文件:《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》

相关内容:将智能机器人列入前沿科技中的先进制造技术。

国务院:2016年3月

政策文件:《“十三五”规划纲要》

相关内容:大力发展工业机器人、服务机器人、手术机器人和军用机器人。

工信部、发改委、财政部:2016年3月

政策文件:《机器人产业发展规划(2016-2020年)》

相关内容:自主品牌工业机器人年产量达10万台,服务机器人年销售收入超过300亿元。

国务院:2016年7月

政策文件:《“十三五”国家科技创新规划》

相关内容:下一代机器人技术研究、工业机器人实现产业化,服务机器人实现产品化,特种机器人实现批量化应用。

工信部、财政部:2016年9月

政策文件:《智能制造发展规划(2016-2020年)》

相关内容:促进服务机器人等研发和产业化。

国务院:2016年12月

政策文件:《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》

相关内容:推动专业服务机器人和家用服务机器人应用。

工信部、发改委、认证委:2016年12月

政策文件:《关于促进机器人产业健康发展通知》

相关内容:开拓工业机器人应用市场,推进服务机器人试点示范。

科技部:2017年8月

政策文件:《“智能机器人”重点专项2017年度项目专项申报指南》

相关内容:围绕智能机器人基础前沿技术、新一代机器人、关键共性技术、工业机器人、服务机器人、特种机器人6个方向,启动42个项目,经费约6亿元。

工信部:2017年12月

政策文件:《促进新一代人工智能产业发展三年行动计划(2018-2020年)》

相关内容:到2020年,智能家庭服务机器人、智能公共服务机器人实现批量生产及应用,医疗康复、助老助残、消防救灾等机器人实现样机生产,完成技术与功能验证,实现20家以上应用示范。

工信部、发改委、财政部:2018年4月

政策文件:《机器人产业发展规划(2016-2020年)》

相关内容:五年内形成我国自己较为完善的机器人产业体系。根据工信部工作部署,下一阶段相关产业促进政策将着手解决两大关键问题:一是推进机器人产业迈向中高端发展;二是规范市场秩序,防止机器人产业无序发展。

在国家政策统筹兼顾下,地方政策也在迅速跟进,每年各省市都会推出机器人相关政策促进产业发展,为企业和行业保驾护航。进入7月份,2018年时已过半,又有那些机器人新规在这六个月内出炉了呢?我们一起来看看吧。

地方扶持政策重点在研发和应用

我国地方会通过扶持科研项目加速机器人技术进步。北京、深圳、天津、泉州等多地通过科研项目对机器人技术研发进行扶持,相比制造和销售环节补贴,资金数额一般不大。2015年,北京市科委等发布《关于促进北京市智能机器人科技创新与成果转化工作的意见》,明确开展以应用为牵引的关键技术攻关、功能部件及成套装备研发等四大重点任务。

深圳市对在深圳设立符合规定条件的市级工程实验室、重点实验室、工程(技术)研究中心、企业技术中心,专项资金予以最高500万元支持;企业、高等院校和科研机构承担国家工程实验室、国家重点实验室、国家工程中心建设任务并在深圳实施的,专项资金予以最高1500万元配套支持。天津市设立智能机器人科技重大专项,项目面向全国范围征集,补助额度为50万-200万元。

泉州市出台《加快机械装备产业发展行动计划(2014-2018)》等政策,提出实施工业机器人重大专项,重点支持关键零部件共性关键技术研发,对实施单位给予最高200万元资金补助,下面请看具体政策明细:

山西:2018年2月

政策文件:《山西省制造业振兴升级专项行动方案》

相关内容:发展智能机器人、无人机、智能硬件等智能产品。

辽宁:2018年1月

政策文件:《辽宁省新一代人工智能发展规划》

相关内容:培育新一代工业机器人、智能特种机器人。

黑龙江:2018年2月

政策文件:《黑龙江省人工智能产业三年专项行动计划(2018-2020年)》

相关内容:引导具备一定先发优势的成套装备、机器人、汽车等骨干企业,率先向同行业和产业链配套环节输出标准化智能工厂整体解决方案,打造以行业云平台为支撑的智能互联工厂。

浙江:2018年2月

政策文件:《浙江省智能制造行动计划(2018-2020年)》

相关内容:进一步明确未来三年全省智能制造发展目标任务、重点领域和工作举措。从技术、装备、标准、应用等方面细化工作任务和举措,进一步把“中国制造2025”示范城市建设工作落实落细,致力实现制造业由大变强的跨越式发展。

福建:2018年3月

政策文件:《关于推动新一代人工智能加快发展的实施意见》

相关内容:重点研发智能机器人控制器、伺服驱动器、减速器等高性能机器人核心零部件。

河北:2018年4月

政策文件:《河北省加快智能制造发展行动方案》

相关内容:支持发展焊接、切割、喷涂等工业机器人。

河南:2018年4月

政策文件:《河南省智能制造和工业互联网发展三年行动计划(2018—2020年)》

相关内容:把发展智能制造和工业互联网作为制造业转型升级的主攻方向,到2020年,全省“两化”(工业化、信息化)融合发展水平进入全国第一方阵,智能转型走在全国前列,制造业重点领域基本实现数字化,构建智能制造成为主流、工业互联网广泛覆盖的制造业发展格局,努力实现“河南制造”向“河南智造”转变。

广东佛山:2018年4月

政策文件:《佛山市推动机器人应用及产业发展扶持方案(2018-2020年)》

相关内容:到2020年,机器人及智能装备产业产值突破1200亿元,年均增长15%以上。全是累计新增超过600家规模以上工业制造业企业应用机器人;建成10-15家以机器人应用为核心的智能制造示范企业。市级财政设立专项扶持资金,每年安排1.3亿元用于支持。

天津:2018年5月

政策文件:《天津市关于加快推进智能科技产业发展的若干政策》

相关内容:落实天津市关于加快推进智能科技产业发展的若干政策,抢抓智能科技产业发展的重大战略机遇,加强政策引导和扶持,用好智能制造财政专项资金,以智能制造产业链、创新链的重大需求和关键环节为导向,重点支持传统产业实施智能化改造,支持工业互联网发展,促进军民融合发展,加快智能机器人、智能软硬件等新兴产业引育,着力打造一批样板车间、示范工厂,为智能科技企业提供应用场景和市场空间,不断优化我市智能科技产业发展环境。

江苏:2018年5月

政策文件:《江苏省新一代人工智能产业发展实施意见》

相关内容:发展焊接、装配、喷涂、搬运、检测等智能工业机器人,推进医疗、教育、娱乐、健康等服务机器人智能化水平。围绕高温高压复杂工艺、高危险作业场所等特点,研制推广海底操作机器人、特种作业机器人、空间机器人、巡检机器人等特种智能机器人。

广西:2018年5月

政策文件:《广西关于贯彻落实新一代人工智能发展规划的实施意见》

相关内容:面向食品、汽车、机械、有色金属等产业,重点发展和应用分拣、包装、焊接、喷涂、挖掘、装配和搬运等工业机器人;面向农业发展需求,重点发展适应广西地形特点的耕种与收割机器人、农业植保无人机、智能化自动传送与加工系统等。在教育、安防、家政、旅游、养老、医疗等领域,开展服务机器人研发和应用示范。

海南:2018年5月

政策文件:《海南省新型工业及信息产业“十三五”发展规划(2016-2020年)》

相关内容:重点发展新型智能终端、3D打印、传感器、机器人、工业大数据平台等新型领域。

安徽:2018年7月

政策文件:《支持机器人产业发展若干政策》

相关内容:为深入实施五大发展行动计划和《中国制造2025安徽篇》,加快我省机器人产业发展,着力建成全国有重要影响力的机器人研发制造基地,建设世界一流的机器人先进制造业产业集群,制定和实施若干支持政策。

浙江:2018年7月

政策文件:《浙江省人民政府关于印发浙江省「机器人+」行动计划的通知》

相关内容:为主动适应和引领经济新常态,促进机器人与经济社会各领域深度融合,加快转变生产方式,提升生活品质,培育发现动能。根据《中国制造 2025》(国发[2015]28号)等文件精神,结合我省实际,特制定本行动计划。

江苏:2018年11月

政策文件:《江苏省智能制造示范区培育实施方案(试行)》

相关内容:旨在为进一步推动全省智能制造发展,支持各地因地制宜探索建设智能制造生态体系,稳步提升江苏制造业智能化发展水平。

江苏:2018年12月

政策文件:《江苏省机器人产业发展三年行动计划(2018-2020年)》

相关内容:到2020年,全省自主品牌工业机器人年产量达1万台,形成一批机器人重点领军企业、知名品牌和特色产业基地;机器人用精密减速器、伺服电机及驱动器、控制器的性能、精度、可靠性达国际同类产品水平。

在我国全面实施“中国制造2025”的当下,智能制造被列为推动新一代信息技术与制造技术融合发展的主攻方向,也是产业创新的重要阵地。机器人产业则是其中重要代表,相信在不久的将来,在如此众多的政策的扶持下,在核心技术研发、产业链构建、应用领域拓展、区域集聚发展等方面必将取得积极进展,最后祝愿我们的祖国今后将更加繁荣昌盛!

84:场效应管的参数
AOZ6275QI85:场效应管测量
AOZ6184QT86:稳压电源电路图
AOZ6185QT87:稳压二极管参数
AOZ6186QT88:电路图符号
AOTS40B65H189:稳压二极管型号
AOKS40B65H190:稳压芯片
AOKS30B60D191:肖特基二极管
AOKS40B60D192:锂电保护芯片
AOT5B65M193:锂离子电池工作原理
AOT10B65M194:电子新闻
AOT10B65M295:AOS万代官网
AOT15B65M196:电子元器件
AOT20B65M197:电子器件
AOT5B60D98:碳化硅二极管
AOT10B60D99:电器元件
AOT15B60D100:电路图符号大全
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