MOS管如何分析电路工作原理
2019-01-08 09:25:49
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1:稳压电路 晶体管  稳压管的型号

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2:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体

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3:mos晶体管的工作原理

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4:电子元器件

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P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅

5:mos晶体管的栅极

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MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加

6:mos晶体管源极

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有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为衔接源极和漏极的沟道。

7:vdmos,mosfet

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PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,固

8:MESFET工作原理

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然PMOS可以很便当地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价钱贵,交流种类少等缘由,在高端驱

9:双栅mosfet

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动中,通常还是运用NMOS。电路分析如下:pmos的开启条件是VGS电压为负压,并且电压的绝对值

10:功率mosfet

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大于最低开启电压,普通小功率的PMOS管的最小开启电压为0.7V左右,假定电池充溢电,电压为

11:电子元件

AON7418

4.2V,VGS=-4.2V,PMOS是导通的,电路是没有问题的。当5V电压时,G极的电压为5V,S极的电压

12:mos场效应管参数

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为5VV-二极管压降(0.5左右)=4.5V,PMOS管关段,当没有5V电压时,G极电压下拉为0V,S极的

13:mos场效应管  用途

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电压为电池电压(假定电池充溢电4.2V)-MOS管未导通二极管压降(0.5V)=3.7,这样PMOS就导

14:mosfet

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通,二极管压降就没有了这样VGS=-4.2V.PMOS管导通对负载供电。在这里用一个肖特基二极管

15:场效应管是什么

AON7784

(SS12)也可以处置这个问题,不过就是有0.3V左右的电压降。这里运用PMOS管,PMOS管完好导

16:mos管是什么

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通,内阻比较小,优与肖特基,几乎没有压降。不过下拉电阻运用的有点大,驱动PMOS不需求电

17:mos管   场效应管的基本知识

AON7423

流的,只需电压抵达就可以了,可以运用大电阻,减少工作电流,推荐运用10K-100K左右的电阻。

18:mos管怎么用

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19:大功率mos管驱动电路

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20:MOS管选型表要求

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21:电子器件,MOS管

AON6314

22:元器件交易网

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23:MOS管当开关管怎么用的

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P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,

24:热管的工作原理

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PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值普通偏高,要

25:超结场效应管

AON6362

求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼

26:mos管工作用途

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容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见

27:AOS万代mos管

AON6368

N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)呈现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工

28:高压晶体管

AON6370

艺简单,价钱低价,有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

29:快恢复和超快恢复二极管

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改动栅压可以改动沟道中的电子密度,从而改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增

30:晶体管得工作原理,mos器件

AON6380

强型场效应晶体管。假定N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上恰当的偏压,可

31:mos二极管,mos

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使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS

32:线性稳压器,MOS管电源

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晶体管。

33:ic采购

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34:续流二极管

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35:功率开关管

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36:MOS管设计电源

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37:电容的作用

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38:PWM控制电路

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39:MOS管驱动

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40:电感的基本知识

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41:MOS管开关条件

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42:MOS管集成电路

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43:MOS管续流二极管

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44:ic代理

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45:MOS管工作详解

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46:P沟道mos管

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制造商零件编号:AO3416
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23
系列:-

47:mos管电源中作用

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48:mos管应用电路

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.5A(Ta)

49:mos管封装

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50:mos管工作原理

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不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):22 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1160pF @ 10V

51:mos管的三个极

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52:mos管驱动芯片

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功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3

53:场效应管符号

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54:MOS管开关电路

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55:电子电路图网

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56:快恢复二极管

AON6596

                           我国传感器行业的发展现状

57:场效应管

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58:24v开关电源

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在国际经济形势面临挑战的背景下,新的一年我国经济工作的重心将会放在哪里?近日,在中央经济

59:24v开关电源电路图

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工作会议上5G、物联网等被列入了重点关注的领域。此外,Gartner的研究结果表明到2020年全球联

60:igbt驱动电路

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网设备数量将达260亿台,物联网市场规模将达1.9万亿美元。

61:igbt是什么

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在市场的带动下,众多巨头企业都在布局物联网行业,其中包括IBM、谷歌、微软、亚马逊、思科、

62:led电路

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华为、BAT等。科技巨头们从不同环节引领技术潮流与行业标准,使得物联网产业大规模发展的条件

63:led电路图

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正快速形成,未来2—3年将成为该产业生态发展的关键时期。而传感器作为物联网的数据入口,其市

64:led路灯电源

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场前景更是大有可为。

65:led驱动

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四大维度解读我国传感器行业的发展现状

66:集成电路芯片

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长期以来,在传感器的关键环节、关键技术、高附加值应用上,国际品牌一直处于垄断地位。由于传

67:led驱动电路

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感器门类众多,技术门槛不一,我国在常规的传感器方面有所布局,但高精度的传感器仍然是短板。

68:led驱动电源

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高档传感器产品几乎100%从国外进口,而传感器芯片则有90%来源于国外,许多产品是“有品无芯”。

69:led驱动芯片

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70:led照明电路

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71:p沟道场效应管

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谈及我国传感器落后的原因,多位业内人士均表示:技术、工艺以及材料等多种因素共同造成了如今

72:场效应晶体管

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的局面。

73:场效应管原理

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首先,关键技术尚未突破是主要制约因素。在设计技术方面,传感器的设计技术涉及多种学科、多种

74:场效应管型号

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理论、多种材料、多种工艺及现场使用条件;设计软件价格昂贵、设计过程复杂、考虑因子众多;设

75:场效应管开关电路

AONS21357

计人才匮乏,设计人员不仅需了解通用设计程序和方法,还需熟悉器件制备工艺,了解器件现场使用

76:场效应管功率放大器

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条件。

77:电路图分析

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其次,产业化能力不足也是制约因素。目前国内高精度、高可靠传感器研发及产业化能力严重滞后于

78:场效应管功放电路

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需求,技术水平相比国外还有较大差距,产品一致性、可靠性水平比国外低1~2个数量级,产品的品

79:场效应管功放

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种和系列大约是国外的30%~40%,产品的产业化程度不足15%。

80:场效应管工作原理

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第三,资源分散,产业规模小。目前我国传感器企业1600余家,大都为小、微企业,盈利能力不强,

81:场效应管工作电压

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缺乏引领技术的龙头企业。

82:场效应管符号

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第四,传感器高端人才匮乏是影响传感器发展的最大瓶颈。传感器产业涉及学科多,要求知识面广,

83:场效应管的作用

AON6918

新技术层出不穷,长期以来很难吸引国际顶级人才投身到传感器行业工作;国内由于学科设置不合理

84:场效应管的参数

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,缺少复合型人才培养机制。

85:场效应管测量

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上游蓄力不足,下游有望产生专业细分的行业小巨头

86:稳压电源电路图

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芯片研发投资极大、成本高、工艺装备昂贵、资金回收周期长,且技术难度风险大,靠企业市场化运

87:稳压二极管参数

AON6934A

作是难以为继的。加强芯片与MEMS技术的集成与融合,是传感器产业发展的必由之路。如果国产传感

88:电路图符号

AON6946

器芯片性能优良,产品可靠性、稳定性高,其应用不愁没有市场。

89:稳压二极管型号

AON6974A

随着物联网时代越走越近,构建全面感知、可靠传输的智能信息服务系统,成为了新的国际形势下经

90:稳压芯片

AON6978

济增长的新引擎,也因此行业对传感器提出了更多新的要求。就传感器行业人士最为关注的MEMS传感

91:肖特基二极管

AON6980

器、无线传感器、智能传感器等新的技术方案,联合各种定位技术、自动识别技术等,将深刻全面地

92:锂电保护芯片

AON6992

感知各行业应用感知层的各种参数、及时察觉各种微小的变化。重点发展应用市场、具备一定产业基础、易于快速产业化的智能传感器及其核心元器件,运动感测组合传感器中的加速度计、陀螺仪,环境感测组合传感器中的压力传感器等或许也不失为上上策。

不管是做传感器芯片、传感器设计,还是传感器产品以及应用等,近日该产业链的众多企业都关注到了2018“物联之星”年度评选中的“物联网传感企业奖”,这是一个完全公益性,公平、公正的奖项,从参与的企业也能看出物联网传感器行业最新发展趋势和市场机会。截止目前,已有30余家传感器企业参与进来,昆仑海岸、豪恩安全、华兰海电、悦和科技、麦克传感器、九纯健、明皜传感、中星测控等等(篇幅有限,无法一一列举)。

万物互联时代,传感器的触角将会延伸到各个角落,各行业应用将蕴含巨大商机,国内外传感器厂商都能在该领域找到自己的价值所在,为行业发展贡献力量。曾有业内人士预测,未来国内传感器厂商有望产生专业细分的行业小巨头。通过此次“物联之星”500位行业资深人士的网络投票,让我们遴选出近年来对中国物联网行业影响深远的十家传感器品牌。通过开放式的评选,一起去看看有哪些传感器厂商能晋级,同时促进国内传感器市场的繁荣发展,特在此呼吁更多国内外传感器企业能参与进来。

93:锂离子电池工作原理

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94:电子新闻

AON6996

95:AOS万代官网

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96:电子元器件

AOE6930

97:电子器件

AOE6932

98:碳化硅二极管

AOE6936

99:电器元件

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100:电路图符号大全

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