如何判断mos管场效应管晶体管工作状态,开关电源,元器件分类步骤
2019-01-11 11:48:46
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如何判断mos管工作状态-mos管工作原理 曲线性特性与分类、开关电源中使用到的各个元器件检验识别方法与步骤详情

NCE40H12K


   如何判断mos管工作状态-mos管工作原理 曲线性特性与分类

1:稳压电路 晶体管  稳压管的型号
NCE40H122:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体
NCE40H12I3:mos晶体管的工作原理
NCE40H20

如何判断mos管工作状态,文中将会具体描述出来。mos管的工作状态一共有两种:增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分。


4:电子元器件
NCE40H20A5:mos晶体管的栅极
NCE40H20AD

mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。


6:mos晶体管源极
NCE40H21C7:vdmos,mosfet
NCE40H21

如何判断mos管工作状态-N沟道增强型MOS场效应管


8:MESFET工作原理
NCE40H29D

(1)vGS对iD及沟道的控制作用


9:双栅mosfet
NCE40H21CD

① vGS=0 的情况


10:功率mosfet
NCE4012S

从图1(a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。


11:电子元件
NCE4528K12:mos场效应管参数
NCE4542K

② vGS>0 的情况


13:mos场效应管  用途
NCE4558K

若vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。


14:mosfet
NCE4570K15:场效应管是什么
NCE4585K

排斥空穴:使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。


16:mos管是什么
NCE4590K17:mos管   场效应管的基本知识
BSS138

(2)导电沟道的形成:


18:mos管怎么用
BSS138K

当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,如图1(b)所示。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故又称为反型层,如图1(c)所示。vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。


19:大功率mos管驱动电路
NCE30H2120:MOS管选型表要求
NCE30H29D

开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压,用VT表示。


21:电子器件,MOS管
NCEB301Q

上面讨论的N沟道MOS管在vGS<VT时,不能形成导电沟道,管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时,才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后,在漏——源极间加上正向电压vDS,就有漏极电流产生。


22:元器件交易网
NCEB301Q23:MOS管当开关管怎么用的
NCE5015S24:热管的工作原理
NCE5020Q

vDS对iD的影响


25:超结场效应管
NCE5025K

26:mos管工作用途
NCE5040K

如图(a)所示,当vGS>VT且为一确定值时,漏——源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。


27:AOS万代mos管
NCE5055K

漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近源极一端的电压最大,这里沟道最厚,而漏极一端电压最小,其值为VGD=vGS-vDS,因而这里沟道最薄。但当vDS较小(vDS


28:高压晶体管
NCE5080K29:快恢复和超快恢复二极管
NCE5080CK

随着vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,当vDS增加到使VGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)时,沟道在漏极一端出现预夹断,如图2(b)所示。再继续增大vDS,夹断点将向源极方向移动,如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区,故iD几乎不随vDS增大而增加,管子进入饱和区,iD几乎仅由vGS决定。


30:晶体管得工作原理,mos器件
AO440331:mos二极管,mos
AO4405

如何判断mos管工作状态-N沟道增强型MOS场效应管


32:线性稳压器,MOS管电源
AO4405E

33:ic采购
AO4407

(1)结构:


N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。


(2)区别:


耗尽型MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。


(3)原因:


制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。


如果加上正的vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小,iD增大。反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,iD减小。当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消失,iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值,但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0,vGS>0。


N沟道增强型MOS管MOS管曲线和电流方程

输出特性曲线

N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线

转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS>vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线.?iD

与vGS的近似关系

与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为

式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

P沟道耗尽型MOS管

P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
34:续流二极管
AO4407A35:功率开关管
AO440936:MOS管设计电源
AO441137:电容的作用
AO441338:PWM控制电路
AO441939:MOS管驱动
AO442340:电感的基本知识
AO443541:MOS管开关条件
AO4447A42:MOS管集成电路
AO444943:MOS管续流二极管
AO445544:ic代理
AO445945:MOS管工作详解
AO442546:P沟道mos管
AO4840E47:mos管电源中作用
AO4800B

48:mos管应用电路
AO481249:mos管封装
AO4818B

AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代半导体公司

50:mos管工作原理
AO482251:mos管的三个极
AO4822A电子新闻_AOS万代官网_电子元器件_电子器件_电器元件_电子元件_电子商城_元器件交易网_ic采购_ic代理_电子电路图网_集成电路芯片
52:mos管驱动芯片
AO483253:场效应管符号
AO4838制造商零件编号:AO3404A
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):820pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
54:MOS管开关电路
AO484255:电子电路图网
AO485456:快恢复二极管
AO486257:场效应管
AO4862E58:24v开关电源
AO480659:24v开关电源电路图
AO9926B60:igbt驱动电路
AO9926C

61:igbt是什么
AO4801A62:led电路
AO4803A

          开关电源中使用到的各个元器件检验识别方法与步骤详情

电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分,其本身常由若干零件构成,可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件,如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。常见的有二极管等。


63:led电路图
AO480564:led路灯电源
AO4807

电子元器件包括:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品等。


65:led驱动
AO481366:集成电路芯片
AO4815

电子元器件在质量方面国际上有欧盟的CE认证,美国的UL认证,德国的VDE和TUV以及中国的CQC认证等国内外认证,来保证元器件的合格。


67:led驱动电路
AO4606

开关电源,元器件


68:led驱动电源
AO4616

开关电源中各元器件检验分析


69:led驱动芯片
AO4620

(一)电阻


1)目视检查,来料包装应完好无破损,标识清晰;


2)色环颜色清晰易于辨认,色环颜色与标称阻值相符,引脚无氧化、发黑; 数字标注正确。


3)阻值与色环标识一致。


4)电阻无断裂,涂覆层脱落;


5)表面不可有油污、水渍及其它脏物。由运输材料引起而且能够被空气吹走的灰尘是 可被接收的。


6)用万用表测量阻值。


7)用 30W 或 40W 的电烙铁对电阻器的引脚加锡,焊锡应能完全包裹住引脚为合格。


70:led照明电路
ME442571:p沟道场效应管
ME441772:场效应晶体管
ME441673:场效应管原理
ME441274:场效应管型号
ME4411

(二)电容


开关电源,元器件


1、首先确定BOM单要求的规格、容量、误差、耐压值、耐温值及误差值等是否与来料一致。


2、电容量的实际测量值(用LCR METER测量)必须在标准值±误差值范围以内。


3、电容引出脚之间的间距必须与技术资料要求一致。


4、电容商标必须清晰和完整,油漆必须鲜明,不能有污染,外形必须完整无损。


5、电容引出脚中铅锡合金电镀层颜色明亮一致不能出现斑点等氧化现迹象。


6、电容引出脚间间距为1MM以下,其带状排列必须整齐划一,不能有任何参差不齐的现象。


7、测量容量(插件电容)是否在误差范围内,确定种类、规格是否正确。


75:场效应管开关电路
ME4410A76:场效应管功率放大器
ME417477:电路图分析
MEE15N1078:场效应管功放电路
ME96N03

A、电解电容曾出现过波峰焊后掉皮和包错皮的现象(4.7UF/16V 包错为47UF/16V的皮),绦纶电容规格脚距来错,来错规格导致体积过大影响装配


79:场效应管功放
ME95P0380:场效应管工作原理
ME95N03

B、常见的插件电容有电解电容、瓷片电容、金属膜电容、安规电容、绦纶电容、独石电容,检查插件电容的重点在于它的种类和规格,检查前确定应使用哪一种,然后按要求测量规格(包括体积、脚距)有条件下要试装。


81:场效应管工作电压
ME90P0382:场效应管符号
ME90N038、参照BOM单用卡尺测量其直径、高度。

9、参照BOM单用稳压电源按耐值正向耐压电测。

10、用电容测试仪器测量其容量。

11、电容的正负极标识不能反、标识的容量要与实际容量一致。 贴片电容:

12、检查外观注意是否有氧化和破损现象。

13、用电容表测量其容量是否与在误差范围之内。

14、对特别要求客户,如康创还应注意颜色、形状是否有不一样或与上次不一样的,如有不一样的应及时通知客户确认后使用,并通告相关人员跟进。

A、贴片电容检查时应特别注意颜色、形状(体积、厚薄度),若在同一次来料中发现有几种颜色、形状的,或者与上次来料不符合的,要马上以书面形式联络客户,确认好后才可以使用,对每次来料与上次来料颜色、形状有差别的都必须留样品,以便下次对照,方便生产及检查。检查电容的电极有无破损的现象,来料中发现有误差、规格、耐压值与BOM单不一样的,一旦发现要马上联络客户。

B、自购贴片电容绝不可马虎,检查前询问清楚同型、客户,找到相应的BOM、样品认真对照料盘上的标识,是否与BOM单一致或与客户提供的来料一致,然后仔细观察形状(体积、厚薄度)、颜色是否与样品相符,对不能确定的反映给品管课长,及相关单位一起确认,并留样品。

C、不同客户的片容是不可以挪用的,在帮生产课确认片容时要特别小心,必 须询问调查清楚后才可以下结论。

D、对一块PCB板中同时出现两种容量一样,但误差不一样的要做针对性的记录,留样品,以便跟踪。

E、记录贴片电容的品牌,了解其性能好坏。

F、钽质贴片电容,检查时应注意有丝印一边为正极,常见的钽质电容规格有四种:

A、B、C、D型,A型体积最小;B型体积最大,检料时如不清楚,最好找PCB板试装,检查钽质电容应注意有无破损现象,或一块PCBA中有两种相同容量的钽质电容,钽质电容是有什么特别的要求,例:RS0404A-UK

控制板100UF/16V  LOW  ESR是低阻抗的意思,应该用黄色的,庆德钽质电容曾来错为普通电容和型号来错现象。 G、料盘上的代表符号:

CC41、1805、CG、102、K、500、T、N

类型      规格    材质    容量    误差   耐压值  包装   端头材料 H、贴片电容的材质分为:NPO(好)、X7R(一般)、Y5V(差)。

(三)电感

开关电源,元器件

1、外观:表面无脏污、破损,电感量标识完整、清晰、型号规格正确,引线脚无氧化、弯曲、变形。

(目测法)

2、结构尺寸:电感主体尺寸、引线脚尺寸应符合装配或样品要求。

(试装或用游标卡尺测量。)

3、插件电感引脚抗折性:经抗折后,引线脚无松动、脱落。

(从引线脚根部折引线脚900,来回共折五次。)

4、电气性能:电感量、阻抗、品质因素符合产品规格书要求。

(用LCR测试仪测量)

5、可焊性:经可焊性试验后,引线脚浸锡部分上锡面应在98%以上。

(将电感器引线脚在锡炉中浸锡3-5S后取出(锡炉温度在245±5℃))

(四)二极管

一、外观检验

1  主体是否破损、破裂、变形.

2 引脚是否氧化、生鏽、脱落.

3 印刷是否模糊不清、脱落.

4 正负标识是否错误.

二、功能检测

普通二极管的功能检测

1普通二极管正向压降的检测

将被测二极管串入电路中,调整可调稳压源电压,使电流表所显示的电流值达到规格要求,此时电压表所显示的电压即为该二极管的正向压降,或用数字万用表正向电压检测电路二极管档位直接测试,所显示的值应在要求范围内.

如IN4148    锗管

正向压降一般为0.1~0.3V

硅管

正向压降一般为0.5~0.7V

普通二极管反向电流的检测

将被测二极管串入电路中,调整可调稳压源电压使电压表所显示的电压值达到规格要求,此时电流表所显示的电流值即为该二极管的反向电流.

稳压二极管的功能检测

稳压二极管稳压电压的检测.

将被测二极管串入线路中,调整可调稳压电源电压,使电流表所显示的电流达到规格要求,此时电压表所显示的电压即为该二极极管的稳压电压.

稳压二极管反向电流的检测(同普通二极管反向电流的检测)

三、焊锡试验

用30W的烙铁对其引脚做吃锡试验,3秒钟内应能吃锡良好。

(五)三极管

开关电源,元器件

检验项目及技术要求

1 外观:表面无破损,规格、型号标识清楚,无混料,引脚无氧化现象。

(目测法)

2 结构尺寸:各结构尺寸应符合装配或样品要求。

(试装或用游标卡尺测量。)

3 插件三极管引线脚抗折性:经抗折后,引脚无松动断裂现象。

(从引线脚根部折引线脚900,来回共折五次。)

4 电气性能:测试Vbes参数、Vces参数、BVceo参数、hFE参数

5 可焊性:经焊接后,上锡面要求大于98%

(将电感器引线脚在锡炉中浸锡3-5S后取出(锡炉温度在245±5℃))

(六)MOS管

结构

1.依据样板对MOS管的结构尺寸及规格进行核对,不能有影响装配的尺寸偏差或规格不符要求;

2.引脚与管本体连接可靠,不能有松动及脱落,将引脚焊接处折弯5次以上时不能有松动或脱落;

3.MOS管的PIN脚符合产品设计要求类型;

4.试装:将MOS管与相应PCB板试装时,不能有插不到位。

性能

1.将MOS管引脚浸入235℃的锡炉内加锡2-3s,焊锡能完全包裹住引脚,不能有引脚不上锡或上锡低于80﹪;

2.上机测试:将MOS管装在测试灯板上,通电点亮灯具,灯具功率符合设计要求,灯具温度不会骤然升高,不会在80V以上出现闪烁,在室温下冷却后,不能有炸裂等现象。

3. MOS管测量:

电性能(Vbes/Vces/BVceo/HEF)参数必须符合对应规格书或承认书要求

MOS管:Vgs(V),Rds(on),Id(mA),Vdss参数必须符合对应承认书的要求。

4. 三极管的放大倍数应符合规格书或承认书的要求

外观

1.MOS管表面光洁,不能有散热铝片裂开、引脚脱离或变形;

2.MOS管不能有脏污;

3.MOS管上的相应规格参数等印字与确认样板一致,不能有错漏;

4.MOS管引脚光洁,不能有氧化发黑。

包装

1.MOS管分量用管装或者盘装装好入纸箱,确保搬运及存放时不会受压

断脚;

2.纸箱标识正确,清晰。

(七)电源IC

包装

1:包装无标示,外标示与实物不一致

2:包装箱破损及严重脏圬,包装不良

3:不同型号规格混装

外观检验

1:IC 表面清洁,无脏污

2:IC丝印字体清晰,无模糊

3:IC引脚光亮,表面无氧化现象

4:IC本体无破损或断脚现象

5:IC引脚无弯曲或变形等现象

6:IC丝印字体,封装形式是否符合规格书要求

7:IC引脚无短路,引脚长短一致

尺寸规格

1:IC主体长,宽,高符合规格书要求

2:IC引脚长,宽,高和间距符合规格书要求

可焊性

1:IC引脚经上锡后表面应光亮

1:IC引脚经上锡后表面应光亮

性能

装机测试老化

(八)变压器

开关电源,元器件

重点针对反激

1. 初级电感量是否符合要求

2. 初级对次级匝比,初级对反馈的匝比

3. 初次级之间的电容,初级反馈的电容,次级反馈间的电容  电容越小越好,一般只有几十个P

4. 耦合程度:  初级次级耦合系数,初级反馈之间的耦合系数   测试仪的数值越大越好

5. 相位

6.  耐压,初级次级耐压,初级反馈耐压,所有线圈对磁性耐压

7. 漏感

8.外观

9. 可焊性

10. 变压器标签

11. 磁芯和骨架是否符合要求,特别是对骨架有高度要求的。

以上测试需要使用变压器综合测试仪,耐压仪。

怎样测试耦合程度,耐压和初次级电容,评判的标准是什么。变压器综合测试仪,耦合读数越大越好,最大100%,我想变压器达不到这个数值,一般都在80%以上,90%以下

耐压:看各个厂家的标准,一般是初级次级3750VAC  1分钟  设定电流3mA,无击穿,无闪络,无过大异响

匝间电容:越小越好(针对反激变压器)

补充

对于多绕组的变压器,有时还需要考虑同边匝间微短问题,例如:

1.漆包线生産上的不良(針孔現象);

2.各种线圈類産品在生産加工过程中漆包线受到损伤的産品。

漆包线的厚度不一样,测试电压的设置也不同;

(九)安规电容

开关电源,元器件

外观

检验外观是否有破损、变形、氧化等不良.标识须清晰无误,整脚是否符合插件要求.(须安规机种有报备之厂

牌方可承认)(目检)


尺寸

依规格要求测量各部位尺寸,须符合实际装配要求。

电容量

置室温(25℃)环境1H后,以1KHz/0.3V测试其电容量是

否在规格范围内.

DF值

置室温(25℃)环境1H后,以1KHz/0.3V测试其DF值是否

在规格范围内.

吃锡性

将电容引脚浸入(245℃±5℃)锡炉3秒,引脚须有95%

以上吃锡.

耐压

依据规格书要求施加相应AC/DC电压,不可有耐压不良

现象.

绝缘电阻

在室温(25℃)环境,端子间加500V DC电压,测其绝缘

电阻值须符合规格要求.

拉弧测试

在室温(25℃)环境,端子间加电容耐压值

(Y1:4KV/Y2:2.2KV),设定灵敏度为6,须符合规格要

求.(只限Y电容)

端子负荷

按规格书要求在电容端子间施加相应拉力、扭力,不可

有端子断裂或本体破损现象。

寿命试验

厂商附检验报告

针对X2电容的一些详细补充

1.  电容的容量,一般有三档  +/-20%  +/- 10%   +/-5%

2.损耗

一般小于0.47uF的X2电容  在1KHz是损耗不能超过0.001  ,在10KHz小于0.002

一般0.47-1uF的X2电容  在1KHz是损耗不能超过0.002  ,在10KHz小于0.007

一般大于1uF的X2电容  在1KHz是损耗不能超过0.003

3.耐压

额度耐压有AC275V,AC310V,AC400V

耐受直流电压,1uF以下一般是2200V,测试电压上升速率有要求,不能超过1000V/us,iuF以上的耐压要低一些,一般只有1800V,测试时间1分钟外壳对电容器脚耐压一般是AC2120V,1分钟

4.外观  字迹清楚,引脚无氧化或锈迹   高档电容是铜脚,一般电容是铁脚或合金脚,封装材料内不能有杂质,尺寸核对

5.绝缘电阻   2个脚之间的绝缘电阻大于15000兆欧,脚对外壳大于30000兆欧  测试电压100V

6.机械冲击,机械振动,温度,阻燃特性,一般工厂不做检验或验证

7. 正常输入电压下,电容自身噪声在一般的说明书上都没有说明,但是不能代表X2电容不发声,尤其在规定的交流电压的高端。


83:场效应管的作用
ME85P0384:场效应管的参数
ME75N03L85:场效应管测量
ME75N0386:稳压电源电路图
ME70N03S87:稳压二极管参数
ME60N0488:电路图符号
ME60N03S89:稳压二极管型号
ME60N0390:稳压芯片
ME55N06A91:肖特基二极管
ME55N0692:锂电保护芯片
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