(AOS美国万代半导体公司代理商|泰德兰官网|MOS管电路工作原理电子元器件摘要:LED电流大小、芯片发热、功率管发热、电网电压超出电源负荷、LED驱动电源设计方案的五个要点与失效分析)
NCE40P05S | 1:稳压电路 晶体管 稳压管的型号 | |
NCE40P05Y | 2:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体 | |
NCE40P06S | ||
NCE60P04 | 了解以下什么是LED驱动电源设计的五个关键点如下: | |
NCE40P07S | 一、LED电流大小 | 5:mos晶体管的栅极 |
NCE60P04R | LED电流的大小直接影响着使用寿命,建议降额使用,因此尽量控制小点,特别是LED散热效果不好的话,LED一定要留足余量。 | 6:mos晶体管源极 |
NCE40P13S | 7:vdmos,mosfet | |
NCE60P06 | 二、芯片发热 | 8:MESFET工作原理 |
NCE55P04S | 这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。 | 9:双栅mosfet |
NCE60P12K | 10:功率mosfet | |
ME95N10T | 驱动芯片的*电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f,如果c、v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。 | |
ME95N03T | 12:mos场效应管参数 | |
ME80N75AT | 13:mos场效应管 用途 | |
ME80N75T | 三、功率管发热 | 14:mosfet |
ME80N08A | 功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决: | |
ME75N06T | ||
ME70N10T | 17:mos管 场效应管的基本知识 | |
ME70N06T | 1、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了。 | 18:mos管怎么用 |
ME60P06T | ||
ME60N04T | 2、剩下的就是频率和芯片驱动能力了,这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想想是不是频率选择的有点高。不过要注意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大,可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式),这样就需要增加一个负载电容了。 | |
AO4492 | 21:电子器件,MOS管 | |
AO4494 | ||
AO4496 | 四、工作频率降频 | |
AO4498 | 这个也是用户在调试过程中比较常见的现象,降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。对于前者,注意不要将负载电压设置的太高,虽然负载电压高,效率会高点。 | 24:热管的工作原理 |
AO4568 | 25:超结场效应管 | |
AO4576 | 26:mos管工作用途 | |
AO4752 | 对于后者,可以尝试以下几个方面: | |
AO4402 | 1、将最小电流设置的再小点。 | 28:高压晶体管 |
AO4453 | 2、布线干净点,特别是sense这个关键路径。 | 29:快恢复和超快恢复二极管 |
AO4335 | 3、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感。 | 30:晶体管得工作原理,mos器件 |
NCE40P40K | 4、加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的一致性不好,偏差有点大,不过对于照明来说应该够了。无论如何降频没有好处,只有坏处,所以一定要解决。 | 31:mos二极管,mos |
NCE60P04Y | 32:线性稳压器,MOS管电源 | |
NCE40P70K | 五、电感或者变压器的选择 | |
NCE55P05S | 相同的驱动电路,用a生产的电感没有问题,用b生产的电感电流就变小了。遇到这种情况,要看看电感电流波形。有的工程师没有注意到这个现象,直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流,这样做可能会严重影响LED的使用寿命。 | 34:续流二极管 |
NCE01P03S | 35:功率开关管 | |
NCE55P15 | 所以说,在设计前,合理的计算是必须的,如果理论计算的参数和调试参数差的有点远,要考虑是否降频和变压器是否饱和。变压器饱和时,L会变小,导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升,那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下,只能看着光衰了。 | |
NCE55P15K | 37:电容的作用 | |
NCE55P30 | 对于LED驱动电源失效分析如下: | |
NCE60P25K | 相对LED驱动电源光源来说,LED驱动电源的结构更复杂,需要权衡的地方会更多,使得LED驱动电源往往比LED光源先失效。据统计,整灯失效中超过80%的原因是电源出现了故障。导致LED驱动电源失效的原因很多,可归纳为以下几大类。 | 39:MOS管驱动 |
NCE55P30K | 40:电感的基本知识 | |
AO4403 | 1、电子元器件老化 | |
AO4405 | 包括电阻、电容、二极管、三极管、LED、连接器、IC等器件开路、短路、烧毁、漏电、功能失效、电参数不合格、非稳定失效等各种失效问题。 | 42:MOS管集成电路 |
AO4405E | 43:MOS管续流二极管 | |
AO4407 | 2、PCB质量问题 | |
AO4407A | 包括PCB、PCBA润湿不良、爆板、分层、CAF、开路、短路等等各种失效问题。 | 45:MOS管工作详解 |
AO4409 | ||
AO4411 | 3、LED电源散热不良 | |
AO4413 | 驱动电路由电子元件组成,少数元件对温度非常敏感。如电解电容,通行的电解电容寿命估算公式为“温度每降低10度,寿命增加一倍”,散热不良很可能导致其寿命大大缩短,提前失效,致使LED电压出现故障,灯具失效。尤其是对于内置式电源(放在整灯内的电源),发热量大的电源会增加整灯的导热、散热压力,LED的温度将升高,其光效和寿命将大大降低。所以在设计LED电源时,就应该重视其自身的散热问题。因此在开始设计灯具初期进行评估,电源的设计同步进行,就能解决以上问题。在设计中要综合考虑LED的散热和电源的散热,整体控制灯具的升温,这样才能设计出较好的灯具。 | 48:mos管应用电路 |
AO4419 | ||
AO4423 | ||
LBAT54BST5G | ||
LMSD103CT1G | 4、电源设计中的问题 | 52:mos管驱动芯片 |
LMSD103BT1G | (1)功率设计。虽然LED光效高,但是还有80%~85%的热能损耗,致使灯具内部有20~30K的温升,如果室温在25℃,灯具内部则有45~55℃,电源长时间在高温环境下工作,要保证寿命就必须加大功率裕量,一般留存1.5~2倍的裕量。 | 53:场效应管符号 |
LBAT40HT1G | 54:MOS管开关电路 | |
LMSD103AT1G | (2)元件选型。灯具内部温度在45~55℃时,电源内部温升还有20℃左右,则元件附件的温度要达到65~75℃。有些元件在高温时参数会漂移,甚至寿命会缩短,所以器件要选择能在较高温度下长时间使用的,还要特别注意电解电容和导线。 | 55:电子电路图网 |
LMBR0520LFT1G | ||
LMBR0520T1G | (3)电性能设计。开关电源针对LED的参数设计,主要是恒流参数,电流的大小决定LED的亮度,如果批量电流误差较大,则整批灯的亮度不均匀。而且温度的变化也能致使电源输出电流偏移。一般批量误差控制在±5%以内,才能保证灯的亮度一致,LED的正向压降有偏差,电源设计的恒流电压范围要包含LED的电压范围。多个LED串联使用时,最小压降乘以串联数量为下限电压,最大压降乘以串联数量为上限电压,电源的恒流电压范围要比这个范围稍宽些,一般上下限各留1~2V裕量。 | 57:场效应管 |
LRB551V-30T1G | 58:24v开关电源 | |
LMBR230ET1G | (4)PCB布板设计。LED灯具留给电源的尺寸较小(除非电源是外置的),所以在PCB设计上要求较高,要考虑的因素也较多。安全距离要留够,要求输入和输出隔离的电源,一次侧电路和二次侧电路要求耐压1500~2500VAC,在PCB上至少要留够3mm的距离。如果是金属外壳的灯具,则整个电源的布板还要考虑高压部分和外壳的安全距离。如果没有空间保证安全距离就要利用其他措施保证绝缘,比如在PCB上打孔、加绝缘纸、灌封绝缘胶等。另外布板还要考虑热量均衡,发热元件要均匀分布,不能集中放置,避免局部温度升高。电解电容远离热源,减缓老化,延长使用寿命。 | 59:24v开关电源电路图 |
LMBR240ET1G | 60:igbt驱动电路 | |
XC6119 | 61:igbt是什么 | |
XC6129 | 62:led电路 | |
XC6132 | 5、雷击损坏 | 63:led电路图 |
XC6133 | 雷击是一种常见的自然现象,特别是在雨季尤为常见。其所带来的危害和损失全球每年以千亿美元来计。雷击分为直接雷击和间接雷击,间接雷主要包括传导雷和感应雷。由于直接雷所带来的能量冲击非常大,破坏力极强,一般电源是无法承受的,故这里主要讨论的是间接雷型。 | 64:led路灯电源 |
XC6134 | 65:led驱动 | |
XD6121 | 雷击所形成的浪涌冲击是一种瞬态波,属于瞬变干扰,可以是浪涌电压,也可以是浪涌电流。沿着电源线或其他路径(传导雷)或通过电磁场(感应雷)而传送至电源线路。其波形特征是先快速上升然后慢慢下降。这种现象会对电源产生致命的影响,其产生的瞬间的浪涌冲击远远超出一般电子器件的电性应力,导致的直接结果是电子元件损坏。 | 66:集成电路芯片 |
XD6122 | 67:led驱动电路 | |
XD6123 | 68:led驱动电源 | |
XD6124 | 6、电网电压超出电源负荷 | 69:led驱动芯片 |
XD6130 | 当同一个变压器电网支路配线太长,支路中有大型动力设备时,在大型设备启停时,电网电压会剧烈波动,甚至导致电网不稳。当电网瞬时电压超过310 VAC时有可能损坏驱动器(即使有防雷装置也无效,因为防雷装置是应对几十微秒级别的脉冲尖峰,而电网波动可能达到几十毫秒,甚至几百毫秒)。因此,路灯照明支路电网上有大型电力机械时要特别注意,最好监测下电网波动幅度,或者由单独电网变压器供电。 | 70:led照明电路 |
AO4435 | 71:p沟道场效应管 | |
AO4447A | 72:场效应晶体管 | |
AO4449 | LED驱动电源简介 | 73:场效应管原理 |
AO4455 | 74:场效应管型号 | |
AO4459 | 75:场效应管开关电路 | |
AO4425 | 76:场效应管功率放大器 | |
AO4840E | AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代半导体公司 电子新闻_AOS万代官网_电子元器件_电子器件_电器元件_电子元件_电子商城_元器件交易网_ic采购_ic代理_电子电路图网_集成电路芯片 曾经半死不活的OLED笔记本电脑(NB)由三星显示器(Samsung Display)领衔,于2019年卷土重来,并于2019年CES首次亮相。 | 77:电路图分析 |
AO4800B | 78:场效应管功放电路 | |
AO4812 | 79:场效应管功放 | |
AO4818B | 80:场效应管工作原理 | |
ME50N75T | 81:场效应管工作电压 | |
ME50N10T | 82:场效应管符号 | |
ME50N10AT | 83:场效应管的作用 | |
ME50N06T | 84:场效应管的参数 | |
ME45N03T | 85:场效应管测量 | |
ME40P03T | 86:稳压电源电路图 | |
MEE3710T | 87:稳压二极管参数 | |
ME35N06T | 88:电路图符号 | |
ME3205T | 89:稳压二极管型号 | |
ME25N10T | 90:稳压芯片 | |
M6362A替换GR1837 | 91:肖特基二极管 | |
M6362A替换SP5673 | 92:锂电保护芯片 | |
M6362A替换OB2273 | 93:锂离子电池工作原理 | |
M6362A替换OB2263 | ||
M6362A替换OB2281 | ||
M6362A替换OB2362A | 96:电子元器件 | |
M6362替换OB2362A | 97:电子器件 | |
M5358替代ME8109 | 98:碳化硅二极管 | |
M5358替代OB2358 | 99:电器元件 | |
M5358替代CR6229 | 100:电路图符号大全 |