LED电流大小、芯片发热、功率管发热、电网电压超出电源负荷、LED驱动电源设计方案的五个要点与失效分析
2019-03-20 16:25:27
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(AOS美国万代半导体公司代理商|泰德兰官网|MOS管电路工作原理电子元器件摘要:LED电流大小、芯片发热、功率管发热、电网电压超出电源负荷、LED驱动电源设计方案的五个要点与失效分析)

NCE40P05S

1:稳压电路 晶体管    稳压管的型号

NCE40P05Y

2:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体

NCE40P06S

3:mos晶体管的工作原理

NCE60P04

了解以下什么是LED驱动电源设计的五个关键点如下:


4:电子元器件

NCE40P07S

一、LED电流大小

5:mos晶体管的栅极

NCE60P04R

LED电流的大小直接影响着使用寿命,建议降额使用,因此尽量控制小点,特别是LED散热效果不好的话,LED一定要留足余量。

6:mos晶体管源极

NCE40P13S

7:vdmos,mosfet

NCE60P06

二、芯片发热

8:MESFET工作原理

NCE55P04S

这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。

9:双栅mosfet

NCE60P12K

10:功率mosfet

ME95N10T

驱动芯片的*电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f,如果c、v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。

11:电子元件

ME95N03T

12:mos场效应管参数

ME80N75AT

13:mos场效应管    用途

ME80N75T

三、功率管发热

14:mosfet

ME80N08A

功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:

15:场效应管是什么

ME75N06T

16:mos管是什么

ME70N10T

17:mos管     场效应管的基本知识

ME70N06T

1、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了。

18:mos管怎么用

ME60P06T

19:大功率mos管驱动电路

ME60N04T

2、剩下的就是频率和芯片驱动能力了,这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想想是不是频率选择的有点高。不过要注意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大,可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式),这样就需要增加一个负载电容了。

20:MOS管选型表要求

AO4492

21:电子器件,MOS管

AO4494

22:元器件交易网

AO4496

四、工作频率降频

23:MOS管当开关管怎么用的

AO4498

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象,降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。对于前者,注意不要将负载电压设置的太高,虽然负载电压高,效率会高点。

24:热管的工作原理

AO4568

25:超结场效应管

AO4576

26:mos管工作用途

AO4752

对于后者,可以尝试以下几个方面:

27:AOS万代mos管

AO4402

1、将最小电流设置的再小点。

28:高压晶体管

AO4453

2、布线干净点,特别是sense这个关键路径。

29:快恢复和超快恢复二极管

AO4335

3、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感。

30:晶体管得工作原理,mos器件

NCE40P40K

4、加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的一致性不好,偏差有点大,不过对于照明来说应该够了。无论如何降频没有好处,只有坏处,所以一定要解决。

31:mos二极管,mos

NCE60P04Y

32:线性稳压器,MOS管电源

NCE40P70K

五、电感或者变压器的选择

33:ic采购

NCE55P05S

相同的驱动电路,用a生产的电感没有问题,用b生产的电感电流就变小了。遇到这种情况,要看看电感电流波形。有的工程师没有注意到这个现象,直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流,这样做可能会严重影响LED的使用寿命。

34:续流二极管

NCE01P03S

35:功率开关管

NCE55P15

所以说,在设计前,合理的计算是必须的,如果理论计算的参数和调试参数差的有点远,要考虑是否降频和变压器是否饱和。变压器饱和时,L会变小,导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升,那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下,只能看着光衰了。

36:MOS管设计电源

NCE55P15K

37:电容的作用

NCE55P30


对于LED驱动电源失效分析如下:


38:PWM控制电路

NCE60P25K

相对LED驱动电源光源来说,LED驱动电源的结构更复杂,需要权衡的地方会更多,使得LED驱动电源往往比LED光源先失效。据统计,整灯失效中超过80%的原因是电源出现了故障。导致LED驱动电源失效的原因很多,可归纳为以下几大类。

39:MOS管驱动

NCE55P30K

40:电感的基本知识

AO4403

1、电子元器件老化

41:MOS管开关条件

AO4405

包括电阻、电容、二极管、三极管、LED、连接器、IC等器件开路、短路、烧毁、漏电、功能失效、电参数不合格、非稳定失效等各种失效问题。

42:MOS管集成电路

AO4405E

43:MOS管续流二极管

AO4407

2、PCB质量问题

44:ic代理

AO4407A

包括PCB、PCBA润湿不良、爆板、分层、CAF、开路、短路等等各种失效问题。

45:MOS管工作详解

AO4409

46:P沟道mos管

AO4411

3、LED电源散热不良

47:mos管电源中作用

AO4413

驱动电路由电子元件组成,少数元件对温度非常敏感。如电解电容,通行的电解电容寿命估算公式为“温度每降低10度,寿命增加一倍”,散热不良很可能导致其寿命大大缩短,提前失效,致使LED电压出现故障,灯具失效。尤其是对于内置式电源(放在整灯内的电源),发热量大的电源会增加整灯的导热、散热压力,LED的温度将升高,其光效和寿命将大大降低。所以在设计LED电源时,就应该重视其自身的散热问题。因此在开始设计灯具初期进行评估,电源的设计同步进行,就能解决以上问题。在设计中要综合考虑LED的散热和电源的散热,整体控制灯具的升温,这样才能设计出较好的灯具。

48:mos管应用电路

AO4419

49:mos管封装

AO4423

50:mos管工作原理

LBAT54BST5G

51:mos管的三个极

LMSD103CT1G

4、电源设计中的问题

52:mos管驱动芯片

LMSD103BT1G

(1)功率设计。虽然LED光效高,但是还有80%~85%的热能损耗,致使灯具内部有20~30K的温升,如果室温在25℃,灯具内部则有45~55℃,电源长时间在高温环境下工作,要保证寿命就必须加大功率裕量,一般留存1.5~2倍的裕量。

53:场效应管符号

LBAT40HT1G

54:MOS管开关电路

LMSD103AT1G

(2)元件选型。灯具内部温度在45~55℃时,电源内部温升还有20℃左右,则元件附件的温度要达到65~75℃。有些元件在高温时参数会漂移,甚至寿命会缩短,所以器件要选择能在较高温度下长时间使用的,还要特别注意电解电容和导线。

55:电子电路图网

LMBR0520LFT1G

56:快恢复二极管

LMBR0520T1G

(3)电性能设计。开关电源针对LED的参数设计,主要是恒流参数,电流的大小决定LED的亮度,如果批量电流误差较大,则整批灯的亮度不均匀。而且温度的变化也能致使电源输出电流偏移。一般批量误差控制在±5%以内,才能保证灯的亮度一致,LED的正向压降有偏差,电源设计的恒流电压范围要包含LED的电压范围。多个LED串联使用时,最小压降乘以串联数量为下限电压,最大压降乘以串联数量为上限电压,电源的恒流电压范围要比这个范围稍宽些,一般上下限各留1~2V裕量。

57:场效应管

LRB551V-30T1G

58:24v开关电源

LMBR230ET1G

(4)PCB布板设计。LED灯具留给电源的尺寸较小(除非电源是外置的),所以在PCB设计上要求较高,要考虑的因素也较多。安全距离要留够,要求输入和输出隔离的电源,一次侧电路和二次侧电路要求耐压1500~2500VAC,在PCB上至少要留够3mm的距离。如果是金属外壳的灯具,则整个电源的布板还要考虑高压部分和外壳的安全距离。如果没有空间保证安全距离就要利用其他措施保证绝缘,比如在PCB上打孔、加绝缘纸、灌封绝缘胶等。另外布板还要考虑热量均衡,发热元件要均匀分布,不能集中放置,避免局部温度升高。电解电容远离热源,减缓老化,延长使用寿命。

59:24v开关电源电路图

LMBR240ET1G

60:igbt驱动电路

XC6119

61:igbt是什么

XC6129

62:led电路

XC6132

5、雷击损坏

63:led电路图

XC6133

雷击是一种常见的自然现象,特别是在雨季尤为常见。其所带来的危害和损失全球每年以千亿美元来计。雷击分为直接雷击和间接雷击,间接雷主要包括传导雷和感应雷。由于直接雷所带来的能量冲击非常大,破坏力极强,一般电源是无法承受的,故这里主要讨论的是间接雷型。

64:led路灯电源

XC6134

65:led驱动

XD6121

雷击所形成的浪涌冲击是一种瞬态波,属于瞬变干扰,可以是浪涌电压,也可以是浪涌电流。沿着电源线或其他路径(传导雷)或通过电磁场(感应雷)而传送至电源线路。其波形特征是先快速上升然后慢慢下降。这种现象会对电源产生致命的影响,其产生的瞬间的浪涌冲击远远超出一般电子器件的电性应力,导致的直接结果是电子元件损坏。

66:集成电路芯片

XD6122

67:led驱动电路

XD6123

68:led驱动电源

XD6124

6、电网电压超出电源负荷

69:led驱动芯片

XD6130

当同一个变压器电网支路配线太长,支路中有大型动力设备时,在大型设备启停时,电网电压会剧烈波动,甚至导致电网不稳。当电网瞬时电压超过310 VAC时有可能损坏驱动器(即使有防雷装置也无效,因为防雷装置是应对几十微秒级别的脉冲尖峰,而电网波动可能达到几十毫秒,甚至几百毫秒)。因此,路灯照明支路电网上有大型电力机械时要特别注意,最好监测下电网波动幅度,或者由单独电网变压器供电。

70:led照明电路

AO4435

71:p沟道场效应管

AO4447A

72:场效应晶体管

AO4449

LED驱动电源简介

LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电源转换器,通常情况下:LED驱动电源的输入包括高压工频交流(即市电)、低压直流、高压直流、低压高频交流(如电子变压器的输出)等。

而LED驱动电源的输出则大多数为可随LED正向压降值变化而改变电压的恒定电流源。


73:场效应管原理

AO4455

74:场效应管型号

AO4459

75:场效应管开关电路

AO4425

76:场效应管功率放大器

AO4840E


AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代半导体公司


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曾经半死不活的OLED笔记本电脑(NB)由三星显示器(Samsung Display)领衔,于2019年卷土重来,并于2019年CES首次亮相。

然而,在最近的供应链中,由于面板与系统端的配置问题,OLED NB需要时间来改进,这使得再次进入OLED NB市场的三星显示器尝到了失败的苦果。

2017年,三星显示器向惠普(HP)等企业提供了2K(2560*1440)分辨率的OLED NB面板,但由于OLED NB的价格远高于LCD NB,销售并不乐观,在2018年的CES展会上,OLED NB产品并未出现。

然而,近年来,由于OLED面板的大幅降价,OLED面板与LCD NB面板之间的价格差距逐渐减小。目前,三星显示器的15.6英寸OLED NB面板与相同分辨率的LCD面板的价格差距约为50-60美元。预计这种价格差异将使高端笔记本电脑具有竞争力。因此,三星显示器正积极与惠普、戴尔、联想等品牌竞争。商人谈判货物的供应。

三星显示器研制的新型OLED NB面板具有分辨率高、蓝光低、视角宽、厚度薄等特点。它也出现在2019年的CES上。预计惠普、戴尔和联想笔记本电脑品牌将于2019年推出新的OLED NB产品。

最近,笔记本电脑品牌正在导入和验证15.6英寸4K OLED NB面板,而供应链即将推出。由于笔记本电脑体积大,在组装过程中屏幕会发生变形。

此外,在面板与系统端部的元件匹配中也存在一些问题,导致画面异常。然而,三星显示器的OLED面板本身并没有明显的质量问题。在这种情况下,供应链运营商需要协调解决这些改进,这可能会延迟一些品牌运营商销售OLED NB终端产品的时间。

OLEDNB这次又卷土重来了,不利于从头开始。虽然这使得OLED NB的三星级显示面板陷入困境,但后续的销售势头必须仔细观察,因为这种OLED NB不仅使价格差距更近,而且由于近年来中国大陆面板厂OLED产能的大规模扩张,需要新的应用。降级,使面板工厂正在进行中。积极乐观。

除了三星显示器,大陆面板厂和惠光也加入了OLED NB阵营,最近生产了15.6英寸4K OLED面板样品,并将样品发送给了惠普、戴尔等品牌。

智能手机市场饱和,大量OLED面板容量需要寻找新的出口应用,此次推出的三星显示器和惠光OLED NB面板定位在高水平4K产品上,三星显示器的出口更关注这一OLED NB的重新启动,行业已经走出去,SAMSUNG显示器计划在2019年出货100万件,但能否达到目标。这取决于销售情况。

事实上,OLED面板技术在高分辨率、功耗、对比度、响应时间和重量方面表现良好。它可以提高笔记本电脑的性能,并有望在竞争激烈的市场中更具竞争力。三星显示器(SamsungDisplay)是一款15.6英寸4K、60HzOLEDNB面板,主要希望抢占高水平的竞争市场。

然而,目前的笔记本电脑主要是高清和fhd。这次,三星显示器和合辉都锁定在4K产品中。然而,4K笔记本电脑面板的市场份额很低。据群智咨询,2019年4K在笔记本电脑市场的市场份额仅为2.1%左右。在这种情况下,预计2019年笔记本电脑应用的OLED面板市场规模仍然非常有限,供应链上下游供应商仍需时间进行调整。


至于未来4K笔记本电脑市场的商业战,LTPS和OLED面板技术有望成为一场战斗,但在价格和性能方面,仍有待观察哪些技术品牌或消费者更喜欢。

77:电路图分析

AO4800B

78:场效应管功放电路

AO4812

79:场效应管功放

AO4818B

80:场效应管工作原理

ME50N75T

81:场效应管工作电压

ME50N10T

82:场效应管符号

ME50N10AT

83:场效应管的作用

ME50N06T

84:场效应管的参数

ME45N03T

85:场效应管测量

ME40P03T

86:稳压电源电路图

MEE3710T

87:稳压二极管参数

ME35N06T

88:电路图符号

ME3205T

89:稳压二极管型号

ME25N10T

90:稳压芯片

M6362A替换GR1837

91:肖特基二极管

M6362A替换SP5673

92:锂电保护芯片

M6362A替换OB2273

93:锂离子电池工作原理

M6362A替换OB2263

94:电子新闻

M6362A替换OB2281

95:AOS万代官网

M6362A替换OB2362A

96:电子元器件

M6362替换OB2362A

97:电子器件

M5358替代ME8109

98:碳化硅二极管

M5358替代OB2358

99:电器元件

M5358替代CR6229

100:电路图符号大全

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