NCE40P05S

1：稳压电路 晶体管    稳压管的型号

NCE40P05Y

2：绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体

NCE40P06S

3：mos晶体管的工作原理

NCE60P04

了解以下什么是LED驱动电源设计的五个关键点如下：

4：电子元器件

NCE40P07S

一、LED电流大小

5：mos晶体管的栅极

NCE60P04R

LED电流的大小直接影响着使用寿命，建议降额使用，因此尽量控制小点，特别是LED散热效果不好的话，LED一定要留足余量。

6：mos晶体管源极

NCE40P13S

7：vdmos，mosfet

NCE60P06

二、芯片发热

8：MESFET工作原理

NCE55P04S

这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。

9：双栅mosfet

NCE60P12K

10：功率mosfet

ME95N10T

驱动芯片的*电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f，如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。

11：电子元件

ME95N03T

12：mos场效应管参数

ME80N75AT

13：mos场效应管    用途

ME80N75T

三、功率管发热

14：mosfet

ME80N08A

功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：

15：场效应管是什么

ME75N06T

16：mos管是什么

ME70N10T

17：mos管     场效应管的基本知识

ME70N06T

1、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。

18：mos管怎么用

ME60P06T

19：大功率mos管驱动电路

ME60N04T

2、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。不过要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大，可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式)，这样就需要增加一个负载电容了。

20：MOS管选型表要求

AO4492

21：电子器件，MOS管

AO4494

22：元器件交易网

AO4496

四、工作频率降频

23：MOS管当开关管怎么用的

AO4498

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。对于前者，注意不要将负载电压设置的太高，虽然负载电压高，效率会高点。

24：热管的工作原理

AO4568

25：超结场效应管

AO4576

26：mos管工作用途

AO4752

对于后者，可以尝试以下几个方面：

27：AOS万代mos管

AO4402

1、将最小电流设置的再小点。

28：高压晶体管

AO4453

2、布线干净点，特别是sense这个关键路径。

29：快恢复和超快恢复二极管

AO4335

3、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感。

30：晶体管得工作原理，mos器件

NCE40P40K

4、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，不过对于照明来说应该够了。无论如何降频没有好处，只有坏处，所以一定要解决。

31：mos二极管，mos

NCE60P04Y

32：线性稳压器，MOS管电源

NCE40P70K

五、电感或者变压器的选择

33：ic采购

NCE55P05S

相同的驱动电路，用a生产的电感没有问题，用b生产的电感电流就变小了。遇到这种情况，要看看电感电流波形。有的工程师没有注意到这个现象，直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流，这样做可能会严重影响LED的使用寿命。

34：续流二极管

NCE01P03S

35：功率开关管

NCE55P15

所以说，在设计前，合理的计算是必须的，如果理论计算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是否降频和变压器是否饱和。变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下，只能看着光衰了。

36：MOS管设计电源

NCE55P15K

37：电容的作用

NCE55P30

对于LED驱动电源失效分析如下：

38：PWM控制电路

NCE60P25K

相对LED驱动电源光源来说，LED驱动电源的结构更复杂，需要权衡的地方会更多，使得LED驱动电源往往比LED光源先失效。据统计，整灯失效中超过80%的原因是电源出现了故障。导致LED驱动电源失效的原因很多，可归纳为以下几大类。

39：MOS管驱动

NCE55P30K

40：电感的基本知识

AO4403

1、电子元器件老化

41：MOS管开关条件

AO4405

包括电阻、电容、二极管、三极管、LED、连接器、IC等器件开路、短路、烧毁、漏电、功能失效、电参数不合格、非稳定失效等各种失效问题。

42：MOS管集成电路

AO4405E

43：MOS管续流二极管

AO4407

2、PCB质量问题

44：ic代理

AO4407A

包括PCB、PCBA润湿不良、爆板、分层、CAF、开路、短路等等各种失效问题。

45：MOS管工作详解

AO4409

46：P沟道mos管

AO4411

3、LED电源散热不良

47：mos管电源中作用

AO4413

驱动电路由电子元件组成，少数元件对温度非常敏感。如电解电容，通行的电解电容寿命估算公式为“温度每降低10度，寿命增加一倍”，散热不良很可能导致其寿命大大缩短，提前失效，致使LED电压出现故障，灯具失效。尤其是对于内置式电源（放在整灯内的电源），发热量大的电源会增加整灯的导热、散热压力，LED的温度将升高，其光效和寿命将大大降低。所以在设计LED电源时，就应该重视其自身的散热问题。因此在开始设计灯具初期进行评估，电源的设计同步进行，就能解决以上问题。在设计中要综合考虑LED的散热和电源的散热，整体控制灯具的升温，这样才能设计出较好的灯具。

48：mos管应用电路

AO4419

49：mos管封装

AO4423

50：mos管工作原理

LBAT54BST5G

51：mos管的三个极

LMSD103CT1G

4、电源设计中的问题

52：mos管驱动芯片

LMSD103BT1G

（1）功率设计。虽然LED光效高，但是还有80%～85%的热能损耗，致使灯具内部有20～30K的温升，如果室温在25℃，灯具内部则有45～55℃，电源长时间在高温环境下工作，要保证寿命就必须加大功率裕量，一般留存1.5～2倍的裕量。

53：场效应管符号

LBAT40HT1G

54：MOS管开关电路

LMSD103AT1G

（2）元件选型。灯具内部温度在45～55℃时，电源内部温升还有20℃左右，则元件附件的温度要达到65～75℃。有些元件在高温时参数会漂移，甚至寿命会缩短，所以器件要选择能在较高温度下长时间使用的，还要特别注意电解电容和导线。

55：电子电路图网

LMBR0520LFT1G

56：快恢复二极管

LMBR0520T1G

（3）电性能设计。开关电源针对LED的参数设计，主要是恒流参数，电流的大小决定LED的亮度，如果批量电流误差较大，则整批灯的亮度不均匀。而且温度的变化也能致使电源输出电流偏移。一般批量误差控制在±5%以内，才能保证灯的亮度一致，LED的正向压降有偏差，电源设计的恒流电压范围要包含LED的电压范围。多个LED串联使用时，最小压降乘以串联数量为下限电压，最大压降乘以串联数量为上限电压，电源的恒流电压范围要比这个范围稍宽些，一般上下限各留1～2V裕量。

57：场效应管

LRB551V-30T1G

58：24v开关电源

LMBR230ET1G

（4）PCB布板设计。LED灯具留给电源的尺寸较小(除非电源是外置的)，所以在PCB设计上要求较高，要考虑的因素也较多。安全距离要留够，要求输入和输出隔离的电源，一次侧电路和二次侧电路要求耐压1500～2500VAC，在PCB上至少要留够3mm的距离。如果是金属外壳的灯具，则整个电源的布板还要考虑高压部分和外壳的安全距离。如果没有空间保证安全距离就要利用其他措施保证绝缘，比如在PCB上打孔、加绝缘纸、灌封绝缘胶等。另外布板还要考虑热量均衡，发热元件要均匀分布，不能集中放置，避免局部温度升高。电解电容远离热源，减缓老化，延长使用寿命。

59：24v开关电源电路图

LMBR240ET1G

60：igbt驱动电路

XC6119

61：igbt是什么

XC6129

62：led电路

XC6132

5、雷击损坏

63：led电路图

XC6133

雷击是一种常见的自然现象，特别是在雨季尤为常见。其所带来的危害和损失全球每年以千亿美元来计。雷击分为直接雷击和间接雷击，间接雷主要包括传导雷和感应雷。由于直接雷所带来的能量冲击非常大，破坏力极强，一般电源是无法承受的，故这里主要讨论的是间接雷型。

64：led路灯电源

XC6134

65：led驱动

XD6121

雷击所形成的浪涌冲击是一种瞬态波，属于瞬变干扰，可以是浪涌电压，也可以是浪涌电流。沿着电源线或其他路径（传导雷）或通过电磁场（感应雷）而传送至电源线路。其波形特征是先快速上升然后慢慢下降。这种现象会对电源产生致命的影响，其产生的瞬间的浪涌冲击远远超出一般电子器件的电性应力，导致的直接结果是电子元件损坏。

66：集成电路芯片

XD6122

67：led驱动电路

XD6123

68：led驱动电源

XD6124

6、电网电压超出电源负荷

69：led驱动芯片

XD6130

当同一个变压器电网支路配线太长，支路中有大型动力设备时，在大型设备启停时，电网电压会剧烈波动，甚至导致电网不稳。当电网瞬时电压超过310 VAC时有可能损坏驱动器（即使有防雷装置也无效，因为防雷装置是应对几十微秒级别的脉冲尖峰，而电网波动可能达到几十毫秒，甚至几百毫秒）。因此，路灯照明支路电网上有大型电力机械时要特别注意，最好监测下电网波动幅度，或者由单独电网变压器供电。

70：led照明电路

AO4435

71：p沟道场效应管

AO4447A

72：场效应晶体管

AO4449

LED驱动电源简介

LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电源转换器，通常情况下：LED驱动电源的输入包括高压工频交流（即市电）、低压直流、高压直流、低压高频交流（如电子变压器的输出）等。

而LED驱动电源的输出则大多数为可随LED正向压降值变化而改变电压的恒定电流源。

73：场效应管原理

AO4455

74：场效应管型号

AO4459

75：场效应管开关电路

AO4425

76：场效应管功率放大器

AO4840E

AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代半导体公司

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曾经半死不活的OLED笔记本电脑（NB）由三星显示器（Samsung Display）领衔，于2019年卷土重来，并于2019年CES首次亮相。

然而，在最近的供应链中，由于面板与系统端的配置问题，OLED NB需要时间来改进，这使得再次进入OLED NB市场的三星显示器尝到了失败的苦果。

2017年，三星显示器向惠普（HP）等企业提供了2K（2560*1440）分辨率的OLED NB面板，但由于OLED NB的价格远高于LCD NB，销售并不乐观，在2018年的CES展会上，OLED NB产品并未出现。

然而，近年来，由于OLED面板的大幅降价，OLED面板与LCD NB面板之间的价格差距逐渐减小。目前，三星显示器的15.6英寸OLED NB面板与相同分辨率的LCD面板的价格差距约为50-60美元。预计这种价格差异将使高端笔记本电脑具有竞争力。因此，三星显示器正积极与惠普、戴尔、联想等品牌竞争。商人谈判货物的供应。

三星显示器研制的新型OLED NB面板具有分辨率高、蓝光低、视角宽、厚度薄等特点。它也出现在2019年的CES上。预计惠普、戴尔和联想笔记本电脑品牌将于2019年推出新的OLED NB产品。

最近，笔记本电脑品牌正在导入和验证15.6英寸4K OLED NB面板，而供应链即将推出。由于笔记本电脑体积大，在组装过程中屏幕会发生变形。

此外，在面板与系统端部的元件匹配中也存在一些问题，导致画面异常。然而，三星显示器的OLED面板本身并没有明显的质量问题。在这种情况下，供应链运营商需要协调解决这些改进，这可能会延迟一些品牌运营商销售OLED NB终端产品的时间。

OLEDNB这次又卷土重来了，不利于从头开始。虽然这使得OLED NB的三星级显示面板陷入困境，但后续的销售势头必须仔细观察，因为这种OLED NB不仅使价格差距更近，而且由于近年来中国大陆面板厂OLED产能的大规模扩张，需要新的应用。降级，使面板工厂正在进行中。积极乐观。

除了三星显示器，大陆面板厂和惠光也加入了OLED NB阵营，最近生产了15.6英寸4K OLED面板样品，并将样品发送给了惠普、戴尔等品牌。

智能手机市场饱和，大量OLED面板容量需要寻找新的出口应用，此次推出的三星显示器和惠光OLED NB面板定位在高水平4K产品上，三星显示器的出口更关注这一OLED NB的重新启动，行业已经走出去，SAMSUNG显示器计划在2019年出货100万件，但能否达到目标。这取决于销售情况。

事实上，OLED面板技术在高分辨率、功耗、对比度、响应时间和重量方面表现良好。它可以提高笔记本电脑的性能，并有望在竞争激烈的市场中更具竞争力。三星显示器（SamsungDisplay）是一款15.6英寸4K、60HzOLEDNB面板，主要希望抢占高水平的竞争市场。

然而，目前的笔记本电脑主要是高清和fhd。这次，三星显示器和合辉都锁定在4K产品中。然而，4K笔记本电脑面板的市场份额很低。据群智咨询，2019年4K在笔记本电脑市场的市场份额仅为2.1%左右。在这种情况下，预计2019年笔记本电脑应用的OLED面板市场规模仍然非常有限，供应链上下游供应商仍需时间进行调整。


至于未来4K笔记本电脑市场的商业战，LTPS和OLED面板技术有望成为一场战斗，但在价格和性能方面，仍有待观察哪些技术品牌或消费者更喜欢。

77：电路图分析

AO4800B

78：场效应管功放电路

AO4812

79：场效应管功放

AO4818B

80：场效应管工作原理

ME50N75T

81：场效应管工作电压

ME50N10T

82：场效应管符号

ME50N10AT

83：场效应管的作用

ME50N06T

84：场效应管的参数

ME45N03T

85：场效应管测量

ME40P03T

86：稳压电源电路图

MEE3710T

87：稳压二极管参数

ME35N06T

88：电路图符号

ME3205T

89：稳压二极管型号

ME25N10T

90：稳压芯片

M6362A替换GR1837

91：肖特基二极管

M6362A替换SP5673

92：锂电保护芯片

M6362A替换OB2273

93：锂离子电池工作原理

M6362A替换OB2263

94：电子新闻

M6362A替换OB2281

95：AOS万代官网

M6362A替换OB2362A

96：电子元器件

M6362替换OB2362A

97：电子器件

M5358替代ME8109

98：碳化硅二极管

M5358替代OB2358

99：电器元件

M5358替代CR6229

100：电路图符号大全