LED驱动芯片 LED电源mos管驱动IC 恒流/隔离/非隔离/LED的串并联与PFC功率/工作电压是多少V+什么尺寸?
2019-04-18 10:45:51
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(AOS美国万代半导体公司代理商|泰德兰官网|MOS管电路工作原理电子元器件新闻摘要:LED驱动芯片 LED电源mos管驱动IC 恒流/隔离/非隔离/LED的串并联与PFC功率/工作电压是多少V+什么尺寸?)

ME4946

1:稳压电路 晶体管  稳压管的型号
ME49422:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体
ME4938D3:mos晶体管的工作原理
ME49364:电子元器件
ME4925一、LED电源mos管驱动IC LED日光灯电源尺寸:5:mos晶体管的栅极    AOS公司
SODF103-SH高度是限制的主要要素,普通用于T6管/T8的尺寸请求高度不能太高≤9毫米。T10管的高度≤15毫米。长度能够偏长,更易于散热。6:mos晶体管源极      AOS半导体
SODF104-SH7:vdmos,mosfet      AOSMOS管
SODF105-SH

8:MESFET工作原理     AOS模拟开关
SODF106-SH9:双栅mosfet        AOSTVS二极管
SODF107-SH10:功率mosfet       AOSIGBT模块
SODHE101-SH二、LED电源mos管驱动IC LED日光灯电源:11:电子元件
SODHE102-SH电源内部一切电子零件的寿命都会随温度的上升而缩短。所以说效率是决议电源寿命最基本的因子,效率不能太低,否则耗费在电源上的热量太大。普通在80%以上就能够了,不过,效率与灯板的匹配接法有关。12:mos场效应管参数   AOS公司
SODHE103-SH13:mos场效应管用途   AOS半导体
SODHE104-SH效率输出功率(输出LED的电压*输出电流/输入功率)。这个参数尤为重要,假如效率低就意味着输入功率有很大一局部转化为热量分发出来;假如是装在灯管内就会产生一个很高的温度,再加上我们LED的一个光效比所分发热量,就会叠加产生更高的温度。14:mosfet      AOS代理商
SODHE105-SH15:场效应管是什么
M5358替换OB2358三、LED电源mos管驱动IC  隔离/非隔离:16:mos管是什么
M6362A隔离的性价比不高,普通是非隔离的占主流较多,体积能够做得更小,最小能够做到高8毫米,实践上,非隔离的平安措施做好了,是不存在问题的。17:mos管  场效应管的基本知识
M610318:mos管怎么用    AOSMOS管
M6101普通隔离电源如做成15W,放在LED灯管内,其变压器体积很大,很难放进去。特别对T6/T8灯管,简直不可能的,所以隔离的普通只能做到15W,超越15W的很少,并且价钱很贵。19:大功率mos管驱动电路
M557620:MOS管选型表要求
AOB1404L四、LED电源mos管驱动IC  LED日光灯电源:21:电子器件,MOS管  AOS公司
AOB4184恒流精度几才最适宜?市场上有的电源的恒流精度太差,像市面上盛行的PT4107/HV9910/BP2808/SMD802计划等恒流的计划,误差到达±8%或±10%,恒流误差太大。普通请求在±3%就能够了。按3%的误差,6路并联,每路的误差约±0.5%,假如是12路并联,每路的误差约±0.25%,该精度足够了。精度太高,本钱会大大增加。而且对LED来讲,17毫安培和17.5毫安培影响不大。22:元器件交易网
AOB409L23:MOS管当开关管怎么用的
AOB411L24:热管的工作原理
AOK29S50五、LED电源mos管驱动IC  LED的串并联与PFC功率:25:超结场效应管    AOS半导体
AOTF29S50要素及宽电压的关系是什么样的?目前市场上的电源PFC有三种状况:26:mos管工作用途    AOSMOS管
AOW29S50一种是不带PFC专用电路的,其PFC普通在0.65左右;27:AOS万代mos管
AOB11S60L一种是带被动式PFC电路的,灯板匹备得好,PFC普通在0.92左右;28:高压晶体管     AOS万代
AOB15S60还用一种是用有源主动式7527/6561电路做的,PFC能够到达0.99,但这个计划的本钱比第二种计划贵一倍。29:快恢复和超快恢复二极管
AOB27S60L所以第二种计划的较多。关于被动式PFC电路:也叫做填谷式PFC电路,其工作电压范围是交流输入电压峰值的一半。30:晶体管得工作原理,mos器件
NCE0106R如输入是180V,其峰值是180*1.414=254V,峰值电压的一半是127V,再减去降压式的压差30V,其最大输出是90V,所以LED灯珠串联数最多28串。31:mos二极管,mos    AOS美国万代
NCE0107AK因而,要想得到比拟大的功率要素,灯珠的串联数不能太多,否则,就达不到低电压的请求。32:线性稳压器,MOS管电源
NCE0110AK六、LED电源mos管驱动IC  LED灯板的串并联与宽电压要多宽呢?33:ic采购
NCE0108AS一种宽电压计划,就是先用L6561/7527把电压抬高到400V,然后再降压,相当于两个开关电源,本钱贵一倍,此计划性价比不高,没有市场。34:续流二极管
NCE0110K并联数不要太多,否则工作电流太大,发热严重,引荐为6并/8并/12并。总电流不超越240毫安培为好。35:功率开关管    AOS功率IC
NCE0110AS目前的电源普通为非隔离的降压式电源,在请求宽电压时,输出电压不要超越72V,输入电压范围是能够抵达85~265V的。也就是说,串联数不超越23串。36:MOS管设计电源
NCE0115KLED日光灯工作在输入电压范围比拟宽的范围(全电压)AC85~265V,则灯板的LED串并联方式很重要。37:电容的作用     AOS美国万代
NCE0115AK七、LED电源mos管驱动IC  LED日光灯电源的工作电压是几呢?38:PWM控制电路
NCE0125AK普通LED的引荐工作电压是3.0-3.5V,经测试,大局部工作在3.125V,所以按3.125V计算式比拟合理的。M个灯珠串联的总电压=3.125*M。39:MOS管驱动      AOS美国万代
NCE0125K八、LED电源mos管驱动IC  LED日光灯电源的工作电流是几才是最适宜呢?40:电感的基本知识     AOS公司
XBP1013普通LED的额定工作电流20毫安培,有的工厂一开端就用到尽,设计20毫安培,实践上此电流下工作发热很严重,经屡次比照实验,设计成17~19毫安培是比拟理想的,引荐设计为18毫安培。41:MOS管开关条件
XBP15SRV05W42:MOS管集成电路    AOS半导体
XBP4SMAJ010C九、LED电源mos管驱动IC  LED日光灯电源要怎样才能够与灯板匹配?43:MOS管续流二极管     AOS万代
XBP4SMAJ013A一些客户先设计灯板,再找电源,发现很难有适宜的电源,要么电流太大,电压太小(如I>350mA,V<40V);要么电流太小,电压太高(如I<40mA,V>180V),形成的结果是发热严重,效率低,或者输入电压范围不够。其实,选择一个最优秀的串并接方式,加在每个LED上的电压电流是一样的,而电源的效果却能发挥最好的性能。最好的方式是先和电源厂商沟通,量身定做。44:ic代理
XBP4SMAJ015C45:MOS管工作详解      AOSMOS管
ME4920D十、LED电源mos管驱动IC  LED日光灯电源为什么一定要恒流的呢?46:P沟道mos管
ME4920LED半导体的特性决议其受环境影响较大,譬如温度升高,LED的电流会增加;电压的增加,LED的电流也会增加。长期超越额定电流工作,会大大缩短LED的运用寿命。而LED恒流就是在温度和电压等环境要素变化时,确保其工作电流不变。47:mos管电源中作用
ME485648:mos管应用电路      AOS公司
ME4825十一、LED电源mos管驱动IC  LED驱动电源的应用:49:mos管封装
ME4626LED日光灯电源LED日光灯电源是LED日光灯中十分重要的一个部件,要是选择不当,LED日光灯发挥不出他应有的性能,以至还有可能不能正常照明运用。50:mos管工作原理
SODHE106-SH51:mos管的三个极
SODHE107-SHLED日光灯照明市场比拟活泼,LED驱动电源厂家主要分红3大类型:第一类是开发做LED芯片或LED灯的工厂,顺势向下游浸透;第二类是原来做是做普通照明的工厂;第三类是完整新开的工厂,他们以前做电源或其他产品或新创业。52:mos管驱动芯片    AOS美国万代
SODHE108-SH53:场效应管符号    AOS代理商
SODSF11-SHLED电源mos管驱动IC分别用于射灯、橱柜灯、小夜灯、护眼灯、LED天花灯、灯杯、埋地灯、水底灯、洗墙灯、投光灯、路灯、招牌灯箱、串灯、筒灯、异形灯、星星灯、护拦灯、彩虹灯、幕墙灯、柔性灯、条灯、带灯、食人鱼灯、日光灯、高杆灯、桥梁灯、矿灯、手电筒、应急灯、台灯、灯饰、交通灯、节能灯、汽车尾灯、草坪灯、彩灯、水晶灯、 格栅灯、遂道灯等。54:MOS管开关电路   AOS公司
SODSF12-SH55:电子电路图网    AOS半导体
SODSF13-SH56:快恢复二极管
SODSF14-SH57:场效应管       AOSMOS管
SODSF15-SH十二、LED电源mos管驱动IC  LED根本分类:58:24v开关电源     AOS代理商
SODSF16-SH1:按输出性能分类:恒流、恒压与既恒流又恒压三种。59:24v开关电源电路图   AOS公司
SODSF17-SH2:按转换方式分类:AC-DC与DC-DC两种。60:igbt驱动电路     AOS半导体
AOB42S60L3:按电路拓扑分类:RCC、Flyback、Forward、Half-Bridge、Full-Bridge、Push-PLL 、LLC等。61:igbt是什么     AOS代理商
AOB4S604:按鼓励方式分类:自激式和它激式。62:led电路     AOS模拟开关
AOB7S605:按防水性能分类:防水和不防水两种。63:led电路图    AOSTVS二极管
AOD11S606:按功率因数分类:带功率因数校正和不带功率因数。64:led路灯电源    AOSIGBT模块
AOD4S607:按平安构造分类:隔离和非隔离的两种。65:led驱动       AOS功率IC
AOD7S608:按外形构造分类:PCBA裸板和有外壳的两种。66:集成电路芯片    AOS美国万代
AOI11S609:按输出电压分类:DC4V、6V、9V、12V、18V、24V、36V、42V、48V、54V、63V、81V、105V、135V等。67:led驱动电路     AOS模拟开关
AOI4S6010:按输出功率分类:0.4W、1.28W、1.4W、3W、4.2W、5W、8W、10.5W、12W、15W、18W、 20W、23W、25W、30W、45W、60W、100W、120W、150W、200W、300W 等。68:led驱动电源      AOS公司
AOI4T6069:led驱动芯片    AOS半导体
AOI4T60P

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传感器、加速计算、存储以及物联网、人工智能和工业4.0等等话题是当下半导体产业的关注焦点。日前,在第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会上,与会嘉宾围绕这些议题进行了深入讨论。

英飞凌:ToF的应用越来越广

英飞凌电源管理及多元化市场事业部大中华区射频及传感器部门总监麦正奇表示,不仅是手机,ToF在工业、汽车或消费电子等领域都会有很大的机会。在英飞凌的汽车电子事业部、DSS数字安全解决方案事业部,电源管理及多元化事业部和工业控制事业部四个事业部中,多元化就是射频和传感器,是英飞凌业务重要的部分。英飞凌的ToF业务已经覆盖到消费电子、工业、汽车领域。其中,消费电子主要是以移动装置,包括手持或VR、AR头盔;在工业方面,主要是自动化、安防、机器人等应用;在汽车部分,ToF已经是一个选项。

针对ToF图像传感器,英飞凌的主打产品是REAL3。据麦正奇介绍,该传感器透过3D的深度图加上2D的灰阶图,得到一个完整的深度讯息。其算法保证即使在强光下,也不会过曝。而英飞凌特有的智能滤波和伪影校正算法提高了数据精度。ToF的结构使之能够实现非常紧凑的摄像头设计,而最重要的是REAL3只需在出厂时做一次校正(5秒内完成)。REAL3的深度计算量很小,CPU占用量低,降低了功耗,“这对移动装置是最重要的,每个点都可以提供完整的深度讯息,其传输出去的数据已经是可用的了,不像其它结构的3D传感需要不断用CPU计算深度和幅度讯息,” 麦正奇说,“这些特性可减少手机或移动设备的能耗和热损耗。”

英飞凌的主打产品是REAL3

目前,英飞凌面向工业和移动应用的REAL3已投入量产,该传感器通过优化CMOS技术,提升了性能、功耗和成本特性。其中,面向移动设备的专用REAL3已经面市,而面向汽车应用的REAL3尚在研发阶段。该器件主要由英飞凌自有工厂量产,但也不排除通过代工厂生产,另外,他们也在和锡根的pmdtechnologies合作开发软件算法,Pmd提供ToF像素矩阵,英飞凌则提供SoC功能块,并开发ToF优化CMOS制造工艺。

艾迈斯:今年光学传感有几个热点

光学、图像和音频是传感器领域重要的三个领域,其系统方案包含IC、接口、算法和软件,而在这些领域,艾迈斯(ams)是重要的玩家,其产品应用包括消费电子、工业、汽车和医疗。在3D传感上,艾迈斯的产品涵盖ToF、主动立体视觉和结构光三个主要类别,另外,该公司在音频、摄像头侦测、健康检测、电子商务和显示管理上都有相应的传感技术和产品。

艾迈斯半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理Jennifer Zhao表示,根据IHS的统计排名,过去八年艾迈斯光学传感器业务都是行业第一。“因为我们非常注重创新,”Jennifer Zhao说,“今年客户最大的需求就是怎样进行屏下管理,我们的环境光、无显示失真接近传感器和红外IR抑制技术能够满足需求;在真无线立体声方面,我们新出的传感器可以做到0.1、0.2cm的近距离优化。另外在窄或无边框LCD显示屏、3D光学传感以及医学健康保健方面,我们都能提供高性能的传感器。”

在光学传感器上,艾迈斯主要产品是两条线:集成光学传感器和颜色、光谱传感器。前者主要是显示强度管理、摄像头/显示屏色彩平衡、 接近(手机/家庭助理)和1D ToF接近以及距离传感,后者则是颜色识别、食物分析、化妆品和肤色监测以及生物传感器。就智能手机应用看,光学传感技术的主流趋势有三个:1、3D人脸识别,主要用于身份识别和安全支付;2、全面屏、无边框;3、摄影增强。

此外,AI在自动驾驶的ECU处理上也有很大前景。不过,相对于视频,AI在语音上的应用还不够成熟,刘竞秀指出这是因为视觉相关应用,属于用CNA或者DNN做网络检测的应用,能够提供端到端解决方案,而语音应用的AI(例如LSTM),其网络模型只是不同语音模型中的一部分,有大量的前处理跟后处理的技术,跟AI没有关系。在语音识别的技术中,AI只是众多技术处理环节中的一环,其效率好坏并不一定,能否为语音做更好的加速,要看客户所选择的具体方案。此外,现在语音聊天机器人还有能力上的限制,无论数字级多丰富,训练的网络多深,也没办法聊二十句,这也限制了AI语音技术的发展。

随着中国人力成本的提高,对于ADI来讲,围绕工厂自动化的机器人会有更多的商业机会出现。传统的机器人机器手臂,只需要控制系统和相应的软硬件及基本的安全功能设计,但随着物联网和人工智能概念融合之后,会有更多的元素加载。

“比如说各关节角度的监测,在大负载情况下,手臂本身的抖动情况,同时机器人在和工作人员紧密配合的时候一定不能伤到人,这涉及到若干传感器的技术。”于常涛说,“同时作为工厂的一分子,机器人也需要把参数上传到云端,这催生了通讯的机会。所以这些需求给ADI创造了不止一倍的机会。”

从去年下半年开始,有关国内汽车销售景气下滑的消息不断,最近中国汽车工业协会公布的数据显示今年一季度乘用车销量同比下滑了13.7%,但与此同时,新能源汽车销量却持续保持快速增长。今年一季度新能源汽车销量同比增长达109.7%!所以,华虹宏力战略、市场与发展部科长李健把电动汽车视为芯片产业的机遇,将成为下一波增长的重要应用载体。

李建表示,半导体产业的历史发展路径是一直向上,每个时段都有核心应用来支撑。1992年到2000年,是台式电脑,2000年到2008年是功能手机,2008年到2016年是智能手机,2016到2018年,整个半导体产业增长率高达20%以上,这是由于大量的新技术出现,包括5G、人工智能、互联网、大数据、云计算等,但这些技术不会单一存在,它们需要一个实际的产品作为载体来体现,而智能手机自2017年开始已显疲态,能够担任多技术融合载体、拉动半导体快速上扬重任的将是未来的智慧汽车。一个重要原因是汽车电子化。“从汽车的成本结构来看,未来芯片成本有望占汽车总成本的50%以上,这会给整个半导体带来巨大的市场需求。”李健说道。

汽车电子化拉动了半导体产品的需求,如自动驾驶处理器、ADAS芯片等,同时也为功率器件,如MOSFET创造了新机遇。“2020年,中国新能源车的销售目标是200万台,全球是700万台,是一个非常大的市场。”李建说,“有别于传统车,新能源车里面有电机、电池、车载充电机、电机逆变器和空调压缩机,这些都需要大量的功率器件芯片。电动化除了车辆本身的变化之外,还给后装的零部件市场也带来新的需求,同时配套用电设施,比如充电桩,也带来大量的功率器件需求。”

电动汽车中功率芯片的用途非常广泛,启停系统,DC/DC变压器,DC/AC主逆变器+DC/DC升压,包括发电机,还有车载充电机等。以IGBT为例,电动汽车前后双电机各需要18颗IGBT,车载充电机需要4颗,电动空调8颗,总共一台电动车需要48颗IGBT芯片。“如果2020年国内电动汽车销量将达到200万台,后装维修零配件市场按1:1配套计的话,粗略估算国内市场大概需要10万片/月的8英寸车规级IGBT晶圆产能(按120颗IGBT芯片/枚折算)。”李健算了一个账,“基于国内电动车市场占全球市场的1/3,2020年全球汽车市场可能需要30万片/月的8英寸IGBT晶圆产能!除了汽车市场,IGBT在其它应用市场中也广受欢迎,业内有看法认为还需要新建十座IGBT晶圆厂,我觉得此言也不虚。”

李健表示,在功率器件方面,华虹宏力主要聚焦4个方面:一是Trench MOS/SGT,即低压段200伏以下的应用,如汽车辅助系统应用12V/24V/48V等;二是超级结MOSFET工艺(DT-SJ),涵盖300V到800V,在汽车应用中主要是汽车动力电池电压转12V低电压,以及直流充电桩功率模块;三是IGBT。IGBT在电动汽车里面是核心中的核心,主要是在600V到3300V甚至高达6500V的高压上的应用,如汽车主逆变、车载充电机等;四是GaN/SiC新材料,这是华虹宏力一直关注的方向。预计未来五到十年,SiC类功率器件会成为汽车市场的主力,主要是在电动汽车的主逆变器,和大功率直流快速充电的充电桩上。

经过多年研发创新和持续积累,华虹宏力已经逐步推进自主创芯进程。截至2018年第4季度,作为全球最大的功率芯片纯晶圆代工厂,华虹宏力8英寸MOSFET晶圆出货已超过700万片。华虹宏力功率器件工艺的基础是硅基MOSFET,而中流砥柱则是超级结MOSFET(DT-SJ),该工艺适用于500V到900V电压段,其电阻更小,效率更高,散热相对低,所以在要求严苛的开关电源里有大量的应用。

“超级结MOSFET最显著特征为P柱结构,华虹宏力采用拥有自主知识产权的深沟槽型P柱,可大幅降低导通电阻,同时,在生产制造过程中可大幅降低生产成本和加工周期。”李健表示,“总体来看,华虹宏力的超级结MOSFET工艺每两年就会推出新一代技术,用单位面积导通电阻来衡量的话,每一代新技术都会优化25%以上。其中深沟槽型超级结MOSFET是华虹宏力自主独立开发、拥有完全知识产权的创‘芯’技术。”


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