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2019-07-24 15:54:24
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MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系

1:稳压电路 晶体管  稳压管的型号

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2:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体

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3:mos晶体管的工作原理

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4:电子元器件

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如何减少mos管损耗的方法:

5:mos晶体管的栅极    AOS公司

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6:mos晶体管源极      AOS半导体

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1、软开关技术:

7:vdmos,mosfet      AOSMOS管

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电容在反激电压作用下,电容被充电,电压不能突然增加,当电压比较大的时侯,电流已经为0。 

8:MESFET工作原理     AOS模拟开关

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该电路是在全桥逆变电路中加入电容和二极管。二极管在开关管导通时起钳位作用,并构成泻放回路,泻放电流。

9:双栅mosfet        AOSTVS二极管

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2、谐振电路:

10:功率mosfet       AOSIGBT模块

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因此,采用谐振技术可使开关损耗很小。所以,SWITCHTEC电源开关频率可以做到术结构380kHz的高频率。

11:电子元件

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只要选择好合适的L、C,结合二极管结电容和变压器漏感,就能保证电压为0时,开关管导通或截止。

12:mos场效应管参数   AOS公司

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该电路只改变开关瞬间电流波形,不改变导通时电流波形。

13:mos场效应管用途   AOS半导体

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3、晶体管缓冲电路:

14:mosfet      AOS代理商

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早期电源多采用此线路技术。采用此电路,功率损耗虽有所减小,但仍不是很理想。

15:场效应管是什么

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a、减少截止损耗加R、C吸收网络,推迟变压器反激电压发生时间,最好在电流为0时产生反激电压,此时功率损耗为0。该电路利用电容上电压不能突变的特性,推迟反激电压发生时间。为了增加可靠性,也可在功率管上加R、C。但是此电路有明显缺点:因为电阻的存在,导致吸收网络有损耗。

16:mos管是什么

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17:mos管  场效应管的基本知识

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b、减少导通损耗在变压器次级线圈后面加饱和电感,加反向恢复时间快的二极管,利用饱和电感阻碍电流变化的特性,限制电流上升的速率,使电流与电压的波形尽可能小地重叠。

18:mos管怎么用    AOSMOS管

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19:大功率mos管驱动电路

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降低吸收电路损耗来减少损耗:

20:MOS管选型表要求

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21:电子器件,MOS管  AOS公司

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MOSFET的功耗优化工作实际上是一个系统工程,部分优化方案甚至会影响EMI的特性变化。下面所述案例中,金升阳R3系列产品将节能环保的理念深入到电源的开发过程中,很好地平衡了电源整体效率与EMI特性,从而进一步优化了电源参数。将电源参数进一步优化,更能兼容客户系统,并发挥真正的电子系统“心脏”作用,源源不断的输送能量。

22:元器件交易网

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23:MOS管当开关管怎么用的

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从两种不同的吸收电路方案测试结果来看,不采用吸收电路的方案,是不能通过EN55022辐射骚扰度的CLASS A等级,而采用吸收电路,则可以解决辐射骚扰度实验不通过的问题,通过不同的RC组合方式可进一步降低辐射骚扰。

24:热管的工作原理

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25:超结场效应管    AOS半导体

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1、驱动电阻为27Ω;吸收电路为电阻R和C 5.1Ω 470pF,辐射骚扰度测试结果如下:

26:mos管工作用途    AOSMOS管

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27:AOS万代mos管

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28:高压晶体管     AOS万代

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2、驱动电阻Rg为27Ω,无RC吸收电路,辐射骚扰度测试结果如下:

29:快恢复和超快恢复二极管

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30:晶体管得工作原理,mos器件

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31:mos二极管,mos    AOS美国万代

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在模块电源的设计过程中,变压器的漏感总是存在的,采用反激拓扑式结构,往往在MOSFET截止过程中,MOSFET的漏极往往存在着很大的电压尖峰,一般情况下,MOSFET的电压设计余量是足够承受的,为了提高整体的电源效率,一些电源厂家是没有增加吸收电路(吸收电路如图3标注①RCD吸收电路和②RC吸收电路)来吸收尖峰电压的。但是,不注意这些吸收电路的设计往往也是导致EMI设计不合格的主要原因。

32:线性稳压器,MOS管电源

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33:ic采购

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34:续流二极管

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通过降低、来减少MOSFET的损耗:

35:功率开关管    AOS功率IC

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36:MOS管设计电源

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典型的小功率模块电源(小于50W)大多采用的电路拓扑结构为反激形式,典型的控制电路如图3所示;从MOSFET的损耗分析还可以知道:与开通损耗成正比、与关断损耗成正比;所以可以通过减少 、来减少MOSFET的损耗,通常情况下,可以减小MOSFET的驱动电阻Rg来减少、时间,但是此优化方法却带来严重的EMI问题;以金升阳URB2405YMD-6WR3产品为例来说明此项问题:

37:电容的作用     AOS美国万代

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38:PWM控制电路

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39:MOS管驱动      AOS美国万代

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1、URB2405YMD-6WR3采用0Ω的驱动电阻,裸机辐射测试结果如下:

40:电感的基本知识     AOS公司

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41:MOS管开关条件

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42:MOS管集成电路    AOS半导体

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2、URB2405YMD-6WR3采用10Ω的MOSFET驱动电阻,裸机辐射测试结果如下:

43:MOS管续流二极管     AOS万代

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44:ic代理

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45:MOS管工作详解      AOSMOS管

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从两种不同的驱动电阻测试结果来看,虽然都能够通过EN55022的辐射骚扰度的CLASS A等级,但是采用0欧姆的驱动电阻,在水平极化方向测试结果的余量是不足3dB的,该方案设计不能被通过。

46:P沟道mos管

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47:mos管电源中作用

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通过降低模块电源的驱动频率减少MOSFET的损耗,EMI问题及其解决方案。

48:mos管应用电路      AOS公司

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49:mos管封装

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50:mos管工作原理

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如何做到电源设计减少MOS管损耗的同时提升EMI性能:

51:mos管的三个极

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52:mos管驱动芯片    AOS美国万代

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MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗,反而会引起更严重的EMI问题,导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。

53:场效应管符号    AOS代理商

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54:MOS管开关电路   AOS公司

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开关管MOSFET的功耗分析:

55:电子电路图网    AOS半导体

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56:快恢复二极管

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57:场效应管       AOSMOS管

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58:24v开关电源     AOS代理商

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MOSFET的损耗主要有以下部分组成:1.通态损耗;2.导通损耗;3.关断损耗;4.驱动损耗;5.吸收损耗;随着模块电源的体积减小,需要将开关频率进一步提高,进而导致开通损耗和关断损耗的增加,例如300kHz的驱动频率下,开通损耗和关断损耗的比例已经是总损耗主要部分了。

59:24v开关电源电路图   AOS公司

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60:igbt驱动电路     AOS半导体

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MOSFET导通与关断过程中都会产生损耗,在这两个转换过程中,漏极电压与漏极电流、栅源电压与电荷之间的关系如图1和图2所示,现以导通转换过程为例进行分析:

61:igbt是什么     AOS代理商

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62:led电路     AOS模拟开关

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t3-t4区间:栅极电压从平台上升至最后的驱动电压(模块电源一般设定为12V),上升的栅压使导通电阻进一步减少,MOSFET进入完全导通状态;此时损耗转化为导通损耗。

63:led电路图    AOSTVS二极管

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t2-t3区间:从t2时刻开始,漏源电压VDS开始下降,引起密勒电容效应,使得栅极电压不能上升而出现平台,t2-t3时刻电荷量等于Qgd,t3时刻开始漏极电压下降到最小值;此部分有VDS与ID有重叠,MOSFET功耗增大。

64:led路灯电源    AOSIGBT模块

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t1-t2区间:栅极电压达到Vth,漏极电流ID开始增加,到t2时刻达到最大值,但是漏源电压保持截止时高电平不变,从图1可以看出,此部分有VDS与ID有重叠,MOSFET功耗增大。

65:led驱动       AOS功率IC

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t0-t1区间:栅极电压从0上升到门限电压Uth,开关管为导通,无漏极电流通过这一区间不产生损耗。

66:集成电路芯片    AOS美国万代

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关断过程与导通过程相似,只不过是波形相反而已;关于MOSFET的导通损耗与关断损耗的分析过程,有很多文献可以参考,这里直接引用《张兴柱之MOSFET分析》的总结公式如下:

67:led驱动电路     AOS模拟开关

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68:led驱动电源      AOS公司

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69:led驱动芯片    AOS半导体

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MOSFET的主要参数:

70:led照明电路    AOS代理商

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71:p沟道场效应管   AOSMOS管

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场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:

72:场效应晶体管    AOS美国万代

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1、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

73:场效应管原理    AOS公司

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2、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

74:场效应管型号    AOS半导体

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3、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

75:场效应管开关电路   AOS代理商

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4、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

76:场效应管功率放大器   AOSMOS管

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5、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

77:电路图分析     AOS功率IC

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6、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

78:场效应管功放电路   AOS公司

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7、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

79:场效应管功放    AOS半导体

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MOSFET:

80:场效应管工作原理   AOS代理商

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81:场效应管工作电压  AOS美国万代

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MOSFET简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

82:场效应管符号    AOS公司

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83:场效应管的作用   AOSMOS管

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84:场效应管的参数   AOS半导体

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85:场效应管测量    AOS美国万代

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AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代(万国)半导体公司。


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警用无人机转化了传统的交通监管与指挥调度方式,构建了动态式路况监控与实时化警力调试。透过无人机滞空时间短、即时通讯的优势,对于交通路况以及车流量展开持续监控,专用车流量统计分析,并且透过即时交通管制减轻道路拥挤情况。除此之外,透过无人机对易拥堵路段、高速路口、治安卡口等重点区域创作360度全景图,可专用交通疏导与警力调试。

于道路之上爆发交通事故,若是处理不当,非常难导致交通堵塞。警用无人机构建了轻度事故迅速搜证、迅速处置,重大事故第一时间救援。于爆发交通事故之后,直升机可第一时间到达事故现场,帮助地面交警展开空中取证。于爆发深远交通事故时,大载重量直升机可立即对于受伤人员展开救援物资投送。

2019年春运期间,于市公安局的统合部署之下,警用无人机作战小组共同交警、巡警、警察于广澳高速公路中山段展开春运联合执法与联勤保畅工作。2月18日(农历大年初三),正逢春节走亲访友的高峰期,12时30分,警用无人机作战小组于巡弋之中找到广澳高速公路和中江高速公路交会处车流量比较小而且行走慢,疑似爆发交通事故。该小组立刻开启无人机对于该段高速公路展开沿途稽查,找寻堵因,找到海隆桥之上有3辆小轿车爆发出轨事故,但是无人员伤亡。警用无人机作战小组透过无人机航拍功能立刻对于事故现场展开拍照取证。除此之外,第一时间通报邻近高速公路交警来到现场处理,并且把拥挤信息之上传至GPS软件平台,提醒群众恰当建设出行路线。

不断创新战法扩宽应用范围

记者自警用无人机作战小组认识到,目前该小组已投入使用的警用无人机约有38台,大部分已于具体出警之中未能应用。“无人机的战法绝不是一成不变的,需依据有所不同场景、有所不同时间节点,也许发生的状况等展开调整。除此之外,我们亦于急速分析全新的战法。”周鹏说。

2019年中考之际,警用无人机作战小组对于往年中考考生漏带考试证件等突发状况,历经后期于多个考点考察考察并且搜集相关建议之后,立即关联了中山市公安局交警支队沟通“警用无人机空中点对于点搬运考生证件资料”的工作。警用无人机作战小组透过独立自主改造把特定投放器配备于警用无人机之上,透过直升机于高空航线与飞行速度的优势,并且透过后台多次重复设计师,构建无人机5公里范围的超视距离精准点对于点投送运输。历经多次于有所不同场景测试之后,警用无人机皆能安全且正确地把适当物资运输投入到选定位置。

据讲解,2019年中考勤务前夕,警用无人机作战小组历经综合性考量之后最后指定中山大信商务会议中心酒店以及中山市公安局东区分局当作警用无人机运送考生资料的起飞执勤点,于碰到突发情况时,如考生记得带身份证、限考证等证件资料,家属可将有关证件资料就地送到这两个执勤点,改由警用无人机间接穿过城市上空抵达中山市第一中学与中山市华侨中学的考点,间接投入到考生手里。

据认识,于测试后期,警用无人机仅有2公里的图传,少于2公里之后,“飞手”便看绝不到无人机飞到哪里。警用无人机作战小组透过潜心研究资料,并且汲取其他同行的经验,对于软件平台展开升级改造,最后将这个难关攻陷了。除此之外,警用无人机作战小组克服了航线规划、航点设立、降落兴建、技术攻关等难题,尤其是对于警用无人机如何远程抛投、自主回航、下视传感、超视距录像等重点难题逐一破译。历经重复试验,高考前夕装备直升机运送考生证件资料业务战法重新投入使用。

86:稳压电源电路图   AOS代理商

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87:稳压二极管参数    AOS半导体

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88:电路图符号    AOSMOS管

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89:稳压二极管型号   AOS美国万代

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90:稳压芯片    AOS公司

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91:肖特基二极管    AOS半导体

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92:锂电保护芯片   AOS美国万代

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93:锂离子电池工作原理  AOS代理

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94:电子新闻

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95:AOS万代官网

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96:电子元器件    AOS代理

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97:电子器件   AOS代理商

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98:碳化硅二极管   AOS半导体

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99:电器元件   AOS美国万代

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100:电路图符号大全  AOS公司


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