(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET的Datasheet+测量电流+安全运行区域+雪崩极限值+反向二极管极限值及特性+动态/静态特性
2019-07-29 14:34:30
返回列表

(AOS美国万代(万国)半导体公司代理商|泰德兰官网|ME2345Amos管现货现出ME2345A型号中文资料pdf|工作原理|电子新闻|摘要:(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet+测量电流+安全运行区域+雪崩极限值+反向二极管极限值及特性+动态特性+静态特性+读懂极限值+快速参考数据)


                                                                                                        查看及下载 ME2345A规格书详情,请点击下图。

AOWF10N60

1:稳压电路 晶体管  稳压管的型号

AOWF11N60

2:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体

AOWF12N60

3:mos晶体管的工作原理

AOWF4N60

4:电子元器件

AOB12N65L

(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet---一、测量电流:

5:mos晶体管的栅极    AOS公司

AOD7N65

6:mos晶体管源极      AOS半导体

AOI7N65

数据表中引述的电流额直接来源于最大耗散功率:

7:vdmos,mosfet      AOSMOS管

AOK18N65

8:MESFET工作原理     AOS模拟开关

AOT10N65

用等式1代替Ptot,得等式4:

9:双栅mosfet        AOSTVS二极管

AOT12N65

10:功率mosfet       AOSIGBT模块

NCE4045K

为了测得一个更真实的电流,有必要用所需运行时结温代替等式4中的Tjmax以及用实际工作值代替Tmb,一般来说建议不要将器件一直运行在Tjmax状态下。为了达到长期的稳定性,125℃是比较合适的结点运行温度。Tmb在75℃和110℃之间的值也是较为典型。

11:电子元件

NCE4060K

12:mos场效应管参数   AOS公司

NCE4080

拿BUK553-100A来说,它有一个13A的电源电流级别。设Tmb为100℃,Tj为125℃时,器件电流计算如下:从图8得:

13:mos场效应管用途   AOS半导体

NCE4080K

14:mosfet      AOS代理商

NCE4090G

Rthj-mb=2K/W代入等式4得:

15:场效应管是什么

NCE40H12K

16:mos管是什么

NCE40H12

因此器件在这些条件下传导电流为6.3A即12.5W的耗散功率。

17:mos管  场效应管的基本知识

NCE40H12I

(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet---二、安全运行区域:

18:mos管怎么用    AOSMOS管

NCE40H20

19:大功率mos管驱动电路

NCE40H20A

每种功率MOS都给出其安全运行区域。不同于双极型晶体管,功率MOS不会表现出二次击穿机制,因此安全运行区域只简单从导致结温达到最大允许值时的耗散功率定义。

20:MOS管选型表要求

M8912

图14表示的是BUK553-100的安全区域。这个区域受有限的漏源电压和有限的电流值以及不同脉冲周期的恒定功率曲线所限制。这里都是以背板温度为25℃为前提的。

21:电子器件,MOS管  AOS公司

M8911A

恒定功率曲线表示使结温升高Tjmax-Tmb的功率。Tjmax为175℃的器件的Tjmax–Tmb等于150℃;Tjmax为150℃ 的器件的Tjmax–Tmb等于125℃。

22:元器件交易网

M8911

很显然在多数应用中背板温度高于25℃,因此安全区域面积会减少,可以很简单的测算最大功率。

23:MOS管当开关管怎么用的

M8910

24:热管的工作原理

M6362A替换RT7737

25:超结场效应管    AOS半导体

ME90P03

26:mos管工作用途    AOSMOS管

ME90N03

直流曲线以结点到背板的热阻(在绝缘封装的情况下结点到散热片)代入等式1。

27:AOS万代mos管

ME85P03

脉冲运行曲线假定为单次开关,用瞬时热阻值代替热阻值。每种型号的瞬时热阻都以图表数据表示,如图15。为测算单次开关耗散功率的能力,需要的脉冲宽度值从曲线D=0开始,代入等式2。

28:高压晶体管     AOS万代

ME75N03L

29:快恢复和超快恢复二极管

ME75N03

下面将是如何计算1ms脉冲时最大耗散功率的例子。

30:晶体管得工作原理,mos器件

XCL221

例1计算在Tjmax为175℃,Tmb为25℃时最大耗散功率。这个功率等于图14安全运行区域1ms曲线下的面积。例2是说明当Tmb高于 25℃时,所耗散的功率是如何减少的。

31:mos二极管,mos    AOS美国万代

XCL224

32:线性稳压器,MOS管电源

XCL223

33:ic采购

XCL301

34:续流二极管

XC6366

469W这条线可以在图14上观察到。([email protected][email protected]等)

35:功率开关管    AOS功率IC

XC6365

例2:BUK553-100A在75℃,1ms的脉冲下,Zth= 0.32K/W, Tjmax=175℃,Tmb =75℃

36:MOS管设计电源

XC9213

37:电容的作用     AOS美国万代

XC9220

因此当背板温度为75℃时,最大允许耗散的功率与25℃时的值比较减少了1/3 。

38:PWM控制电路

XC9221

(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet---三、雪崩极限值:

39:MOS管驱动      AOS美国万代

XC9224

40:电感的基本知识     AOS公司

LMBTA42LT1G

这个参数是产品处理瞬时过压能力的指示。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态。

41:MOS管开关条件

LMBTA92LT1G

这个强度是根据背板温度为25℃时漏极接不钳位电感,器件非重复关断所能承受的能量来定义的。这个能量水平在背板温度越高时越小,如图13。

42:MOS管集成电路    AOS半导体

L2SC3356LT1G

43:MOS管续流二极管     AOS万代

L2SC3356WT1G

44:ic代理

L2SC5635WT1G

45:MOS管工作详解      AOSMOS管

LBC848ALT1G

无重复意味着电路不应设计成使功率MOS重复处于雪崩状态。运行该能力只允许意外的电路条件导致瞬时过压发生时,器件能够幸免损坏。

46:P沟道mos管

LBC848BLT1G

飞利浦的新一代中压MOSFET也具有重复雪崩能。根据背板温度为25℃,MOSFET漏极接无钳位电感反复切换所能承受的能量,它表明器件能够经得住反复瞬间漂移到雪崩击穿状态,并且结温不超过极限值。

47:mos管电源中作用

LBC848BWT1G

(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet---四、反向二极管极限值及特性:

48:mos管应用电路      AOS公司

LBC848CLT1G

49:mos管封装

LBC848CWT1G

反向二极管是垂直结构的功率MOSFET固有的,在一些电路中这种二极管有重要功能,因此这种二极管的特性需要详细说明。

50:mos管工作原理

NCE40H20AD

这种二极管里允许通过的正向电流被叙述成“连续反向漏极电流” 和“ 脉冲反向漏极电流”。

51:mos管的三个极

NCE40H21C

如图12,顺向压降也是特性之一。这种二极管的切换能力根据反向恢复参数trr和Qrr给出。

52:mos管驱动芯片    AOS美国万代

NCE40H21

53:场效应管符号    AOS代理商

NCE40H29D

54:MOS管开关电路   AOS公司

NCE40H21CD

55:电子电路图网    AOS半导体

NCE4012S

因为二极管作为双极器件,它受到电荷储存的影响。因为二极管要断开电荷必须清除。

56:快恢复二极管

NCE4528K

反向恢复电荷由Qrr给出,反向恢复时间由trr,给出,注意trr完全由电路中-dIf/dt决定,它在数据说明书中的值为100A/s。

57:场效应管       AOSMOS管

NCE4542K

(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet---五、动态特性:

58:24v开关电源     AOS代理商

NCE4558K

59:24v开关电源电路图   AOS公司

NCE4570K

包括跨导,电容以及转换时间。正向跨导 Gfs,是增益参数,它表示在器件饱和状态下,栅极电压的变化引起的漏极电流的变化(MOSFET的饱和特性参考输出特性的平面部分)。

60:igbt驱动电路     AOS半导体

AOT7N65

图9表示BUK553-100A中作为漏极电流函数的Gfs是怎样变化的。

61:igbt是什么     AOS代理商

AOT8N65

62:led电路     AOS模拟开关

AOTF10N65

63:led电路图    AOSTVS二极管

AOTF12N65

64:led路灯电源    AOSIGBT模块

AOTF18N65

电容被大多数制造厂商分成输入电容,输出电容以及反馈电容。所引述的值是在漏源电压为25V情况下的。仅表明了一部分性质因为MOSFET电容值是依赖于电压值的,当电压降低时电容升高。

65:led驱动       AOS功率IC

AOTF7N65

图10表明电容随电压的变化情况。电容数值的作用是有限的。输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明。

66:集成电路芯片    AOS美国万代

AOTF8N65

可能栅极充电信息更为有用。如图11给出的例子。它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。

67:led驱动电路     AOS模拟开关

AOW10N65

68:led驱动电源      AOS公司

AOW12N65

69:led驱动芯片    AOS半导体

AOWF10N65

例如把BUK553-100A充电到VGS=5V,漏源电压为80V,所需12.4nc的电量。这样的充电速度可以满足栅极电路电流的需要。

70:led照明电路    AOS代理商

LBC858ALT1G

阻抗负载切换时间也被许多制造厂商所引述,然而必须极其小心地比较不同制造厂商所给的数据说明。功率MOSFET的切换速度只受电路以及封装自感限制,

71:p沟道场效应管   AOSMOS管

LBC858BLT1G

电路中的实际速度是由内部电容被驱动电路充电和放电的速度所决定的。切换时间因此很大程度上取决于所处的电路环境;一个低的栅极驱动电阻将会提供更短的切换时间反之亦然。

72:场效应晶体管    AOS美国万代

LBC858BWT1G

飞利浦数据说明中所有的功率MOS的切换时间都是在栅源之间放一50W电阻的情况下测得的。这个器件是由一源极阻抗为50W的脉冲发生器切换的。总的栅极驱动电路的阻抗因此为25。

73:场效应管原理    AOS公司

LBC858CLT1G

74:场效应管型号    AOS半导体

L9014QLT1G

75:场效应管开关电路   AOS代理商

L9014RLT1G

动态特性也包括典型封装自感,当电路中的切换速度很快时,即dI/dt值很大时,自感变得非常重要。

76:场效应管功率放大器   AOSMOS管

L9014SLT1G

例如,在60ns中变化30A给出的dI/dt为0.5 A/ns,源极引线的典型自感为7.5nH,由V=-L*dI/dt得出从内部源极(内部连接源极的导线与芯片结合的部分)到外部引脚的电压为3.75V,

77:电路图分析     AOS功率IC

L9014TLT1G

正常标准器件被栅源电压为10V所驱动时,实际半导体上栅源电压在开启状态下只有6.25V,因此切换速度最终被封装自感所限制。

78:场效应管功放电路   AOS公司

L9015QLT1G

(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet---六、静态特性:

79:场效应管功放    AOS半导体

L9015RLT1G

80:场效应管工作原理   AOS代理商

XC9223

这个部分的参数描述击穿电压,开启电压,泄漏电流,开启阻抗的特性。漏源击穿电压比漏源电压的极限值要大。

81:场效应管工作电压  AOS美国万代

XC9237

它可以用曲线跟踪仪测量,当栅极端和源极端短路时,它是漏极电流为250uA时的电压。栅极开启电压VGS(TO),表示的是使器件达到导通状态时栅极(相对于源极)所需要的电压。

82:场效应管符号    AOS公司

XC9236

对于逻辑电平器件来说,栅极开启电压通常在1.0和2.0V间;对于标准器件则是2.1到4V之间。

83:场效应管的作用   AOSMOS管

XC9235

图3的表示漏极电流为VGS的函数说明典型的传输特性。图4表示栅极开启电压随着结温而变化。在次开启传导时,图5表示在VGS电平低于门槛时漏极电流怎样随着栅源电压变化。


断电状态时泄漏电流是漏源和栅源在各自所能承受最大电压情况下所规定的。注意到尽管栅源泄漏电流以十亿分之一安培为单位表示,它们的值遵循兆分之一安培而变化。

漏源导通电阻具有重要意义。它是当逻辑电平场效应管栅源电压5V时的值;标准器件时栅源电压为10V时的值。在10V以上增加栅源电压时,标准MOS管的导通电阻没有明显减少。

减少栅极电压然而可以增加导通电阻。对于逻辑电平场效应管来说,BUK553-100A,在栅极电压为5V的情况下给出导通电阻,然而当栅极电压到达10V时,导通电阻将明显减少,这是由于其输出特性图6和导通电阻特性图7决定(BUK553-100A)。


(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet---七、读懂极限值:


这个表格给出六个参数的绝对最大值。器件可以在此值运行但是不能超出这个值,一旦超出将会对器件发生损坏。

漏源电压和漏栅电压有同样的值。给出的数据为可以加在各相应端所使用的最大电压。栅源电压VGS,给出在栅极和源极之间允许加的最大电压。一旦超过这个电压值,即使在极短的时间内也会对栅极氧化层产生永久性损害。给出的两个直流漏极电流值ID,一个是在背板温度为25℃时,另一个是在背板温度为100℃时。再且这些电流值不代表在运行过程中能够达到。当背板温度在所引述的值时,这些电流值将会使得结温达到最大值。因此最大电流降额作为背板温度的函数,所引用的两个值曲线是降额曲线上的两个点(见图一)。

引述的第三个电流值是脉冲峰值IDM。功率MOS器件总的来说都有很强的峰流通过能力。连接管脚和芯片上的内部接线决定该极限值。IDM所能应用的脉冲宽度取决于热考虑(见计算电流的部分)。总消耗功率,Ptot,以及最大结温在快速参考数据中也已说明。Ptot的值在等式1中以商的形式给出(见安全运行区部分)。所引述的条件是衬底温度保持在25℃。例如,BUK553- 100A的Ptot值为75W,消耗这个功率使衬底温度保持在25℃是极大的挑战。衬底温度越高,能耗散的总耗散功率越低。


很显然如果衬底温度等于最大允许的结温时,没有功率可被耗散掉。如图2的降额曲线,此器件的结温为175℃。

引述的存储温度通常在-40/-55℃ 和+150/+175℃之间。存储温度和结温是由我们质量部门经过广泛的可靠性测量后所指定的。超过所给出的温度将会使可靠性降低。


绝缘封装时,背板(硅芯片安装在上面的金属层)完全压缩在塑料中。因此无法给出结点到背板的热阻值,取代之是结点到散热片的Rthj-hs,它表现出散热片复合的作用。当比较绝缘封装和非绝缘封装型号的热阻时必须特别小心。例:非绝缘BUK553-100A的Rthj-mb为2K/W。绝缘BUK543-100A的Rthj-hs为5K/W。它们有同样的晶体但是所封装不同。初比较时,非绝缘的型号似乎可以承受更大功率(即电流)。然而BUK553-100A在结点到散热片的热阻测量中, 这还包括背板和散热片之间的额外热阻。一些绝缘措施用在大多数情况中, 例如云母垫圈,其背板到散热片的热阻为2K/W。因此结点到散热片的总热阻为Rthj-hs(非绝缘型)=Rthj-mb+Rthmb-hs =4K/W,可以看出实际中绝缘和非绝缘型的型号区别并不大。


(ME2345A应用电路图 引脚功能图ME2345A最低导通 开启电压 ME2345A封装 尺寸ME2345A代替 替换)MOSFET,MOSFET的Datasheet---八、快速参考数据:


这些数据作为迅速选择的参考。包括器件的关键参数,这样工程师就能迅速判断它是否为合适的器件。在所包括的五个参数中,最重要的是漏源电压VDS是和开启状态下的漏源阻抗RDS(ON)。VDS是器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大电压。RDS( ON)是器件在给定栅源电压以及25℃的结温这两个条件下最大的开启阻抗(RDS(ON)由温度所决定,见其静态特性部分) 。这两个参数可以说明器件最关键的性能。


漏极电流值(ID)和总耗散功率都在这部分给出 。这些数据必须认真对待因为在实际应用中数据说明书的给定的条件很难达到(见极限值部分)。在大多数应用中,可用的dc电流要比快速参考说明中提供的值要低。限于所用的散热装置,大多数工程师所能接受的典型功率消耗要小于20W(对于单独器件)。结温(TJ)通常给出的是150℃或者175℃。器件内部温度不建议超过这个值。


介绍一下Datasheet是什么意思吧。它一般指数据表的意思,MOSFET的Datasheet就是MOS管的数据表,即是规格书。所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细说明书。说明书用来说明各种产品的性能,这对于在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些情况下,不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有微妙的区别,尤其在一些非重要参数例如切换时间。另外,数据说明书所包含的信息不一定和应用相关联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。本文以BUK553-100A为例,这是一种100V逻辑电平MOS管。

AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代(万国)半导体公司。


电子新闻_AOS万代(万国)官网_电子元器件_电子器件_电器元件_电子元件_电子商城_元器件交易网_ic采购_ic代理_电子电路图网_集成电路芯片。



以往人工智能仅是个清晰的概念,不过于近几年来的发展其中,人工智能的概念亦清楚了上去,很多产品起走进我们的生活,并且予大家造成了便捷,国内的各个企业起转入到这个领域其中分析,作为人工智能造成了全新的可能性,现在已沦为了各个行业均于重视的焦点,其中光线是人工智能名片便有非常多种。

人工智能名片是怎么一回事

于准确的统计其中,我们找到人工智能名片已有绝不下几十种了,这样的发展究竟有没有有前景?

名片是我们平时沟通其中最为常见的,下面会有:公司名称、地址、姓名、部门、职务与联系方式。人工智能名片亦于纸制名片的基础下面,应用了图像识别技术,间接能提炼名片之中的信息并且展开检索。

但是光是有下面的这些范围是怎么的,于严肃的分析了市场下面的需要求之后,看到了最为彻底的人工智能名片,以此“AI名片 轻SAAS”作为切入口,并且结俣了微信下面的“社交化 OS(操作系统)”,不必仅是个直观的电子名片,或者一个入口。于这个入口里,点进来便能看见产品的相关介绍,有新闻动态,企业于官网下面的展示亦是多种多样,作为企业获取了微信下面的管理与销售,达一站式办公楼的要求。

越来越可透过里的智能跟踪,来对于客户展开二十四小时的跟踪,掌控用户们的轨迹,展开实进的消息发送,对于客户们的画像展开手动研究,看到客户的现实出售意图,作为贩售展开最为小程度下面的参考。也也许智能的预测成交率,创作出贩售圆柱形,并且展开自然科学的分类,看上去非常大的一个产品,反而具有无穷的市场前景。

于当下的移动互联网其中,微信是第一入口,月存活用户达了十亿多,任何商家面临这样的一个平台均绝不也许忽略,于行业的预测其中,18年会是个彻底发生的时代,其上线量突破三百多万,未来的发展空间极大,因此,看上去非常大的这个名片,反而具有非常小的市场于里,低简单的流程罗件,真正想绝不通这里的逻辑。

于SaaS与移动互联网的时代其中,互联网有个十分独特的特点,那便是消费场景化有场景的碎片化,也就是说顾客的触点是十分余的,因此要捉住这个特点,便能明白顾客们其实想要的是什么,很多人均是做了辈子的这个,反而绝不知道其中的真正意义是什么,人工智能名片便来销售人员完工沟通工作的。

很多人均把贩售看作是贩售管理,但是事实上CRM的意思反而是客户关系管理,各个渠道与客户展开相互作用便能造成客户关系,这些客户绝不是凭空出现的,因而想要营运糟糕企业便得先行将客户予营运糟糕,企业里的任何人,如果用了这个大程序,便能实时构建客户的信息管理、客户的行为研究有关系跟踪等工作,传统的客户监管亦是透过APP或电脑端来展开,对市场的工作人员来说,效率并且绝不是非常低,系统显的亦非常单个。

因而人工智能名片亦是将核心放在了客户的数据管理下面,客户的数据管理便是企业的关键数据,用来纪录企业的市场营销跟销售过程录之中,与客户爆发关系的交互行为,有各种有关的活动状态,获取各项数据的模拟工作,糟糕为之后的分析跟决策作出支持。符合客户们的个性化需求,提升客户们的忠诚度,构建短期之内的销售,减少了贩售的成本,并且减少了收入。

人工智能名片为的便是提高企业的竞争与赢利能力,任何企业于展开客户关系监管的,便是借以能于之后作为顾客开创越来越余的价值,让顾客与企业构建了双赢,当作一项前沿科技,现在的人工智能已详尽到了我们的生活各个细节,开启了无限潜力。

84:场效应管的参数   AOS半导体

XC9243

85:场效应管测量    AOS美国万代

XC9242

86:稳压电源电路图   AOS代理商

XC9245

87:稳压二极管参数    AOS半导体

XC9244

88:电路图符号    AOSMOS管

XC9247

89:稳压二极管型号   AOS美国万代

XC9246

90:稳压芯片    AOS公司

ME70N03S

91:肖特基二极管    AOS半导体

ME60N04

92:锂电保护芯片   AOS美国万代

ME60N03S

93:锂离子电池工作原理  AOS代理

ME60N03

94:电子新闻

ME55N06A

95:AOS万代官网

M6362A替换CR6884

96:电子元器件    AOS代理

M6362A替换CR6888

97:电子器件   AOS代理商

M6362A替换OB5269

98:碳化硅二极管   AOS半导体

M6362A替换OB5282

99:电器元件   AOS美国万代

M6362A替换GR1837

100:电路图符号大全  AOS公司

品质第一

品质第一

Quality first
价格合理

价格合理

price is reasonable
交货快捷

交货快捷

Fast delivery
服务至上

服务至上

Service-oriented
凝聚客户

凝聚客户

Convergence of customers
产品中心
AOS
国产 茂捷
日本 特瑞仕
台湾 松木 MOS管
国产 新洁能 MOS管
国产 LRC 二极管
国产 LRC 三极管
解决方案
解决方案
关于我们
公司介绍
企业文化
组织架构
新闻中心
投诉建议
关注我们
微信公众号扫描
联系电话:0755-83322522
友情链接:语音芯片 Bartender 电子负载 安全光栅 PE电熔管件 电池巡检仪 液晶广告机 工业液晶显示器 usb数据线厂家 包装印刷 触控一体机 上海机械设备 电子元器件商城

QQ客服联系客服

联系电话0755-83322522