(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高+Buck变换器及损耗分析+影响上管开关速度的参数+环路电感
2019-08-09 11:00:23
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NCE0157AK

1:稳压电路 晶体管  稳压管的型号

NCE0157A2

2:绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体

NCE0159

3:mos晶体管的工作原理

NCE0160AG

4:电子元器件

NCE0160G

(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压AOZ1283PI封装 尺寸AOZ1284PI代替 替换)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高---Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高:

5:mos晶体管的栅极    AOS公司

NCE01H10D

6:mos晶体管源极      AOS半导体

NCE01H10

目前,Buck变换器在电脑主板、通信电源、手机等电子产品中的应用越来越广泛。随着全世界节能减排的发展,Buck变换器的效率成为评价电源系统性能优劣及可靠性的最重要指标。Buck电路的效率跟很多因素有关,例如电感线圈的DCR,电感的磁芯材料,上管(HS)和下管(LS)MOSFET,PCB  layout等。为了得到较高的效率,通常我们需要尽可能的提高HS的开关速度以降低其开关损耗,同时需要尽可能的选择具有较小Rds(on)的LS以降低其导通损耗。

7:vdmos,mosfet      AOSMOS管

NCE01H11

8:MESFET工作原理     AOS模拟开关

NCE01H13

9:双栅mosfet        AOSTVS二极管

NCE01H13WD

本文将通过功率MOSFET管的工作特性,系统的分析如何选择具有较快开关速度的上管,同时,在给定上管的条件下,从外围元件选择和PCB布线的角度分析如何进一步优化上管的开关速度,从而为设计工程师提供一些依据,来找到系统设计的一些问题,提高电子系统的效率及可靠性。

10:功率mosfet       AOSIGBT模块

HVM15-350

11:电子元件

HVM15-450

(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压AOZ1283PI封装 尺寸AOZ1284PI代替 替换)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高---1. Buck变换器及损耗分析:

12:mos场效应管参数   AOS公司

HVM16-350

13:mos场效应管用途   AOS半导体

HVM16-450

图一是基本的同步整流Buck电路,Q1是HS MOSFET,Q4是LS MOSFET, L1为功率电感。这里我们只考虑MOSFET的损耗,其主要有如下几种:

14:mosfet      AOS代理商

HVM18-350

1.上管的开关损耗;2.上管的导通损耗;3.下管的开关损耗;4.下管的导通损耗;5.死区时间内二极管的导通损耗;6.下管二极管的反向恢复损耗;7.上下管Coss的损耗;8.上下管的驱动损耗

15:场效应管是什么

HVM18-450

图1:Buck Topology

16:mos管是什么

HVM5-350

17:mos管  场效应管的基本知识

HVM5-450

HS的开关损耗在HS和LS总损耗中占据很高的比例。如下图为VIN=12V, VOUT=1V, 工作频率600KHz下各种损耗所占比重分布,可以看出,上管的开 关损耗在上下管的总损耗中占比35%,在上管的总损耗中,上管的开关损耗占比接近75%。所以,降低上管的开关损耗,对于系统的设计来说尤为重要。由于上管工作在硬开关状态,只有提高开关速度,才能降低其开关损耗以提高效率。下面,我们重点分析上管的开关速度跟MOSFET的哪些参数有关,以及如果提高开关速度。

18:mos管怎么用    AOSMOS管

HVM8-350

19:大功率mos管驱动电路

HVM8-450

20:MOS管选型表要求

XC6805

图2:Buck变换器HS和L S损耗分布

21:电子器件,MOS管  AOS公司

XC6806

22:元器件交易网

XC6808

(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压AOZ1283PI封装 尺寸AOZ1284PI代替 替换)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高---2.影响上管开关速度的参数:

23:MOS管当开关管怎么用的

XP151

24:热管的工作原理

XP152

(1)HS Rg


 HS Rg的大小会影响驱动电流Ig,进而影响上管的开关速度。如下图所示为当HS Rg从 1欧姆到10欧姆变化时,HS dv/dt会变慢。所以较小的Rg可以获得较快的开关速度。

25:超结场效应管    AOS半导体

XP161

26:mos管工作用途    AOSMOS管

XP162

图3:HS Rg参数扫描分析

27:AOS万代mos管

XP202A0003MR

28:高压晶体管     AOS万代

XP202A0003PR

(2) HS Crss


Crss即米勒电容,较大的Crss意味着在MOSFET开关的时候,米勒平台就会更长,从而开关速度就会越慢。所以,我们在设计的时候,尽量选择Crss低的上管来提高开关速度。

29:快恢复和超快恢复二极管

XCL225

30:晶体管得工作原理,mos器件

M5358替换OB2358

图4: HS Crss参数扫描分析

31:mos二极管,mos    AOS美国万代

M6362A

32:线性稳压器,MOS管电源

M6103

(3) PCB Layout


HS驱动回路的PCB layout对其开关速度会产生很大的影响。举一个例子,如下同步Buck电路,Q1为PairFET,型号为AOE6982T,驱动IC为ISL6207。驱动IC的pin8(phase)为上管的sense pin,该pin的连接位置对驱动回路会产生很大影响。为了验证这一影响,我们设计两个PCB: PCB 1#:驱动IC pin8连接至A点(上管的源极);PCB 2#:驱动IC pin8连接至B点(电感L1的左端)。

33:ic采购

M6101

34:续流二极管

M5576

35:功率开关管    AOS功率IC

ME50N10T

36:MOS管设计电源

ME50N10AT

图5: 同步Buck电路

37:电容的作用     AOS美国万代

ME50N06T

38:PWM控制电路

ME45N03T

图6:PCB 1#:驱动IC pin8连接至A点(上管的源极)

39:MOS管驱动      AOS美国万代

ME40P03T

40:电感的基本知识     AOS公司

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图7:PCB 2#:驱动IC pin8连接至B点

41:MOS管开关条件

AOZ8231ADI-03

42:MOS管集成电路    AOS半导体

AOZ8231ADI-05

在同样的条件(两个板子使用同一颗MOSFET,同一个电感)下,测试两个板子的效率,得到如下效率曲线。测试条件如下,VIN=12V,VOUT=1V,开关频率=600KHz, L=250nH。 由曲线可知,在Io=25A时,PCB 1#的效率比PCB 2#高出0.7%, 也就是说,驱动Ic的pin8连接到上管的源极可以得到较高的效率。

43:MOS管续流二极管     AOS万代

AOZ8231ADI-08

44:ic代理

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图8:PCB 1#和2#效率对比

45:MOS管工作详解      AOSMOS管

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46:P沟道mos管

AOZ8231BDI-08

分析:上管的驱动分为两种类型,一种称为共源电感驱动(common source),另一种称为非共源电感驱动(non - common source)。所谓common source就是指上管寄生的源极电感(source inductance)和 PCB走线电感等都被包括在驱动回路里面、如下图,上管驱动的地(HS sense)连接在B点。非共源电感驱动是指如上所说的电感不被包括在驱动回路里面,即驱动回路的地( HS sense)连接在A点。

47:mos管电源中作用

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48:mos管应用电路      AOS公司

AOZ8251ADI-05

当采用共源电感驱动方式时,驱动回路里面串联了一个电感LHS,该电感会减慢上管的开关速度。当上管开通时,流过漏源极的电流快速增加,该电流会在LHS上面感应出一个上正下负的电压LHS*di/dt,该电压会减慢Vgs的爬升速度,从而减慢上管的开通速度。当上管关闭时,流过漏源的电流快速减小,该电流会在LHS上面感应出一个上负下正的电压,该电压会感慢Vgs下降的速度,从而减慢上管的关闭速度。所以,采用共源电感驱动时,LHS会减慢上管的开通和关闭速度,增加了开关损耗,损失了效率。

49:mos管封装

AOZ8251BDI-05

50:mos管工作原理

NCE01H13D

图9:HS驱动回路模型

51:mos管的三个极

NCE0202Z

52:mos管驱动芯片    AOS美国万代

NCE0202ZA

(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压AOZ1283PI封装 尺寸AOZ1284PI代替 替换)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高---(4)环路电感(loop inductance):

53:场效应管符号    AOS代理商

NCE0202VA

54:MOS管开关电路   AOS公司

NCE0203S

所谓环路电感,是指整个功率环路的所有电感值的和。如Figure 9所示,L1, LHS和LLS的和即为环路电感。在下管关断,上管开通的过程中,当上管完全导通(Vds接近于零)后,phase点的电压Vphase=Vin-(L1+LHS)*di/dt,此时环路电感的大小将控制phase点电压的上升斜率dv/dt。如Figure10, 环路电感较小时,phase点电压的dv/dt较大,上管的开通速度较快,开通损耗较小。

55:电子电路图网    AOS半导体

NCE0205IA

56:快恢复二极管

NCE0208IA

图10:环路电感1.8nH时的开关波形

57:场效应管       AOSMOS管

NCE0208KA

58:24v开关电源     AOS代理商

NCE0240

图11:环路电感2.8nH时的开关波形

59:24v开关电源电路图   AOS公司

NCE0240F

60:igbt驱动电路     AOS半导体

XCL226

(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压AOZ1283PI封装 尺寸AOZ1284PI代替 替换)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高---3.结论:

61:igbt是什么     AOS代理商

XCL301

62:led电路     AOS模拟开关

XC6351

(1 )、驱动电阻越小,HS的开关速度越快。(2)、Crss越小,HS的开关速度越快。

63:led电路图    AOSTVS二极管

XC9801

(3)、在PCB layout时, HS驱动的地(HS sense)要从最靠近源极引脚的地方引出以减小驱动回路里的电感,提高HS的开关速度。

64:led路灯电源    AOSIGBT模块

XC9802

(4)、较小的环路电感,HS可以得到较快的开关速度,在PCB layout时要尤其注意,尽量减小环路电感。

65:led驱动       AOS功率IC

XC8101

66:集成电路芯片    AOS美国万代

XC8102

67:led驱动电路     AOS模拟开关

XC8107

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68:led驱动电源      AOS公司

XC8108

69:led驱动芯片    AOS半导体

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70:led照明电路    AOS代理商

HVR-2X062H

71:p沟道场效应管   AOSMOS管

R1200

72:场效应晶体管    AOS美国万代

R1200F

73:场效应管原理    AOS公司

R1500

(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压AOZ1283PI封装 尺寸AOZ1284PI代替 替换)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高---mosfet放大器概述-mosfet放大器配置电压与电路原理解析:

74:场效应管型号    AOS半导体

R1500F

75:场效应管开关电路   AOS代理商

R1800

mosfet放大器概述:mosfet放大器或任何放大器的主要目标是产生输出信号,该输出信号忠实地再现其输入信号但在幅度上放大。此输入信号可以是电流或电压,但对于mosfet器件作为放大器工作,它必须被偏置以在其饱和区域内工作。

76:场效应管功率放大器   AOSMOS管

R1800F

77:电路图分析     AOS功率IC

R2000

有两种基本类型的增强型MOSFET, n沟道和p沟道以及在这个mosfet放大器教程中,我们研究了n沟道增强型MOSFET通常被称为NMOS,因为它可以相对于源极采用正栅极和漏极电压工作,而不是p沟道PMOS使用相对于源极的负栅极和漏极电压工作。

78:场效应管功放电路   AOS公司

R2000F

79:场效应管功放    AOS半导体

R3000

mosfet器件的饱和区域是其高于其阈值电压的恒定电流区域,VTH。一旦在饱和区域正确偏置,漏极电流ID会因栅极-源极电压而变化,VGS而不是漏极-源极电压,VDS 因为漏极电流被称为饱和。

80:场效应管工作原理   AOS代理商

M5573

81:场效应管工作电压  AOS美国万代

M5572

增强型MOSFET,通过施加栅极电压产生的静电场增强了沟道的导电性,而不是像耗尽型MOSFET那样耗尽沟道。

82:场效应管符号    AOS公司

M5358

(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压AOZ1283PI封装 尺寸AOZ1284PI代替 替换)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高---mosfet放大电路的基本结构:

83:场效应管的作用   AOSMOS管

M5840

84:场效应管的参数   AOS半导体

M5839

MOSFET放大器使用以共源配置连接的金属氧化物硅晶体管。mosfet与晶体管一样,也具有放大作用,但与普通晶体管是电流控制型器件相反,场效应管是电压控制型器件。它具有输入阻抗高、噪声低的特点。

85:场效应管测量    AOS美国万代

MEE3710T

场效应管的3个电极,即栅极、源极和漏极分别相当于晶体管的基极、发射极和集电极。图所示是场效应管的3种组态电路,即共源极、共漏极和共栅极放大器。图(a)所示是共源极放大器,它相当于晶体管共发射极放大器,是一种最常用的电路。图(b)所示是共漏极放大器,相当于晶体管共集电极放大器,输入信号从漏极与栅极之间输入,输出信号从源极与漏极之间输出,这种电路又称为源极输出器或源极跟随器。图(c)所示是共栅极放大器,它相当于晶体管共基极放大器,输入信号从栅极与源极之间输入,输出信号从漏极与栅极之间输出,这种放大器的高频特性比较好。

86:稳压电源电路图   AOS代理商

ME35N06T

87:稳压二极管参数    AOS半导体

ME3205T

88:电路图符号    AOSMOS管

ME25N10T

89:稳压二极管型号   AOS美国万代

AS331KTR-G1

90:稳压芯片    AOS公司

AOZ8251BDI-12

绝缘栅型场效应管的输入电阻很高,如果在栅极上感应了电荷,很不容易泄放,极易将PN结击穿而造成损坏。为了避免发生PN结击穿损坏,存放时应将场效应管的3个极短接;不要将它放在静电场很强的地方,必要时可放在屏蔽盒内。焊接时,为了避免电烙铁带有感应电荷,应将电烙铁从电源上拔下。焊进电路板后,不能让栅极悬空。

91:肖特基二极管    AOS半导体

AOZ8811DI

92:锂电保护芯片   AOS美国万代

AOZ8811DT-03

(AOZ1283PI应用电路图 引脚功能图AOZ1284PI最低导通 开启电压AOZ1283PI封装 尺寸AOZ1284PI代替 替换)Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高---mosfet放大器电路工作原理:


(一)mosfet放大器电路原理-源极接地放大器

源极接地放大器是场效应管放大电路图最重要的电路形式,其工作原理如图所示。图中,交流输入电压Ui在1/4周期内处于增大的趋势,因此在这段时间内漏极电流ID增大。ID的增大使负载上的压降增大,UDS就下降;当Ui在2/4周期内时,处于减小状态,UGS增大,ID则减小,而ID的减小使负载上的压降减小,UDS就上升。以此类推,其输入与输出信号的波形如图中所示。Ui和ID的相位相同,与输出信号电压UDS的相位相反。


(二)mosfet放大器电路原理-栅极接地放大器

栅极接地放大器适用于高频宽带放大器。


(三)mosfet放大器电路原理--漏极接地放大器

漏极接地放大器也称为源极跟随器或源极输出器,相当于双极型晶体管的集电极接地电路。图为其基本连接图。源极跟随器最主要的特点是输出阻抗低。

由于场效应管的输入阻抗非常高,也就是输入电流极小,它常用于收音机电路中作为微弱信号的放大器。

① 源极接地放大器与射极跟随器(共集电极晶体管放大器)的组合

如图所示,VT1为源极接地场效应管放大器,VT2为共集电极晶体管放大器。若电路中没有设置VT2,而是将数千欧的负载RL直接作为VT1的负载,其电压增益就相当小。通过源极接地放大器与低输出阻抗的射极跟随器进行组合,就可获得较高的电压增益,这是该电路的主要特征。

② 源极接地放大器与共发射极放大器的组合

共发射极放大器的输入阻抗在103Ω的范围内,很难由场效应管直接驱动,但是,若通过一级射极跟随器,将其作为图中的负载RL接在共发射极放大器之前,就很容易驱动了,如图所示。该电路在输出级的前面加入了一级射极跟随器,以获得大电流增益,这是典型的低输出阻抗实例。

③ 将源极接地放大器与共基极放大器组合成级联式放大器

图所示是将场效应管的低噪声性与共基极放大器对高频放大的适应性相结合而产生的级联式放大器,常作为宽频带低噪声的前置放大器。

93:锂离子电池工作原理  AOS代理

AOZ8821DI-05

94:电子新闻

AOZ8821DT-03

95:AOS万代官网

AOZ8831ADI-05

96:电子元器件    AOS代理

AOZ8831DI-05

97:电子器件   AOS代理商

AOZ8831DT-03

98:碳化硅二极管   AOS半导体

AOZ8831DT-05

99:电器元件   AOS美国万代

AOZ8831DT-24

100:电路图符号大全  AOS公司

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