(AOS美国万代(万国)半导体公司代理商|泰德兰官网|AON6240mos管现货现出AO4488型号中文资料pdf|工作原理|电子新闻|摘要:(AO4488|AON6240|应用电路图|参数管脚功能|接线图|内部结构图)开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析+过电压和过电流测试电路|G,D,S|+功率MOSFET内部结构及等效电路+电池保护电路板工作波形及MOSFET失效形态+芯片的封装类型及封装工艺影响芯片的散热条件)
功率MOSFET的损坏模式有哪些？如何判断MOSFET的损坏方式？
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XC6220 |
| 1：稳压电路 晶体管 稳压管的型号 |
XC6221 | 2：绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体 | |
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XC6224 | (AO4488|AON6240|应用电路图|参数管脚功能|接线图|内部结构图)开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析-- -开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析： | 5：mos晶体管的栅极 AOS公司 |
XC6225 | 6：mos晶体管源极 AOS半导体 | |
XC6227 | 目前，功率MOSET管广泛地应用于开关电原系统及其它的一些功率电子电路中，然而，在实际的应用中，通常，在一些极端的边界条件下，如系统的输出短路及过载测试，输入过电压测试以及动态的老化测试中，功率MOSFET有时候会发生失效损坏。 | 7：vdmos，mosfet AOSMOS管 |
XC6229 | 8：MESFET工作原理 AOS模拟开关 | |
XC6230 | 工程师将损坏的功率MOSFET送到半导体原厂做失效分析后，得到的失效分析报告的结论通常是过电性应力EOS，无法判断是什么原因导致MOSFET的损坏。 | 9：双栅mosfet AOSTVS二极管 |
XC6231 | 10：功率mosfet AOSIGBT模块 | |
NCE01H29T | 本文将通过功率MOSFET管的工作特性，结合失效分析图片中不同的损坏形态，系统的分析过电流损坏和过电压损坏，同时，根据损坏位置不同，分析功率MOSFET管的失效是发生在开通的过程中，还是发生在关断的过程中，从而为设计工程师提供一些依据， 来找到系统设计的一些问题，提高电子系统的可靠性。 | |
NCE01H29TC | 12：mos场效应管参数 AOS公司 | |
NCE01H16 | 13：mos场效应管用途 AOS半导体 | |
NCE1450 | (AO4488|AON6240|应用电路图|参数管脚功能|接线图|内部结构图)开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析-- -1.过电压和过电流测试电路： | 14：mosfet AOS代理商 |
NCE1490 | ||
NCE1502R | 过电压测试的电路图如图1(a)所示，选用40V的功率MOSFET: AON6240, DFN5*6的封装。 | |
NCE1505S | 其中，所加的电源为60v，使用开关来控制，将60V的电压直接加到AON6240的D和S极，熔丝用来保护测试系统，功率MOSFET损坏后，将电源断开。测试样品数量: 5片。 | 17：mos管 场效应管的基本知识 |
NCE1507IA | 18：mos管怎么用 AOSMOS管 | |
NCE1512IA | 过电流测试的电路图如图2(b)所示， 选用40V的功率MOSFET: AON6240，DFN5*6的封装。 | |
NCE1520 | 首先合上开关A，用20V的电源给大电容充电，电容C的容值: 15mF，然后断开开关A，合上开关B，将电容C的电压加到功率MOSFET的D和S极，使用信号发生器产生一个电压幅值为4V、持续时间为1秒的单脉冲，加到功率MOSFET的C板。测试样品数量: 5片。 | |
AOZ1236QI-01 | 21：电子器件，MOS管 AOS公司 | |
AOZ1267QI-01 |
图1：测试电路图（a）过电压测试（b）过电流测试 | |
AOZ1268QI-01 | ||
AOZ1282CI | 24：热管的工作原理 | |
AOZ1282CI-2 | (AO4488|AON6240|应用电路图|参数管脚功能|接线图|内部结构图)开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析-- -2.过电压和过电流失效损坏： | 25：超结场效应管 AOS半导体 |
AOZ1283PI | 26：mos管工作用途 AOSMOS管 | |
AOZ1284PI | 将过电压和过电流测试损坏的功率MOSFET去除外面的塑料外壳，对露出的硅片正面失效损坏的形态的图片，分别如图2(a)和图2(b)所示。 | |
AOZ2151EQI-30/31 | 28：高压晶体管 AOS万代 | |
AOZ2151QI-06 |
图2：失效图片（a）过电压损坏 | 29：快恢复和超快恢复二极管 |
AOZ2151QI-09 | 30：晶体管得工作原理，mos器件 | |
M8918 | 31：mos二极管，mos AOS美国万代 | |
M8917 |
图2：失效图片（b）过电流损坏 | 32：线性稳压器，MOS管电源 |
M8916 | ||
M8915 | 34：续流二极管 | |
M8914 | 从图2(a)可以看到：过电压的失效形态是在硅片中间的某.个位置产生一 个击穿小孔洞，通常称为热点， 其产生的原因就是因为过压而产生雪崩击穿，在过压时，通常导致功率MOSFET内部寄生三极管的导通[1]，由于三极管具有负温度系数特性，当局部流过三极管的电流越大时，温度越高，而温度越高，流过此局部区域的电流就越大，从而导致功率MOSFET内部形成局部的热点而损坏。 | 35：功率开关管 AOS功率IC |
ME8205E | ||
ME6874 | 37：电容的作用 AOS美国万代 | |
ME3985DS | 硅片中间区域是散热条件最差的位置，也是最容易产生热点的地方，可以看到，上图中，击穿小孔洞即热点，正好都位于硅片的中间区域。 | |
ME3981 | 39：MOS管驱动 AOS美国万代 | |
ME3587 | 在过流损坏的条件下，图2(b)的可以看到：所有的损坏位置都是发生的S极，而且比较靠近G极，因为电容的能量放电形成大电流，全部流过功率MOSFET，所有的电流全部要汇集中S极，这样，S极附近产生电流集中，因此温度最高，也最容易产生损坏。 | 40：电感的基本知识 AOS公司 |
XC6233 | ||
XC6234 | 42：MOS管集成电路 AOS半导体 | |
XC62E | 注意到，在功率MOSFET内部，是由许多单元并联形成的，如图3(a)所示，其等效的电路图如图3(b )所示，在开通过程中，离G极近地区域，VGS的电压越高，因此区域的单元流过电流越大，因此在瞬态开通过程承担更大的电流，这样，离G极近的S极区域，温度更高，更容易因过流产生损坏。 | 43：MOS管续流二极管 AOS万代 |
XC62FJ | ||
XC62H | 45：MOS管工作详解 AOSMOS管 | |
XC62K |
图3：功率MOSFET内部结构及等效电路（a）内部结构 | |
XC6501 | ||
XC6503 | 48：mos管应用电路 AOS公司 | |
XC6504 |
图3：功率MOSFET内部结构及等效电路（b）过电流损坏 | |
XC6505 | ||
LMDL6050T1G | ||
LBAS16HT1G | (AO4488|AON6240|应用电路图|参数管脚功能|接线图|内部结构图)开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析-- -3.过电压和过电流混合失效损坏： | 52：mos管驱动芯片 AOS美国万代 |
LBAS16BST5G | 53：场效应管符号 AOS代理商 | |
LBAS516T1G | 在实际应用中，单一的过电流和过电流的损坏通常很少发生，更多的损坏是发生过流后，由于系统的过流保护电器工作，将功率MOSFET关断， 这样，在关断的过程中，发生过压即雪崩。从图4可以看到功率MOSPET先过流，然后进入雪崩发生过压的损坏形态。 | 54：MOS管开关电路 AOS公司 |
LBAS316T1G | 55：电子电路图网 AOS半导体 | |
L1SS355T1G |
图4:过流后再过压损坏形态 | |
L1SS400CST5G | 57：场效应管 AOSMOS管 | |
L1SS400GT1G | 58：24v开关电源 AOS代理商 | |
L1SS400T1G | 可以看到，和上面过流损坏形式类似，它们也发生在靠近S极的地方，同时，也有因为过压产生的击穿的洞坑，而损坏的位置远离S极，和上面的分析类似，在关断的过程，距离G极越远的位置，在瞬态关断过程中，VGS的电压越高，承担电流也越大，因此更容易发生损坏。 | 59：24v开关电源电路图 AOS公司 |
L1SS400BST5G | 60：igbt驱动电路 AOS半导体 | |
NCE1520K | 61：igbt是什么 AOS代理商 | |
NCE1520KA | (AO4488|AON6240|应用电路图|参数管脚功能|接线图|内部结构图)开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析-- -4.线性区大电流失效损坏： | 62：led电路 AOS模拟开关 |
NCE1530C | 63：led电路图 AOSTVS二极管 | |
NCE1540K | 在电池充放电保护电路板上，通常，负载发生短线或过流电，保护电路将关断功率MOSFET，以免电池产生过放电。但是，和通常短路或过流保护快速关断方式不同，功率MOSFET以非常慢的速度关断，如下图5所示，功率MOSFET的G极通过一个1M的电阻，缓慢关断。从VGS波形上看到，米勒平台的时间高达5ms。米勒平台期间，功率MOSFET工作在放大状态，即线性区。 | 64：led路灯电源 AOSIGBT模块 |
NCE1540KA | 65：led驱动 AOS功率IC | |
NCE1540AD | 66：集成电路芯片 AOS美国万代 | |
NCE1550 | 功率MOSFET工作开始工作的电流为10A，使用器件为AO4488，失效的形态如图5(c)所示。当功率MOSFET工作在线性区时，它是负温度系数，局部单元区域发生过流时，同样会产生局部热点，温度越高，电流越大，导致温度更一步增加，然后过热损坏。可以看出，其损坏的热点的面积较大，是因为此区域过一定时间的热量的积累。另外，破位的位置离G极较远，损坏同样发生的关断的过程，破位的位置在中间区域，同样，也是散热条件最差的区域。另外，在功率MOSFET内部，局部性能弱的单元，封装的形式和工艺，都会对破位的位置产生影响。 | 67：led驱动电路 AOS模拟开关 |
NCE1579 | 68：led驱动电源 AOS公司 | |
NCE1579A | 69：led驱动芯片 AOS半导体 | |
NCE1579C | 70：led照明电路 AOS代理商 | |
AOZ2151QI-10 |
图5:电池保护电路板工作波形及MOSFET失效形态(a):电池保护电路板电路 | 71：p沟道场效应管 AOSMOS管 |
AOZ2152EQI-28/29 | 72：场效应晶体管 AOS美国万代 | |
AOZ2152EQI-30/31 | 73：场效应管原理 AOS公司 | |
AOZ2152QI-06 |
图5:电池保护电路板工作波形及MOSFET失效形态(b):工作波形 | 74：场效应管型号 AOS半导体 |
AOZ2153EQI-30/31 | 75：场效应管开关电路 AOS代理商 | |
AOZ2254EQI-30/31 | 76：场效应管功率放大器 AOSMOS管 | |
AOZ2255EQI-30/31 |
图5:电池保护电路板工作波形及MOSFET失效形态(c):失效图片 | 77：电路图分析 AOS功率IC |
AOZ2260QI-10 | 78：场效应管功放电路 AOS公司 | |
AOZ2260QI-15 | 79：场效应管功放 AOS半导体 | |
AOZ2260QI-18 | 另外，一些电子系统在起动的过程中，芯片的VCC电源，也是功率MOSFET管的驱动电源建立比较慢，如在照明中，使用PFC的电感绕组给PWM控制芯片供电，这样，在起动的过程中，功率MOSFET由于驱动电压不足，容易进入线性区工作。在进行动态老化测试的时候，功率MOSFET不断的进入线性区工作，工作一段时间后， 就会形成局部热点而损坏。 | 80：场效应管工作原理 AOS代理商 |
M8900 | 81：场效应管工作电压 AOS美国万代 | |
M8920 | 82：场效应管符号 AOS公司 | |
M8912 | 使用AOT5N50作测试，G极加5V的驱动电压，做开关机的重复测试，电流ID=3，工作频率8Hz重复450次后，器件损坏，波形和失效图片如图6(b)和(c)所示。可以看到，器件形成局部热点，而且离G极比较近，因此，器件是在开通过程中，由于长时间工作线性区产生的损坏。 | 83：场效应管的作用 AOSMOS管 |
M8911A | 84：场效应管的参数 AOS半导体 | |
M8911 | 85：场效应管测量 AOS美国万代 | |
ME3500 | 图6(a)是器件AOT5N50在 一个实际应用中，在动态老化测试过程生产失效的图片，而且测试实际的电路，起动过程中，MOSFET实际驱动电压5V，MOSFET工作在线性区，失效形态和图6(b)相同。 | 86：稳压电源电路图 AOS代理商 |
ME3491D | 87：稳压二极管参数 AOS半导体 | |
MESS84W |
图6: MOSFET开通工作在线性区工作波形及失效形态--失效图片(a) 失效图片(b) | 88：电路图符号 AOSMOS管 |
MESS138W | 89：稳压二极管型号 AOS美国万代 | |
ME2645 | 90：稳压芯片 AOS公司 | |
XC6601 |
图6: MOSFET开通工作在线性区工作波形及失效形态--(c)失效图片 | 91：肖特基二极管 AOS半导体 |
XC6602 | 92：锂电保护芯片 AOS美国万代 | |
XC6603 | ||
XC6604 | (AO4488|AON6240|应用电路图|参数管脚功能|接线图|内部结构图)开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析--- 5.结论： ( 1 )功率MOSFET单一的过电压损坏形态通常是在中间散热较差的区域产生一个 局部的热点，而单一的过电流的损坏位置通常是在电流集中的靠近S极的区域。实际应用中，通常先发生过流，短路保护MOSFET关断后，又经历雪崩过压的复合损坏形态。 (2)损坏位置距离G极近，开通过程中损坏的几率更大；损坏位置距离G极远，关断开通过程中损坏几率更大。 (3)功率MOSFET在线性区工作时，产生的失效形态也是局部的热点，热量的累积影响损坏热点洞坑的大小。 ( 4)散热条件是决定失效损坏发生位置的重要因素，芯片的封装类型及封装工艺影响芯片的散热条件。另外，芯片生产工艺产生单元性能不致而形成性能较差的单元，也会影响到损坏的位置。
AOS代理商,AOS公司是功率半导体芯片IC,模拟开关芯片IC,瞬态电压抑制/TVS二极管,高低压MOSFET/大小功率MOS管,IGBT模块生产商,AOS代理商泰德兰提供AOS公司中国现货及AOS公司半导体订货,AOS公司授权AOS代理商泰德兰电子,AOS是美国万代（万国）半导体公司。
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XC6702 | 96：电子元器件 AOS代理 | |
XC6901 | 97：电子器件 AOS代理商 | |
XC6902 | 98：碳化硅二极管 AOS半导体 | |
XCM406 | 99：电器元件 AOS美国万代 | |
XCM414 | 100：电路图符号大全 AOS公司 |
