(AO6800数据手册AOTS32348C中文资料)MOS管开关电源调试问题;空载/轻载输出反跳;输出纹波过大;重载/容性负载不能启动
2019-12-04 11:46:45
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(AOTS32348C是AO6800的升级版本,参数规格一样通用,区别是旧版与新版料号。)

                                                                                                            查看及下载 AO6800规格书详情,请点击下图。

QM4015S

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-mos管开关电源调试10大问题汇总及解决方法详解

n mos的s

QM3003S

n沟道mos选型

QM6003S

本文主要讲开关电源调试问题有哪些,开关电源不同于线性电源,开关电源利用的切换晶体管多半是在全开模式(饱和区)及全闭模式(截止区)之间切换,

n沟道场效应管

QM4014S

这两个模式都有低耗散的特点,切换之间的转换会有较高的耗散,但时间很短,因此比较节省能源,产生废热较少。

管型号

QM3001S

理想上,开关电源本身是不会消耗电能的。电压稳压是透过调整晶体管导通及断路的时间来达到。相反的,线性电源在产生输出电压的过程中,晶体管工作在放大区,本身也会消耗电能。

管极限参数

QM4004S

开关电源的高转换效率是其一大优点,而且因为开关电源工作频率高,可以使用小尺寸、轻重量的变压器,因此开关电源也会比线性电源的尺寸要小,重量也会比较轻。

n沟道mos管导通条件

QM3202S

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-开关电源调试问题(1)-空载、轻载输出反跳

管产品

QM3201S

现象:在输出空载或轻载时,关闭输入电压,输出(如5V)可能会出现如下图所示的电压反跳的波形。

管做放大

QM3203S

n沟道

QM3002V

n沟道增强型mos管

AOSP32314

原因:输入关掉时,5V输出将会下降,Vcc也跟着下降,IC停止工作,但是空载或轻载时,巨大的PC电源大电容电压

n沟道mosfet怎么并联

AON7520C

并不能快速下降,仍然能够给高压启动脚提供较大的电流使得IC重新启动,5V又重新输出,反跳。


AONS32310

解决方法:在启动脚串入较大的限流电阻,使得大电容电压下降到仍然比较高的时候也不足以提供足够的启动电流给IC。

 fet

AONS32311

将启动接到整流桥前,启动不受大电容电压影响。输入电压关断时,启动脚电压能够迅速下降。

-3055

AONR21117

开关电源的工作条件:1、开关:电力电子器件工作在开关状态而不是线性状态。2、高频:电力电子器件工作在高频而不是接近工频的低频。3、直流:开关电源输出的是直流而不是交流。

电压过高

AONS21113C

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-开关电源调试问题(2)-重载、容性负载不能启动

n沟道mos管开关电路

AONS36323

现象:轻载能够启动,启动后也能够加重载,但是重载或大容性负载情况下不能启动。

n沟道场效应管

AONR32346C

一般设计要求:无论重载还是容性负载(如10000uF),输入电压最低还是最低,20mS内,输出电压必须上升到稳定值。

双管

AONS36318

原因及解决办法(保证Vcc在正常工作范围内的前提下):下面以容性负载C=10000uF为例进行分析,按规格要求,必须有足够的能量使输出在20mS内上升到稳定的输出电压(如5V)。

n管 p管 功能

AOTS32344C

E=0.5*C*V^2电容C越大,需要在20mS内从输入传输到输出的能量更大。

n沟道和p沟道

NCE4963

以芯片FSQ0170RNA为例如图所示,阴影部分总面积S就是所需的能量。要增加面积S,办法是:

n沟道和npn三极管

NCE20P09S

高压n  mos

NCE2303

常用管型号 5v

NCE2301

制造管

NCE3415

1)启动时,增加传递能量的时间,即延长Vfb的上升时间(到达OCP保护点前)。

n沟道  15v30ma

NCE3401A

2)增大峰值电流限流点I_limit,可允许流过更大电感电流Id:将与Pin4相接的电阻增大,从内部电流源Ifb分流更小,

管的制造流程

NCE30P08S

使作为电流限制参考电压的PWM比较器正输入端的电压将上升,即允许更大的电流通过MOSFET/变压器,可以提供更大的能量。

管电路

NCE4801

IC的OCP功能是检测Vfb达到Vsd(如6V)实现的。所以要降低Vfb斜率,就可以延长Vfb的上升时间。

管栅极

NCE3407

n沟道mos管

NCE3401

对这款FSQ0170RNA芯片,电感电流控制是以Vfb为参考电压的,Vfb电压的波形与电感电流的包络成正比。控制Vfb的上升时间即可控制电感包络的上升时间,即增加传递能量的时间。

管插件封装

XCL214B123DR

输出电压未达到正常值时,如果反馈脚电压Vfb已经上升到保护点,传递能量时间不够。重载、容性负载启动时,输出电压建立较慢,加到光耦电压较低,通过光耦二极管的电流小,光耦光敏管高阻态(趋向关断)的时间较长。

管开关电路图

XP151A13A0MR

IC内部电流源给与反馈脚相接的电容充电较快,如果Vfb在这段时间内上升到保护点(如6V),MOSFET将关断。输出不能达到正常值,启动失败。

管开关工作原理

XP152A12C0MR

解决办法:使输出电压达到正常值时,反馈脚电压Vfb仍然小于保护点。使Vfb远离保护点而缓慢上升,或延长反馈脚Vfb上升到保护点的时间,即降低Vfb的上升斜率,使输出有足够的时间上升到正常值。

管工作原理

XP152A12C0MRN

联一个电容(C11),电源启动时,C11电压较低,并由光耦二极管和431的偏置电阻R10进行充电。这样光耦就有较大电流通过,

管封装

XP161A11A1PR

使光耦光敏管阻抗较低而分流,Vfb将缓慢上升,如C线所示。R10×C11影响充电时间,也就影响输出的上升时间。

管导通条件

XP161A1355PR-G

由于A方法有不足,将一个电容(C7)串连稳压管(D6,3.3V)并联到反馈脚。此法不会影响正常工作,如B线所示,当Vfb<3.3V时,稳压管不会导通,分流。

mosfet晶体管和管

XP162A12A6PR

上升3.3V时,稳压管进入稳压状态,电容C7开始充电分流,减小后续Vfb的上升斜率。C。在431的K-A端并

n沟道mos管工作原理

XP162A12A6PR-G

增大反馈电容(C9),可以将Vfb的上升斜率降低,如图所示,由D线变成A线。但是反馈电容太大会影响正常工作状态,降低反馈速度,使输出纹波变大。所以此电容不能变化太大。

管g极能否悬空

XC6206P122MR

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-开关电源调试问题(3)-空载,轻载输出纹波过大

管  漏极烧坏

XC6206P132MR

现象:Vcc在空载或轻载时不足。解决方法:保证任何负载条件下,Vcc能够稳定供给。

M6362A

原因:Vcc不足时,在启动电压(如12V)和关断电压(如8V)之间振荡IC在周期较长的间歇工作,短时间提供能量到输

开关驱动电路

M6103

出,接着停止工作较长的时间,使得电容存储的能量不足以维持输出稳定,输出电压将会下降。

开关电路

M6101

现象:Burst Mode时,间歇工作的频率太低,此频率太低,输出电容的能量不能维持稳定。

n沟道和p沟道

M5576

解决办法:在满足待机功耗要求的条件下稍微提高间歇工作的频率,增大输出电容。


M5573

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-开关电源调试问题(4)-短路功率过大

与区别

ME2614

现象:输出短路时,输入功率太大,Vds过高。

n沟道

ME2612

原因:输出短路时,重复脉冲多,同时开关管电流峰值很大,造成输入功率太大过大的开关管电流在漏感上存储过大的能量,开关管关断时引起Vds高。

c009n mos pdf

ME2608

输出短路时有两种可能引起开关管停止工作:

856847  2 controller

ME2602

一)触发内部限流:这种方式发生时,限制可占空比,依靠Vcc下降到UVLO下限而停止开关动作,而Vcc下降的时间较长,即开关动作维持较长时间,输入功率将较大。

60v sot23

ME2514

a.触发内部限流,占空比受限;b.Vcc下降到IC关闭电压;c.开关动作停止;d.Vcc重新上升到IC启动电压,而重新启动。

4个管 h桥驱动

QM3001V

解决办法:1)减小峰值电流。2)减少电流脉冲数,使输出短路时触发反馈脚的OCP,可以使开关动作迅速停止工作,

管型号

QM3805V

电流脉冲数将变少。这意味着短路发生时,反馈脚的电压应该更快的上升。所以反馈脚的电容不可太大;

p沟道场效应管

QM2417Y1

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-开关电源调试问题(5)-待机输入功率大

管g17-6a

QM2520C1

现象:Vcc在空载、轻载时不足。这种情况会造成空载、轻载时输入功率过高,输出纹波过大。

的g端电压最大

QM6015B

原因:输入功率过高的原因是,Vcc不足时,IC进入反复启动状态,频繁的需要高压给Vcc电容充电,造成起动电路损耗。

的gs电压

QM4016D

如果启动脚与高压间串有电阻,此时电阻上功耗将较大,所以启动电阻的功率等级要足够。

控制电压高关断

QM3015D

电源IC未进入Burst Mode或已经进入Burst Mode,但Burst 频率太高,开关次数太多,开关损耗过大。

开关电路关不了

QM6013D

解决办法:调节反馈参数,使得反馈速度降低。

开关电源电路

QM6015D

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-开关电源调试问题(6)-启动后不能加重载

fet   sw2301 sot-723

QM4013AD

原因及解决办法:1)内部限流被触发:a、电流上升斜率太大;上升斜率太大,电流的峰值会更大,容易触发内部限流保护。解决办法是在不使变压器饱和的前提下提高感量。

大功率

AONS36322

b、限流点太低;重载、容性负载时,如果限流点太低,流过MOSFET的电流被限制而不足,使得输出不足。解决办法是增大限流脚电阻,提高限流点。

型号

AONR21321

2)Vcc在重载时过高:重载时,Vcc绕组感应电压较高,使Vcc过高并达到IC的OVP点时,将触发IC的过压保护,引起无输出。如果电压进一步升高,超过IC的承受能力,IC将会损坏。

关断

AO3400C

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-开关电源调试问题(7)-空载、轻载不能启动

串在电源中

AO3415C

现象:空载、轻载不能启动,Vcc反复从启动电压和关断电压来回跳动。

中vsd电压

AO3401C

原因:空载、轻载时,Vcc绕组的感应电压太低,而进入反复重启动状态。

500v

AON7544

解决办法:增加Vcc绕组圈数,减小Vcc限流电阻,适当加上假负载。如果增加Vcc绕组圈数,减小Vcc限流电阻后,重载时Vcc变得太高,请参照稳定Vcc的办法。

p  mos保护

AOSP21341C

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-开关电源调试问题(8)-IC温度过高

100v   1a

AOSP21321

原因及解决办法:1)IC周围空气温度太高:IC应处于空气流动畅顺的地方,应远离零件温度太高的零件。

 体二极管

AON6512

2)散热不良:IC的很大一部分热量依靠引脚导到PCB及其上的铜箔,应尽量增加铜箔的面积并上更多的焊锡.

 s极接对地计算

AONS32310

3)内部的MOSFET损耗太大:开关损耗太大,变压器的寄生电容太大,造成MOSFET的开通、关断电流与Vds的交叉面积大。

 sd sgcc com cn

XC6206P152MR

解决办法:增加变压器绕组的距离,以减小层间电容,如同绕组分多层绕制时,层间加入一层绝缘胶带(层间绝缘) 。

 buck

XC6206P182MR

(AO6800数据手册AOTS32348C中文资料)MOS管开关电源调试问题;空载/轻载输出反跳;输出纹波过大;重载/容性负载不能启动--

-开关电源调试问题(9)-Vds过高

 600v

XC6206P182MR-G

Vds的应力要求:最恶劣条件(最高输入电压,负载最大,环境温度最高,电源启动或短路测试)下,Vds的最大值不应超过额定规格的90%

 150v

XC6206P252MR

Vds降低的办法:1)减小平台电压:减小变压器原副边圈数比;2)减小尖峰电压:

p沟道mos管组合双向关断

XC6206P262MR

a.调整吸收电路:①使用TVS管;②使用较慢速的二极管,其本身可以吸收一定的能量(尖峰);③插入阻尼电阻可以使得波形更加平滑,利于减小EMI。

 -30v -20a to252

XC6206P272MR

b.减小漏感:变压器漏感在开关管开通是存储能量是产生这个尖峰电压的主要原因,减小漏感可以减小尖峰电压。

  无内置二极管

XC6206P282MR

(AO6800数据手册AOTS32348C中文资料)MOS管开关电源调试问题;空载/轻载输出反跳;输出纹波过大;重载/容性负载不能启动--

-开关电源调试问题(10)-变压器饱和

   -10a

XC6206P302MR

变压器饱和现象:在高压或低压输入下开机(包含轻载,重载,容性负载),输出短路,动态负载,高温等情况下,通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长,

XC6206P302MR-G

当出现此现象时,电流的峰值无法预知及控制,可能导致电流过应力和因此而产生的开关管过压而损坏。

管电路

XC6206P312MR

500v的

NCE3401Y

管等效电路图

NCE3407A

容易产生饱和的情况:1)变压器感量太大;2)圈数太少;3)变压器的饱和电流点比IC的最大限流点小;4)没有软启动。

管符号

NCE3407AY

解决办法:1)降低IC的限流点;2)加强软启动,使通过变压器的电流包络更缓慢上升。

常用管型号  5v

NCE30P20Q

100v  10a 管  sop8

NCE3401AY

高端驱动电路

NCE9435

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p沟道mos管双向关断

NCE9435A

管等效电路图

NCE4953

以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,全面贯彻党的十九大和十九届二中、三中、四中全会精神,坚持新发展理念,坚持推动高质量发展,以供给侧结构性改革为主线,加快推动由商品和要素流动型开放向规则等制度型开放转变,建设更高水平开放型经济新体制,完善涉外经贸法律和规则体系,深化外贸领域改革,坚持市场化原则和商业规则,强化科技创新、制度创新、模式和业态创新,以共建“一带一路”为重点,大力优化贸易结构,推动进口与出口、货物贸易与服务贸易、贸易与双向投资、贸易与产业协调发展,促进国际国内要素有序自由流动、资源高效配置、市场深度融合,促进国际收支基本平衡,实现贸易高质量发展,开创开放合作、包容普惠、共享共赢的国际贸易新局面,为推动我国经济社会发展和构建人类命运共同体作出更大贡献。


到2022年,贸易结构更加优化,贸易效益显著提升,贸易实力进一步增强,建立贸易高质量发展的指标、政策、统计、绩效评价体系。加快创新驱动,培育贸易竞争新优势:


(一)完善中介组织和智力支撑体系。加强与国际组织、各国各地区相关机构和工商业界交流合作,充分发挥行业组织、贸促机构在贸易促进、信息交流、标准体系建设、行业自律、应对摩擦等方面的作用,助力外贸高质量发展。设立推进贸易高质量发展专家咨询委员会。强化外贸发展人才支撑。


(二)加强贸易领域风险防范。加快出口管制体系建设,强化最终用户最终用途管理。继续敦促相关国家放宽对华出口管制。建立出口管制合规体系。完善对外贸易调查制度。健全产业损害预警体系。妥善应对贸易摩擦。提升运用贸易救济规则能力和水平。研究设立贸易调整援助制度。加强风险监测分析预警,引导企业防范风险。


(三)加大政策支持力度。在符合世界贸易组织规则前提下,发挥财政资金对贸易发展的促进作用。结合增值税改革和立法,逐步完善出口退税机制。在依法合规、风险可控、商业可持续前提下,支持金融机构有序开展金融创新,提供多样化、综合化金融服务。进一步发挥进出口信贷和出口信用保险作用。稳步提高跨境贸易人民币结算比例,扩大经常项目人民币跨境使用,拓宽人民币跨境投融资渠道。


(四)健全法律法规体系。落实全面依法治国基本方略,不断完善贸易及相关领域国内立法,为贸易高质量发展提供法治保障。促进国内经贸立法与国际经贸规则的良性互动。加强贸易政策合规工作。


(五)加强党对推进贸易高质量发展工作的全面领导。建立推进贸易高质量发展工作机制,整体推进贸易高质量发展,工作机制办公室设在商务部。商务部会同有关部门,加强协调指导,制定行动计划。


(六)加快高标准自由贸易区建设。不断扩大自由贸易区网络覆盖范围,加快形成立足周边、辐射“一带一路”、面向全球的高标准自由贸易区网络。推动与世界重要经济体商建自由贸易区进程,努力提高开放水平,扩大市场准入,提高规则标准。


(七)建设性参与全球经济治理,推动区域、次区域合作。维护以规则为基础的开放、包容、透明、非歧视性等世界贸易组织核心价值和基本原则,反对单边主义和保护主义,推动对世界贸易组织进行必要改革。积极参与多边贸易规则谈判,维护多边贸易体制的权威性和有效性。深入参与二十国集团、金砖国家、亚太经合组织、湄公河次区域经济合作、大图们倡议等多边和区域、次区域合作机制,积极贡献更多中国倡议、中国方案。


(八)促进贸易投资自由化便利化。积极开展共建“一带一路”经贸领域合作、三方合作、多边合作,推进合作共赢的开放体系建设,加强贸易和投资领域规则标准对接。推动削减非关税壁垒,提高技术性贸易措施透明度,提升贸易投资便利化水平。


(九)创新投资合作。拓宽双向投资领域,推动绿色基础设施建设、绿色投资,推动企业按照国际规则标准进行项目建设和运营。鼓励合作建设境外经贸合作区、跨境经济合作区等产业园区,促进产业集群发展。推动新兴产业合作。推进商建投资合作工作机制。


(十)深化贸易合作。拓宽贸易领域,推动优质农产品、制成品和服务进口,促进贸易平衡发展。发展特色服务贸易。推进中欧班列、西部陆海新通道等国际物流和贸易大通道建设。发展“丝路电商”,鼓励企业在相关国家开展电子商务。积极开展促贸援助。推进商建贸易畅通工作机制。


(十一)加强知识产权保护和信用体系建设。加大对侵权违法行为的惩治力度。加强知识产权保护国际合作,积极参与相关国际规则构建。完善海外知识产权维权援助机制。推进商务、知识产权、海关、税务、外汇等部门信息共享、协同执法的监管体系建设。建立经营主体信用记录,实施失信联合惩戒。


(十二)充分发挥自由贸易试验区示范引领作用,高水平建设中国特色自由贸易港。以制度创新为核心,推动自由贸易试验区先行先试,开展首创性、差别化改革探索,加快形成法治化国际化便利化的营商环境和公平开放统一高效的市场环境。探索实施国际通行的货物、资金、人员出入境等管理制度。积极复制推广改革试点经验。加快探索建设自由贸易港,打造开放层次更高、营商环境更优、辐射作用更强的开放新高地。


管开关电路

NCE4953A

p沟道mos管开关电路

NCE30P28Q

表示与、或逻辑

M5358替代SP5628

40v小电流p沟道

M5358替代CR6228

耗尽管的应用

M5832替换LY2920

用p  mos做防倒流电路

M5832可替换OB2532

如何测试p mos

M5358替换OB2358

高端驱动

ME2508

防反接电路

ME2N7002F

管工作原理

ME2N7002E1

mos管n  p沟道区别

ME2N7002E

控制24v

ME2N7002D2

p  mos电路

品质第一

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