深入学习MOS管工作原理,快速了解MOS管结构原理图,通俗易懂 !
2021-04-13 11:04:33
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今天泰德兰电子网编就和大家分享一篇关于MOS管结构原理图,很多朋友都在网上找答案,为此小编整理了本文章分享给有需要的朋友,也欢迎大家一起探讨!

1、结构和符号(以 N沟道增强型为例)

在一块浓度较低的 P型硅上扩散两个浓度较高的 N 型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

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其他 MOS管符号

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2、工作原理(以 N沟道增强型为例)

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(1)VGS=0 时,不管 VDS 极性如何,其中总有一个 PN 结反偏,所以不存在导电沟道。

VGS=0,ID=0

VGS 必须大于 0,管子才能工作。

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(2)VGS》0 时,在 Sio2 介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥 P 区多子空穴而吸引少子电子。当 VGS 达到一定值时 P 区表面将形成反型层把两侧的 N 区沟通,形成导电沟道。

VGS》0→g 吸引电子→反型层→导电沟道

VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑

(3)VGS≥VT 时而 VDS 较小时:

VDS↑→ID↑

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VT:开启电压,在 VDS 作

用下开始导电时的 VGS°

VT=VGS—VDS

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(4)VGS》0 且 VDS 增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。

VDS↑→ID 不变

mos 管三个极分别是什么及判定方法

mos 管的三个极分别是:G(栅极),D(漏极)s(源及),要求栅极和源及之间电压大于某一特定值,漏极和源及才能导通。

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1. 判断栅极 G

MOS 驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如 MOS管 的 G 信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻,易热损坏 MOS管 GS 间存在一定电容,假如 G 信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间。

将 G-S 极短路,选择万用表的 R×1 档,黑表笔接 S 极,红表笔接 D 极,阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为 G 极,由于它和另外两个管脚是绝缘的。

2. 判断源极 S、漏极 D

将万用表拨至 R×1k 档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是 S 极,红表笔接 D 极。因为测试前提不同,测出的 RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。

3. 丈量漏 - 源通态电阻 RDS(on)

在源 - 漏之间有一个 PN 结,因此根据 PN 结正、反向电阻存在差异,可识别 S 极与 D 极。例如用 500 型万用表 R×1 档实测一只 IRFPC50 型 VMOS 管,RDS(on)=3.2W,大于 0.58W(典型值)。

测试步骤:

MOS 管的检测主要是判断 MOS管漏电、短路、断路、放大。

其步骤如下:

假如有阻值没被测 MOS 管有漏电现象。

1、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则 MOS 管漏电,不变则完好

2、然后一根导线把 MOS 管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则 MOS 完好。

3、把红笔接到 MOS 的源极 S 上,黑笔接到 MOS 管的漏极上,好的表针指示应该是无限大。

4、用一只 100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和漏极上,然后把红笔接到 MOS 的源极 S 上,黑笔接到 MOS 管的漏极上,这时表针指示的值一般是 0,这时是下电荷通过这个电阻对 MOS 管的栅极充电,产生栅极电场,因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。

MOS 管(场效应管)的应用领域

1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3:交通运输领域、车载逆变器、汽车 HID 安定器、电动自行车

4:绿色照明领域、CCFL 节能灯、LED 照明电源、金卤灯镇流器

MOS管降压电路

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图中 Q27 是 N 沟道 MOS 管,U22A 的 1 脚输出高电平时 Q27 导通,将 VCC—DDR 内存电压降压,得到 1.2V—HT 总线供电,而 U22A 的 1 脚输出低电平时 Q27 截止,1.2V_HT 总线电压为 0V。

本文由 深圳市泰德兰电子有限公司 网编通过英文规格书资料翻译整理分享,由于深圳市泰德兰电子有限公司 长期代理电源ic,快充ic芯片,mos管等芯片,所以对这版块的相关技术知识进行分享,欢迎大家下方留言互动。


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