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  • The ME2N7002D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching , and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

  • ● Simple Drive Requirement

    ● Small Package Outline

    ● ROHS Compliant

    ● ESD Rating = 2000V HBM

品质第一

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