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台湾 松木 MOS管
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SOT-23
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The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
ME2345A是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在这些电路中，需要在非常小的外形表面安装包中进行切换和低串联功耗。
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● RDS(ON) ≦68mΩ@VGS=-10V
● RDS(ON) ≦80mΩ@VGS=-4.5V
● RDS(ON) ≦100mΩ@VGS=-2.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
应用：
●笔记本中的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●负荷开关
●差示扫描量热仪
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