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台湾松木MOS管 ME2345A数据手册规格书ME2345A中文资料pdf

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.


    ME2345A是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在这些电路中,需要在非常小的外形表面安装包中进行切换和低串联功耗。

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  • ● RDS(ON) ≦68mΩ@VGS=-10V

    ● RDS(ON) ≦80mΩ@VGS=-4.5V

    ● RDS(ON) ≦100mΩ@VGS=-2.5V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability


    应用:


    ●笔记本中的电源管理


    ●便携式设备


    ●电池供电系统


    ●负荷开关


    ●差示扫描量热仪

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