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台湾松木MOS管 ME1303数据手册规格书ME1303中文资料pdf

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The ME1303 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.


    应用:

    ●笔记本中的电源管理


    ●便携式设备


    ●负荷开关


    ●差示扫描量热仪


  • ● RDS(ON) ≦95mΩ@VGS=-4.5V

    ● RDS(ON) ≦120mΩ@VGS=-2.5V

    ● RDS(ON) ≦180mΩ@VGS=-1.8V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability


品质第一

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价格合理

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交货快捷

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