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台湾松木MOS管 ME200N04T数据手册规格书ME200N04T中文资料pdf

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.


    应用:

    ●电源管理


    ●DC/DC转换器


    ●负荷开关


  • ● RDS(ON)≦3.5mΩ@VGS=10V

    ● RDS(ON)≦4.7mΩ@VGS=5V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

品质第一

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价格合理

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