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台湾松木MOS管ME4413D规格书12V11.5A的P沟道mosfet管

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The ME4413D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

    ME4413D是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在非常小的外形表面贴装封装中需要低串联功耗。


    特征


    RDS(开)[email protected]=-4.5V


    RDS(开)[email protected]=-2.5V


    RDS(开)[email protected]=-1.8V


    极低RDS的超高密度单元设计(开)


    静电防护


    应用


    笔记本电源管理


    便携式设备


    电池供电系统 

    台湾松木MOS管一级代理商[泰德兰电子]销售:P沟道MOS管MOSFET场效应管12V11.5A/型号ME4413D,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS管MOSFET场效应管ME4413D报价,MOS管MOSFET场效应管ME4413D的功能介绍,MOS管MOSFET场效应管ME4413D特点/概况,MOS管MOSFET场效应管ME4413D技术资料文档下载,MOS管MOSFET场效应管ME4413D数据手册规格书,MOS管MOSFET场效应管ME4413D中文资料pdf,MOS管MOSFET场效应管ME4413D最低导通开启电压参数,MOS管MOSFET场效应管ME4413D应用电路图,MOS管MOSFET场效应管ME4413D引脚功能图.MOS管MOSFET场效应管ME4413D AOS官网,MOS管MOSFET场效应管ME4413D AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.

  • FEATURES

    ● RDS(ON) ≦13mΩ@VGS=-4.5V

    ● RDS(ON) ≦17mΩ@VGS=-2.5V

    ● RDS(ON) ≦26mΩ@VGS=-1.8V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● ESD protection

    APPLICATIONS

    ● Power Management in Note book

    ● Portable Equipment

    ● Battery Powered System


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品质第一

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