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台湾松木MOS管 ME4472数据手册规格书ME4472中文资料pdf

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The ME4472 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as notebook computer power management and other battery powered circuits where Low-side switching,and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

    ME4472是N通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合于低压应用,如笔记本电脑电源管理和其他电池在一个非常小的外形表面贴装封装中,需要低侧开关和低内联功率损耗的功率电路。

  • ● RDS(ON)≦71mΩ@VGS=10V

    ● RDS(ON)≦79mΩ@VGS=6V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

    应用:

    ●DC/DC转换器和离线式UPS


    分布式电源架构和VRM


    24伏和48伏系统的主开关


    ●高压同步整流器


品质第一

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