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  • The AON6910A is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization.It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6B package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Q2 "Low Side" MOSFET is desgined for low RDS(ON)to reduce conduction losses.Power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)and Crss.In addition,switching behavior is well controlled with a "Schottky style" soft recovery body diode.

    的aon6910a的目的是提供一个高效率同步降压功率级的优化布局和电路板空间利用。它包括两个专门的MOSFET在双电源dfn5x6b包。“高侧MOSFET Q1”设计minimze开关损耗。“低侧MOSFET Q2”设计的低RDS(ON)降低传导损耗,功率损耗最小化由于极低的RDS(on)和组合等。此外,转换行为与“肖特基式“软恢复体二极管控制。

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  • 制造商零件编号:AON6910A

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.1A,16A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 9.1A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):670pF @ 15V

    功率 - 最大值:1.9W,2W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘

    供应商器件封装:8-DFN(5x6)


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