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MOSFET/MOS管/场效应管
- 产品概况
- 产品特点
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The AON6918 is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6A package. The Q1"High Side" MOSFET is designed to minimize switchinglosses. The Q2 "Low Side" MOSFET is designed for lowRDS(ON) to reduce conduction losses. The AON6918 is well suited for use in compact DC/DC converter applications.
的aon6918的目的是提供一个高效率同步降压功率级的优化布局和电路板空间利用率。它包括两个专门的MOSFET在双电源dfn5x6a包。“高侧MOSFET Q1”目的是最大限度地减少开关损耗。“低侧MOSFET Q2”是专为lowrds（上）减少传导损耗。的aon6918非常适合用在紧凑型DC/DC变换器中的应用。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AON6918
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN
系列：-
FET 类型：2 个 N 通道（半桥）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：60A，85A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1560pF @ 15V
功率 - 最大值：2W，2.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）
