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  • The AON6926 is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6A package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Q2 "Low Side" MOSFET is an SRFET™ that features low RDS(ON)to reduce conduction losses as well as an integrated Schottky diode with low QRRand Vf to reduce switching losses. The AON6926 is well suited for use in compact DC/DC converter applications.

    AON6926设计用于提供高效率的同步降压电源级,具有最佳布局和电路板空间利用率。它包括两个特殊的MOSFET双电源DFN5X6A封装。Q1“高侧”MOSFET被设计为最小化开关损耗。Q2“低侧”MOSFET是一种低RDS(ON)的SRET晶体管,以减少传导损耗,以及具有低QRRand Vf的集成肖特基二极管,以减少开关损耗。该AON6926非常适合用于紧凑型DC/DC转换器应用。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司

  • 制造商零件编号:AON6926

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A,12A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11 毫欧 @ 20A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1380pF @ 15V

    功率 - 最大值:1.9W, 2.1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerVDFN

    供应商器件封装:8-DFN(5x6)


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