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MOSFET/MOS管/场效应管
- 产品概况
- 产品特点
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The AO9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch.LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AO9926B
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：630pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
