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MOSFET/MOS管/场效应管
- 产品概况
- 产品特点
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AO4629 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This complementary N and P channel MOSFET configuration is ideal for low Input Voltage inverter applications.LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AO4629
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
系列：-
FET 类型：N 和 P 沟道，共漏
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A，5.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：310pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
