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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AOT2910L & AOB2910L & AOTF2910L uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance.Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON),Ciss and Coss. This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom,industrial power supplies and LED backlighting.
联系资料：
企 业：AOS代理商,TOREX代理商,MOJAY茂捷,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
企业网站：www.tdldz.com
电 话：0755-83322522
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Q Q：2853781768
联 系人 ：杨小姐
手 机：13189714166
地 址：深圳市福田区振兴路华康大厦1栋405室
AOT29 10L和AOB29 10L和AOTF29 10L使用沟槽MOSFET技术，它独特地优化以提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）、Ciss和COS的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该设备是理想的升压转换器和同步整流器消费，电信，工业电源和LED背光照明。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AOTF2910L
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 100V 22A TO220
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：22A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1190pF @ 50V
功率 - 最大值：2.1W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F
