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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AOD4S60 & AOI4S60 & AOU4S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications.By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline powersupply designs.
联系资料：
企 业：AOS代理商,TOREX代理商,MOJAY茂捷,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
企业网站：www.tdldz.com
电 话：0755-83322522
传 真：0755-83648400
Q Q：2853781768
联 系人 ：杨小姐
手 机：13189714166
地 址：深圳市福田区振兴路华康大厦1栋405室
AOD4S60和AOI4S60和Aou4S60已经采用先进的αMOSTM高电压工艺制造，其设计用于在开关应用中提供高性能和稳健性。通过提供低RDS（ON）、Qg和EOS以及保证雪崩能力，这些部件可以是AD。快速选择新的和现有的离线电源设计。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AOD4S60
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列：aMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：900 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：263pF @ 100V
功率 - 最大值：56.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
