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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AOT11S65 & AOB11S65 & AOTF11S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications.By providing low RDS(on), Qg and EOSSalong with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.
联系资料：
企 业：AOS代理商,TOREX代理商,MOJAY茂捷,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
企业网站：www.tdldz.com
电 话：0755-83322522
传 真：0755-83648400
Q Q：2853781768
联 系人 ：杨小姐
手 机：13189714166
地 址：深圳市福田区振兴路华康大厦1栋405室
该公司已与aotf11s65 aot11s65 aob11s65 fabricatedαmostm采用先进工艺，设计了一种高电压交付的性能和鲁棒性高的水平，在开关的应用程序。通过提供低RDS（ON），与总部和eossalong雪崩能力可以保证这些部件通过对新的和现有的快速离线电源的设计.LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AOTF11S65
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
系列：aMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：399 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：646pF @ 100V
功率 - 最大值：31W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F
