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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AOD6N50 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this device can be adopted quickly into new and existing offline powersupply designs.
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AOD6N50是采用先进的高电压MOSFET工艺制造的，其设计用于在高性能的AC-DC应用中提供高水平的性能和稳健性。通过提供低RDS（ON）、Ciss和CRSS以及保证雪崩能力，该器件可以迅速地被引入新的器件中。以及现有离线电源设计。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AOD6N50
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.3A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：670pF @ 25V
功率 - 最大值：104W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
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