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The AOD6N50 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this device can be adopted quickly into new and existing offline powersupply designs.
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AOD6N50是采用先进的高电压MOSFET工艺制造的,其设计用于在高性能的AC-DC应用中提供高水平的性能和稳健性。通过提供低RDS(ON)、Ciss和CRSS以及保证雪崩能力,该器件可以迅速地被引入新的器件中。以及现有离线电源设计。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号:AOD6N50
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.3A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):670pF @ 25V
功率 - 最大值:104W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
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