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  • The AOI2N60 has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this part can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.


    联系资料:


    企    业:AOS代理商,TOREX代理商,MOJAY茂捷,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司


    企业网站:www.tdldz.com


    电    话:0755-83322522


    传    真:0755-83648400


    Q      Q:2853781768


    邮    箱:[email protected]


    联 系人 :杨小姐


    手    机:13189714166


    地    址:深圳市福田区振兴路华康大厦1栋405室

    AOI2N60是采用先进的高电压MOSFET工艺制造的,它被设计成在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和稳健性。通过提供低RDS(ON)、Ciss和CRSS以及保证雪崩能力,这部分可以很快地被采用。新的和现有的离线电源设计。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司

  • 制造商零件编号:AOI2N60

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251A

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):600V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.4 欧姆 @ 1A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):325pF @ 25V

    功率 - 最大值:56.8W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

    供应商器件封装:TO-251A


品质第一

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