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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AOT4N60 & AOTF4N60 & AOTF4N60L have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crssalong with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.
联系资料：
企 业：AOS代理商,TOREX代理商,MOJAY茂捷,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
企业网站：www.tdldz.com
电 话：0755-83322522
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Q Q：2853781768
联 系人 ：杨小姐
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地 址：深圳市福田区振兴路华康大厦1栋405室
在aot4n60 & & aotf4n60l fabricated aotf4n60已利用一个先进的高电压MOSFET的过程是设计来提供高水平的性能和鲁棒性，在流行的交流-直流的应用。提供低RDS（ON），以保证连续供墨系统和这些部件crssalong雪崩能力的CAN通过对新的和现有的快是离线电源的设计。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AOTF4N60
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：615pF @ 25V
功率 - 最大值：35W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F
