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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AOD4N60 & AOI4N60 & AOU4N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline powersupply designs.
联系资料：
企 业：AOS代理商,TOREX代理商,MOJAY茂捷,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
企业网站：www.tdldz.com
电 话：0755-83322522
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Q Q：2853781768
联 系人 ：杨小姐
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地 址：深圳市福田区振兴路华康大厦1栋405室
AOD4N60和AOI4N60和AU4N60已经采用先进的高电压MOSFET工艺制造，其设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和稳健性。通过提供低RDS（ON）、Ciss和CRSS以及保证雪崩能力，这些部件可以B。E迅速采用新的和现有的离线电源设计。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司
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制造商零件编号：AOU4N60
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO251
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：640pF @ 25V
功率 - 最大值：104W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：TO-251
