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  • The AOT12N65 & AOTF12N65 & AOB12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline powersupply designs.


    联系资料:


    企    业:AOS代理商,TOREX代理商,MOJAY茂捷,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司


    企业网站:www.tdldz.com


    电    话:0755-83322522


    传    真:0755-83648400


    Q      Q:2853781768


    邮    箱:lhf@icbest.com


    联 系人 :杨小姐


    手    机:13189714166


    地    址:深圳市福田区振兴路华康大厦1栋405室

    在aot12n65 & & aob12n65 fabricated aotf12n65已利用一个先进的高电压MOSFET的过程是设计来提供高水平的性能和鲁棒性,在流行的交流-直流的应用。提供低RDS(ON),简称crss雪崩能力和保证这些部件沿与C一是通过对新的和现有的离线电源的快速设计。LDO,DC-DC,MOSFETs,TVS,AC-DC,电压检测器,POWER IC,IGBT,MOS,负载开关,TOREX,茂捷,AOS,松木代理商_深圳市泰德兰电子有限公司

  • 制造商零件编号:AOT12N65

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):650V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):720 毫欧 @ 6A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):48nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2150pF @ 25V

    功率 - 最大值:278W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3

    供应商器件封装:TO-220


品质第一

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