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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AO3415 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as
a load switch applications.
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不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1450pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3制造商零件编号：AO3415
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）VDS -20V
ID(at VGS=-4.5V) -4A
RDS(ON)(at VGS= -4.5V) < 41mΩ
RDS(ON) (at VGS= -2.5V) < 53mΩ
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