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The AO3415 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as
a load switch applications.
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不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):43 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1450pF @ 10V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3制造商零件编号:AO3415
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)VDS -20V
ID(at VGS=-4.5V) -4A
RDS(ON)(at VGS= -4.5V) < 41mΩ
RDS(ON) (at VGS= -2.5V) < 53mΩ
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