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The AO6409A uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation
with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable
for use as a load switch applications.
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电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):41 毫欧 @ 5.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):905pF @ 10V
功率 - 最大值:2.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP制造商零件编号:AO6409A
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20VAOS一级代理商[泰德兰电子]销售:P沟道MOS管MOSFET场效应管20V5.5A/型号AO6409A,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS管MOSFET场效应管AO6409A报价,MOS管MOSFET场效应管AO6409A的功能介绍,MOS管MOSFET场效应管AO6409A特点/概况,MOS管MOSFET场效应管AO6409A技术资料文档下载,MOS管MOSFET场效应管AO6409A数据手册规格书,MOS管MOSFET场效应管AO6409A中文资料pdf,MOS管MOSFET场效应管AO6409A最低导通开启电压参数,MOS管MOSFET场效应管AO6409A应用电路图,MOS管MOSFET场效应管AO6409A引脚功能图.MOS管MOSFET场效应管AO6409A AOS官网,MOS管MOSFET场效应管AO6409A AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.