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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AO6403 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP制造商零件编号：AO6403
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET P-CH 30V 6A 6TSOP
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μAAOS一级代理商[泰德兰电子]销售:P沟道MOS管MOSFET场效应管30V6A/型号AO6403,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS管MOSFET场效应管AO6403报价,MOS管MOSFET场效应管AO6403的功能介绍,MOS管MOSFET场效应管AO6403特点/概况,MOS管MOSFET场效应管AO6403技术资料文档下载,MOS管MOSFET场效应管AO6403数据手册规格书,MOS管MOSFET场效应管AO6403中文资料pdf,MOS管MOSFET场效应管AO6403最低导通开启电压参数,MOS管MOSFET场效应管AO6403应用电路图,MOS管MOSFET场效应管AO6403引脚功能图.MOS管MOSFET场效应管AO6403 AOS官网,MOS管MOSFET场效应管AO6403 AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.
