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MOSFET/MOS管/场效应管
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The AON1605 utilize advanced trench MOSFET
technology in small DFN 1.0 x 0.6 package. This device
is ideal for load switch applications.
AOS一级代理商[泰德兰电子]销售:P沟道MOS管MOSFET场效应管20V0.7A/型号AON1605,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS管MOSFET场效应管AON1605报价,MOS管MOSFET场效应管AON1605的功能介绍,MOS管MOSFET场效应管AON1605特点/概况,MOS管MOSFET场效应管AON1605技术资料文档下载,MOS管MOSFET场效应管AON1605数据手册规格书,MOS管MOSFET场效应管AON1605中文资料pdf,MOS管MOSFET场效应管AON1605最低导通开启电压参数,MOS管MOSFET场效应管AON1605应用电路图,MOS管MOSFET场效应管AON1605引脚功能图.MOS管MOSFET场效应管AON1605 AOS官网,MOS管MOSFET场效应管AON1605 AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.
利用先进的aon1605沟槽MOSFET
技术在小型DFN 1 X 0.6包。这个装置
是负载开关应用的理想选择。
参数
绝对最大额定值T
一
= 25°C，除非另有说明
20V
漏源电压- 20
脉冲漏极电流
C
- 2
T
一
= 25°C
最大连接至环境
一
一百四十
热特性
单位
最大结至周围
一
°C / W
R
安娜苏系列
八十
一百一十
一百
参数
最大结至周围
B
R
安娜苏系列
200℃245°
最大结至周围
B
280℃340°
955 1250兆瓦
1115兆瓦
G
FS
1 S
v
SD
-0.85 - 1.2 V
是
- 0.7
C
ISS
50 PF
C
OSS
12 PF
C
RSS
7.5 PF
R
G
45 W
Q
G
0.75数控
Q
GS
0.15数控
Q
GD
0.2数控
T
D（on）
6 ns
T
R
5 ns
T
D（off）
22 ns
T
F
8 ns
本产品已设计好，符合消费市场要求。作为关键的应用或用途
生命支持设备或系统中的组件未经授权。AOS不承担任何责任。
不适用于其产品的应用或使用。AOS保留改进产品设计的权利，
功能与可靠性无需另行通知。
关闭延迟时间
是
= - 0.4A，V
GS
= 0v
开启上升时间
v
GS
= 4.5v，V
DS
= - 10V，我
D
= -0.4a栅源电荷
栅漏电荷
最大体二极管连续电流
E
输入电容
输出电容
开启延迟时间
动态参数
二极管的正向电压
v
GS
= 4.5v，V
DS
= - 10V，R
l
= 25w，
R
消息
= 3w
栅极电阻V
GS
= 0V，V
DS
= 0V，F = 1mhz
关闭下降时间
总栅极电荷
零栅电压漏电流
门体泄漏电流
v
DS
= 5V，I
D
= -0.4a
v
GS
= -1.8v，我
D
= -0.2a
跨导
v
GS
= 2.5V，我
D
= -0.3a
v
GS
= - 1.5V，我
D
= -0.1a
智能决策支持系统
反向传输电容
v
GS
= 0V，V
DS
= - 10V，F = 1mhz
切换参数
MW
关于状态漏电流v
GS
= 4.5v，V
DS
= 5V
v
GS
= 4.5V时，我
D
= -0.4a
妈妈
v
DS
= V
GS
，我
D
= - 250ma
v
DS
= 0V，V
GS
=±8v
R
电阻上的静态漏源
电气特性（T
J
= 25°C，除非另有说明）
静态参数
参数条件
漏源击穿电压i
D
= - 250mA，V
GS
= 0v
答：R的值
安娜苏系列是用该装置测量安装就全
二
2盎司FR-4板，铜，在静止空气环境与T = 25°C.
耗散功率P
电力需求侧管理
是基于R
安娜苏系列和最大允许150°C.在任何给定的应用价值取决于结温
在用户的具体板设计，最高温度为150°C可以使用，如果PCB允许它。
B. r的值
安娜苏系列
测量装置安装在FR - 4最小垫板，在静止空气环境与T = 25°C. The Power
消耗电力需求侧管理
是基于R
安娜苏系列和最大允许150°C.在任何给定的应用程序依赖于价值的结温
用户的具体电路板设计，最高温度为150°C可以使用，如果PCB允许它。
c.图1至6的静态特性是用300毫秒脉冲、占空比0.5%最大值获得的。
这些测试是在安装在1英寸的设备上执行的。
二
2盎司FR-4板，铜，在静止空气环境与T = 25°C. The SOA
曲线提供单一脉冲评级。
E.包装限制的最大电流
-
制造商零件编号：AON1605
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：700mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：710 毫欧 @ 400mA， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：750nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 10V
功率 - 最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-UFDFN
供应商器件封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
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