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  • The AON1605 utilize advanced trench MOSFET

    technology in small DFN 1.0 x 0.6 package. This device

    is ideal for load switch applications.




    AOS一级代理商[泰德兰电子]销售:P沟道MOS管MOSFET场效应管20V0.7A/型号AON1605,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS管MOSFET场效应管AON1605报价,MOS管MOSFET场效应管AON1605的功能介绍,MOS管MOSFET场效应管AON1605特点/概况,MOS管MOSFET场效应管AON1605技术资料文档下载,MOS管MOSFET场效应管AON1605数据手册规格书,MOS管MOSFET场效应管AON1605中文资料pdf,MOS管MOSFET场效应管AON1605最低导通开启电压参数,MOS管MOSFET场效应管AON1605应用电路图,MOS管MOSFET场效应管AON1605引脚功能图.MOS管MOSFET场效应管AON1605 AOS官网,MOS管MOSFET场效应管AON1605 AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.


    利用先进的aon1605沟槽MOSFET

    技术在小型DFN 1 X 0.6包。这个装置

    是负载开关应用的理想选择。

    参数

    绝对最大额定值T

    = 25°C,除非另有说明

    20V

    漏源电压- 20

    脉冲漏极电流

    C

    - 2

    T

    = 25°C

    最大连接至环境

    一百四十

    热特性

    单位

    最大结至周围

    °C / W

    R

    安娜苏系列

    八十

    一百一十

    一百

    参数

    最大结至周围

    B

    R

    安娜苏系列

    200℃245°

    最大结至周围

    B

    280℃340°

    955 1250兆瓦

    1115兆瓦

    G

    FS

    1 S

    v

    SD

    -0.85 - 1.2 V

    - 0.7

    C

    ISS

    50 PF

    C

    OSS

    12 PF

    C

    RSS

    7.5 PF

    R

    G

    45 W

    Q

    G

    0.75数控

    Q

    GS

    0.15数控

    Q

    GD

    0.2数控

    T

    D(on)

    6 ns

    T

    R

    5 ns

    T

    D(off)

    22 ns

    T

    F

    8 ns

    本产品已设计好,符合消费市场要求。作为关键的应用或用途

    生命支持设备或系统中的组件未经授权。AOS不承担任何责任。

    不适用于其产品的应用或使用。AOS保留改进产品设计的权利,

    功能与可靠性无需另行通知。

    关闭延迟时间

    = - 0.4A,V

    GS

    = 0v

    开启上升时间

    v

    GS

    = 4.5v,V

    DS

    = - 10V,我

    D

    = -0.4a栅源电荷

    栅漏电荷

    最大体二极管连续电流

    E

    输入电容

    输出电容

    开启延迟时间

    动态参数

    二极管的正向电压

    v

    GS

    = 4.5v,V

    DS

    = - 10V,R

    l

    = 25w,

    R

    消息

    = 3w

    栅极电阻V

    GS

    = 0V,V

    DS

    = 0V,F = 1mhz

    关闭下降时间

    总栅极电荷

    零栅电压漏电流

    门体泄漏电流

    v

    DS

    = 5V,I

    D

    = -0.4a

    v

    GS

    = -1.8v,我

    D

    = -0.2a

    跨导

    v

    GS

    = 2.5V,我

    D

    = -0.3a

    v

    GS

    = - 1.5V,我

    D

    = -0.1a

    智能决策支持系统

    反向传输电容

    v

    GS

    = 0V,V

    DS

    = - 10V,F = 1mhz

    切换参数

    MW

    关于状态漏电流v

    GS

    = 4.5v,V

    DS

    = 5V

    v

    GS

    = 4.5V时,我

    D

    = -0.4a

    妈妈

    v

    DS

    = V

    GS

    ,我

    D

    = - 250ma

    v

    DS

    = 0V,V

    GS

    =±8v

    R

    电阻上的静态漏源

    电气特性(T

    J

    = 25°C,除非另有说明)

    静态参数

    参数条件

    漏源击穿电压i

    D

    = - 250mA,V

    GS

    = 0v

    答:R的值

    安娜苏系列是用该装置测量安装就全

    2盎司FR-4板,铜,在静止空气环境与T = 25°C.

    耗散功率P

    电力需求侧管理

    是基于R

    安娜苏系列和最大允许150°C.在任何给定的应用价值取决于结温

    在用户的具体板设计,最高温度为150°C可以使用,如果PCB允许它。

    B. r的值

    安娜苏系列

    测量装置安装在FR - 4最小垫板,在静止空气环境与T = 25°C. The Power

    消耗电力需求侧管理

    是基于R

    安娜苏系列和最大允许150°C.在任何给定的应用程序依赖于价值的结温

    用户的具体电路板设计,最高温度为150°C可以使用,如果PCB允许它。

    c.图1至6的静态特性是用300毫秒脉冲、占空比0.5%最大值获得的。

    这些测试是在安装在1英寸的设备上执行的。

    2盎司FR-4板,铜,在静止空气环境与T = 25°C. The SOA

    曲线提供单一脉冲评级。

    E.包装限制的最大电流


  • 制造商零件编号:AON1605

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN

    系列:-

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):700mA(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):710 毫欧 @ 400mA, 4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):750nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V

    功率 - 最大值:900mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:3-UFDFN

    供应商器件封装:3-DFN1006H4(1.0x0.6)

    AOS一级代理商[泰德兰电子]销售:P沟道MOS管MOSFET场效应管20V0.7A/型号AON1605,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS管MOSFET场效应管AON1605报价,MOS管MOSFET场效应管AON1605的功能介绍,MOS管MOSFET场效应管AON1605特点/概况,MOS管MOSFET场效应管AON1605技术资料文档下载,MOS管MOSFET场效应管AON1605数据手册规格书,MOS管MOSFET场效应管AON1605中文资料pdf,MOS管MOSFET场效应管AON1605最低导通开启电压参数,MOS管MOSFET场效应管AON1605应用电路图,MOS管MOSFET场效应管AON1605引脚功能图.MOS管MOSFET场效应管AON1605 AOS官网,MOS管MOSFET场效应管AON1605 AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.

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