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  • The AON1634 combines advanced trench MOSFET

    technology with a low resistance package to provide

    extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch

    and battery protection applications.



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    的aon1634结合先进的沟槽MOSFET

    提供低电阻封装的技术

    极低的R

    DS(on)

    。这种装置是理想的负荷开关。

    电池保护应用。

    本报告总结了aon1634 AOS产品可靠性的鉴定结果。

    加速环境试验是按照特定的样本大小进行的,然后接着进行。

    终点电气试验。最后的电气测试结果的审查确认,aon1634

    通过AOS的质量和可靠性要求。发布的产品将按以下类别分类

    流程族并按季度进行监控以持续改进

    产品质量。

    目录:

    产品说明

    II。封装和模具信息

    环境压力测试总结及结果

    四、可靠性评估

    产品描述:

    的aon1634结合先进的沟槽MOSFET技术具有低电阻

    提供极低的R

    DS(on)

    。这种装置非常适合于负载开关和电池。

    保护应用。

    -符合RoHS

    -无卤

    详细资料参考资料表。

    II。模具/包装信息:

    aon1634

    有关工艺标准亚微米

    低压N沟道

    包typedfn 1.6x1.6a

    铅framecu

    attachag环氧树脂模具

    键合铜丝

    硅胶模具materialepoxy树脂填料

    MSL(湿度敏感等级)1级基于J - STD- 020

    注*根据汇编和模具复合供应商提供的信息


  • 制造商零件编号:AON1634

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):54 毫欧 @ 4A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):245pF @ 15V

    功率 - 最大值:1.8W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-UFDFN

    供应商器件封装:6-DFN (1.6x1.6)

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