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  • The AON2410 combines advanced trench MOSFET

    technology with a low resistance package to provide

    extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch

    and battery protection applications





    AOS一级代理商[泰德兰电子]销售:N沟道MOS管MOSFET场效应管30V8A/型号AON2410,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS管MOSFET场效应管AON2410报价,MOS管MOSFET场效应管AON2410的功能介绍,MOS管MOSFET场效应管AON2410特点/概况,MOS管MOSFET场效应管AON2410技术资料文档下载,MOS管MOSFET场效应管AON2410数据手册规格书,MOS管MOSFET场效应管AON2410中文资料pdf,MOS管MOSFET场效应管AON2410最低导通开启电压参数,MOS管MOSFET场效应管AON2410应用电路图,MOS管MOSFET场效应管AON2410引脚功能图.MOS管MOSFET场效应管AON2410 AOS官网,MOS管MOSFET场效应管AON2410 AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.



    The AON2410 combines advanced trench MOSFET

    的aon2410结合先进的沟槽MOSFET

    technology with a low resistance package to provide

    提供低电阻封装的技术

    extremely low R

    极低的R

    DS(ON)

    DS(on)

    . This device is ideal for load switch

    。这种装置是理想的负荷开关。

    and battery protection applications

    电池保护应用

    象征最大单位

    BV

    BV

    DSS

    决策支持系统

    30 V

    30 V

    V

    v

    DS

    DS

    =30V, V

    = 30V,V

    GS

    GS

    =0V 1

    = 0v 1

    T

    T

    J

    J

    =55°C 5

    = 55°C 5

    IGSS

    IGSS

    ±100 nA

    ±100钠

    V

    v

    GS(th)

    GS(TH)

    Gate Threshold Voltage 0.6 1.07 1.5 V

    栅极阈值电压0.6 - 1.07 - 1.5伏

    I

    D(ON)

    D(on)

    32 A

    32

    17.1 21

    十七点一二一

    T

    T

    J

    J

    =125°C 26 32

    = 125°C 26 32

    21.2 28 mΩ

    21.2 28米Ω

    g

    G

    FS

    FS

    50 S

    50 S

    V

    v

    SD

    SD

    0.7 1 V

    0.7 1 V

    IS

    3.5 A

    三点五一

    C

    C

    iss

    ISS

    813 pF

    813 PF

    C

    C

    oss

    OSS

    98 pF

    98 PF

    C

    C

    rss

    RSS

    56 pF

    56 PF

    R

    R

    g

    G

    2.3 3.5 Ω

    2.3 3.5Ω

    Q

    Q

    g

    G

    8 12 nC

    8 12数控

    Q

    Q

    gs

    GS

    1.2 nC

    1.2数控

    Q

    Q

    gd

    GD

    2.6 nC

    2.6数控

    t

    T

    D(on)

    D(on)

    3 ns

    3 ns

    t

    T

    r

    R

    3 ns

    3 ns

    t 26 ns

    T 26 ns

    Maximum Body-Diode Continuous Current

    最大体二极管连续电流

    Input Capacitance

    输入电容

    Output Capacitance

    输出电容

    Turn-On DelayTime

    开启延迟时间

    DYNAMIC PARAMETERS

    动态参数

    Reverse Transfer Capacitance

    反向传输电容

    V

    v

    GS

    GS

    =0V, V

    = 0V,V

    DS

    DS

    =15V, f=1MHz

    = 15V,F = 1mhz

    SWITCHING PARAMETERS

    切换参数

    Gate resistance V

    栅极电阻V

    GS

    GS

    =0V, V

    = 0V,V

    DS

    DS

    =0V, f=1MHz

    = 0V,F = 1mhz

    Total Gate Charge

    总栅极电荷

    V

    v

    GS

    GS

    =4.5V, V

    = 4.5V,V

    DS

    DS

    =15V, I

    = 15V时,我

    D

    D

    =8A Gate Source Charge

    = 8a栅源电荷

    Gate Drain Charge

    栅漏电荷

    Turn-On Rise Time

    开启上升时间

    Turn-Off DelayTime

    关闭延迟时间

    V

    v

    GS

    GS

    =4.5V, V

    = 4.5V,V

    DS

    DS

    =15V, R

    = 15V,R

    L

    l

    =1.8Ω,

    = 1.8Ω,

    R =3Ω

    R = 3Ω

    Zero Gate Voltage Drain Current

    零栅电压漏电流

    Gate-Body leakage current

    门体泄漏电流

    mΩ

    我Ω

    IS

    =1A,V

    = 1A,V

    GS

    GS

    =0V

    = 0v

    V

    v

    DS

    DS

    =5V, I

    = 5V,I

    D

    D

    =8A Forward Transconductance

    = 8a跨导

    Diode Forward Voltage

    二极管的正向电压

    V

    v

    GS

    GS

    =2.5V, I

    = 2.5V,我

    D

    D

    =4A

    = 4a

    Electrical Characteristics (T

    电气特性(T

    J

    J

    =25°C unless otherwise noted)

    = 25°C,除非另有说明)

    STATIC PARAMETERS

    静态参数

    Parameter Conditions

    参数条件

    Drain-Source Breakdown Voltage

    漏源击穿电压

    On state drain current

    关于状态漏电流

    I

    D

    D

    =250µA, V

    = 250µ,V

    GS

    GS

    =0V

    = 0v

    V

    v

    GS

    GS

    =4.5V, V

    = 4.5V,V

    DS

    DS

    =5V

    = 5v

    V

    v

    GS

    GS

    =4.5V, I

    = 4.5V,我

    D

    D

    =8A

    = 8a

    R

    R

    DS(ON)

    DS(on)

    Static Drain-Source On-Resistance

    静态漏源电阻

    IDSS µA

    智能决策支持系统µ一

    V

    v

    DS

    DS

    =V

    = V

    GS,

    GS,

    I

    D

    D

    =250µA

    = 250µ一

    V

    v

    DS

    DS

    =0V, V

    = 0V,V

    GS

    GS

    =±12V

    =±12v

    t

    T

    D(off)

    D(off)

    26 ns

    26 ns

    t

    T

    f

    F

    3.5 ns

    3.5 ns

    t

    T

    rr 10 ns

    RR 10 ns

    Q

    Q

    rr 2.4 nC

    RR 2.4数控

    THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL

    本产品已设计好,符合消费市场要求。作为关键的应用或用途

    COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING

    生命支持设备或系统中的组件未经授权。AOS不承担任何责任。

    OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,

    不适用于其产品的应用或使用。AOS保留改进产品设计的权利,

    FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

    功能与可靠性无需另行通知。

    Body Diode Reverse Recovery Charge

    二极管反向恢复充电

    IF=8A, dI/dt=100A/µs

    如果= 8A,di / dt = 100A/µS

    Turn-Off DelayTime

    关闭延迟时间

    IF=8A, dI/dt=100A/µs

    如果= 8A,di / dt = 100A/µS

    R

    R

    GEN

    消息

    =3Ω

    = 3Ω

    Turn-Off Fall Time

    关闭下降时间


  • 制造商零件编号:AON2410

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):813pF @ 15V

    功率 - 最大值:2.8W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘

    供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2)

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品质第一

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