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  • The AON2408 combines advanced trench MOSFET

    technology with a low resistance package to provide

    extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch

    and battery protection applications.



    AOS一级代理商[泰德兰电子]销售:N沟道MOS管MOSFET场效应管20V8A/型号AON2408,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS管MOSFET场效应管AON2408报价,MOS管MOSFET场效应管AON2408的功能介绍,MOS管MOSFET场效应管AON2408特点/概况,MOS管MOSFET场效应管AON2408技术资料文档下载,MOS管MOSFET场效应管AON2408数据手册规格书,MOS管MOSFET场效应管AON2408中文资料pdf,MOS管MOSFET场效应管AON2408最低导通开启电压参数,MOS管MOSFET场效应管AON2408应用电路图,MOS管MOSFET场效应管AON2408引脚功能图.MOS管MOSFET场效应管AON2408 AOS官网,MOS管MOSFET场效应管



    The AON2408 combines advanced trench MOSFET

    的aon2408结合先进的沟槽MOSFET

    technology with a low resistance package to provide

    提供低电阻封装的技术

    extremely low R

    极低的R

    DS(ON)

    DS(on)

    . This device is ideal for load switch

    。这种装置是理想的负荷开关。

    and battery protection applications.

    电池保护应用。

    Test Item Test Condition Time

    测试项目测试条件时间

    Point

    Lot

    很多

    Attribution

    归因

    Total

    Sample

    样品

    size

    大小

    Number

    of

    属于

    Failures

    失败

    Standard

    标准

    MSL

    MSL

    Precondition

    前提

    168hr 85°c

    168hr 85°C

    /85%RH +3 cycle

    85% RH + 3循环

    [email protected]°c

    回流焊@ 260°C

    - 11 lots 1815pcs 0 JESD22-A113

    11很多1815pcs 0 jesd22-a113

    HTGB Temp = 150 ° °° °c,

    150°HTGB温度=°°°C,

    Vgs=100% of

    VGS = 100%

    Vgsmax

    vgsmax

    168hrs

    168hrs

    500 hrs

    500小时

    1000 hrs

    1000小时

    1 lot

    1很多

    3 lots

    3批

    (Note A*)

    (注*)

    308pcs

    308pcs

    77pcs / lot

    77pcs /很多

    0 JESD22-A108

    0 jesd22-a108

    HTRB Temp = 150 ° °° °c,

    温度越°°°°C = 150,

    Vds=80% of

    VDS = 80%

    Vdsmax

    vdsmax

    168hrs

    168hrs

    500 hrs

    500小时

    1000 hrs

    1000小时

    1 lot

    1很多

    3 lots

    3批

    (Note A*)

    (注*)

    308pcs

    308pcs

    77pcs / lot

    77pcs /很多

    0 JESD22-A108

    0 jesd22-a108

    HAST 130 +/- 2° °° °c,

    有130 + / - 2°°°°C,

    85%RH, 33.3 psi,

    85% RH,33.3 psi,

    Vgs = 100% of

    VGS = 100%

    Vgs max

    VGS最大

    100 hrs 11 lots

    100小时11块

    (Note A*)

    (注*)

    605pcs

    605pcs

    55pcs / lot

    55pcs /很多

    0 JESD22-A110

    0 jesd22-a110

    Pressure Pot 121° °° °c, 29.7psi,

    压力锅121°°°°C,29.7psi,

    RH=100%

    RH = 100%

    96 hrs 11 lots

    96小时11块

    (Note A*)

    (注*)

    605pcs

    605pcs

    55pcs / lot

    55pcs /很多

    0 JESD22-A102

    0 jesd22-a102

    Temperature

    温度

    Cycle

    周期

    -65° °° °c to 150° °° °c,

    65°°°°C 150°°°°C,

    air to air

    空气空气

    250 / 500

    250/500

    cycles

    周期

    11 lots

    11批

    (Note A*)

    (注*)

    605pcs

    605pcs

    55pcs / lot

    55pcs /很多

    0 JESD22-A104

    0 JESD22-A104

    Note A:The reliability data presents total of available generic data up to the published date.

    注A:可靠性数据显示截至公布日期的可用通用数据总数。

    IV. Reliability Evaluation

    四、可靠性评估

    FIT rate (per billion): 7

    符合率(十亿):7

    MTTF = 15704 years

    平均无故障时间= 15704年

    The presentation of FIT rate for the individual product reliability is restricted by the actual

    实际产品可靠性的拟合率受实际情况的限制。

    burn-in sample size of the selected product (AON2408). Failure Rate Determination is based

    选定产品的老化样品尺寸(aon2408)。故障率的确定是基于

    on JEDEC Standard JESD 85. FIT means one failure per billion hours.

    在JEDEC标准JESD 85。FIT意味着每十亿小时有一次故障。

    Failure Rate = Chi

    故障率=卡

    2

    x 10

    x 10

    9

    / [2 (N) (H) (Af)]

    [ 2(n)(h)(AF)]

    = 1.83 x 10

    = 1.83×10

    9

    / [2x (2x77x168+6x77x1000) x258] = 7

    / [ 2x(2x77x168 + 6x77x1000)x258 ] = 7

    MTTF = 10

    平均无故障时间= 10

    9

    / FIT =1.38 x 10

    /拟合= 1.38×10

    8

    hrs = 15704 years

    小时= 15704年

    Chi² = Chi Squared Distribution, determined by the number of failures and confidence interval

    赤²=卡方分布,确定的故障数和置信区间

    N = Total Number of units from HTRB and HTGB tests

    从方向和试验单位总数N = HTGB

    H = Duration of HTRB/HTGB testing

    H =时间/ HTGB直流测试

    Af = Acceleration Factor from Test to Use Conditions (Ea = 0.7eV and Tuse = 55°C)

    AF =加速度因子测试使用条件(EA = 0.7ev和T = 55°C)

    Acceleration Factor [Af]= Exp [Ea / k (1/Tj u – 1/Tj s)]

    加速因子[温度] =温度[温度/温度(1/1)

    Acceleration Factor ratio list:

    加速因子比表:

    55 deg C 70 deg C 85 deg C 100 deg C 115 deg C 130 deg C 150 deg C

    55℃,70℃,85℃,100℃,115℃,130℃,150℃。

    Af 258 87 32 13 5.64 2.59 1

    AF 258 87 32 13 5.64 2.59 1

    Tj s = Stressed junction temperature in degree (Kelvin),K = C+273.16

    应力结温(开尔文),K=273.16

    Tj u = The use junction temperature in degree (Kelvin), K = C+273.16

    使用度(度),k=273.16

    K = Boltzmann’s constant, 8.617164 X 10

    K =玻尔兹曼常数,8.617164×10

    -5

    - 5

    eV / K

    EV / K


  • 制造商零件编号:AON2408

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 8A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):782pF @ 10V

    功率 - 最大值:2.8W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘

    供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2)

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