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• Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology
• Low RDS(ON)
• Low Gate Charge
• ESD protection
• RoHS and Halogen-Free Compliant
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• Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology
•Trench Power AlphaMOS（αMOS LV）技术
• Low RDS(ON)
·Low RDS（on）
• Low Gate Charge
·Low Gate Charge
• ESD protection
•ESD保护
• RoHS and Halogen-Free Compliant
•ROHS和无卤素兼容
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原厂标准完整型号: AON2812
制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A
系列: AlphaMOS
FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 37 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 235pF @ 15V
功率 - 最大值: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-DFN-EP（2x2）
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