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  • The AON5802B uses advanced trench technology to

    provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation

    with gate voltages as low as 2.5V while retaining a12V

    VGS(MAX)rating. It is ESD protected. This device is suitable

    for use as a uni-directional or bi-directional loadswitch,

    facilitated by its common-drain configuration.




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    The AON5802B uses advanced trench technology to

    采用先进的沟槽技术的aon5802b

    provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation

    提供优良的RDS(on),低门电荷和操作

    with gate voltages as low as 2.5V while retaining a12V

    栅极电压为2.5V的低而保留a12v

    VGS(MAX)rating. It is ESD protected. This device is suitable

    VGS(max)评级。它是ESD保护的。这个装置是合适的。

    for use as a uni-directional or bi-directional loadswitch,

    使用单向或双向负荷开关,

    facilitated by its common-drain configuration.

    由其共用漏极配置便利。


  • 制造商零件编号:AON5802B

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN

    系列:-

    FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.2A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):19 毫欧 @ 7A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1150pF @ 15V

    功率 - 最大值:1.6W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘

    供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5)

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