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- 产品概况
- 产品特点
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• Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology
• Low RDS(ON)
• High Current Capability
• RoHS and Halogen-Free Complian
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• Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology
•Trench Power AlphaMOS(αMOS LV)技术
• Low RDS(ON)
·Low RDS(on)
• High Current Capability
•高电流能力
• RoHS and Halogen-Free Complian
•ROHS和卤素的不满
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原厂标准完整型号: AON3414
制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
功能总体简述: MOSFET NCH 30V 10.5A DFN
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10.5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 17 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 690pF @ 15V
功率 - 最大值: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)
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