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  • • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology

    • Very Low RDS(on) at 4.5VGS

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    • High Current Capability

    • RoHS and Halogen-Free Compliant

    • DC/DC Converters in Computing, Servers, and POL

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    • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology

    •新Trench Power AlphaMOS(αMOS LV)技术

    • Very Low RDS(on) at 4.5VGS

    •非常低的RDS(on)在4.5vgs

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    ·Low Gate Charge

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    •计算、服务器和交换机中的dc / DC转换器

    • Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

    •电信和工业中的隔离DC/DC转换器


  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1229pF @ 15V

    功率 - 最大值:3.1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerVDFN

    供应商器件封装:8-DFN(3x3)

    制造商零件编号:AON7516

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A(Ta),30A(Tc)


品质第一

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