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  • The AON6204 uses trench MOSFET technology that is

    uniquely optimized to provide the most efficient high

    frequency switching performance.Power losses are

    minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)and Crss

    .In addition,switching behavior is well

    controlled with a "Schottky style" soft recovery bodydiode.



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    The AON6204 uses trench MOSFET technology that is

    的aon6204采用沟槽MOSFET技术,

    uniquely optimized to provide the most efficient high

    唯一优化提供最有效的高

    frequency switching performance.Power losses are

    频率切换性能。功率损耗

    minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)and Crss

    最小化由于极低的RDS(on)和Crss的组合

    .In addition,switching behavior is well

    此外,开关性能良好。

    controlled with a "Schottky style" soft recovery bodydiode.

    一个“肖特基式“软恢复体二极管的控制。



  • 系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14A(Ta),24A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 20A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):670pF @ 15V

    功率 - 最大值:1.9W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerVDFN

    供应商器件封装:8-DFN(5x6)

    制造商零件编号:AON6204

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN

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