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MOSFET/MOS管/场效应管
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• Trench Power MOSFET technology
• Low RDS(ON)
• Low Gate Charge
• High Current Capability
• RoHS and Halogen-Free Compliant
• DC/DC Converters in Computing, Servers, and POL
• See Note I
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• Trench Power MOSFET technology
•沟槽功率MOSFET技术
• Low RDS(ON)
·Low RDS（on）
• Low Gate Charge
·Low Gate Charge
• High Current Capability
•高电流能力
• RoHS and Halogen-Free Compliant
•ROHS和无卤素兼容
• DC/DC Converters in Computing, Servers, and POL
•计算、服务器和交换机中的dc / DC转换器
• See Note I
•见附注I
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制造商零件编号：AON6354
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 30V 10A DFN5x6_8L EP1
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14A（Ta），24A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：670pF @ 15V
功率 - 最大值：1.9W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DFN5x6_8L EP1
供应商器件封装：DFN5x6_8L EP1
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