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• Trench Power αMOS Technology
• Low RDS(ON)
• Low Gate Charge
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原厂标准完整型号: AON6368
制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 25A DFN
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 25A(Ta),52A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 6.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 820pF @ 15V
功率 - 最大值: 6.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 8-DFN-EP(5x6)
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