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AONR21117-20V P沟道MOSFET-DFN 3x3 EP规格书

  • 产品概况
  • 产品特点
  • 一般说明:


      •最新的先进沟槽技术-20V


      •低RDS(ON)


      •高电流能力


      •符合RoHS和无卤素标准




    应用领域:


       •负荷开关应用


       •电池保护应用




    产品概要:


       VDS


       ID(在VGS = -4.5V时)-34A


       RDS(开启)(在VGS = -4.5V时)<4.8mΩ


       RDS(开启)(在VGS = -2.5V时)<7.2mΩ


    经过100%UIS测试,已通过100%汞测试


品质第一

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Quality first
价格合理

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price is reasonable
交货快捷

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服务至上

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