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台湾 UBIQ 30V3.9A开关MOS管 QM3404K数据手册规格书

  • 产品概况
  • 产品特点
  • QM3404K是性能最高的沟道N-ch mosfet,具有极高的单元密度,为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优良的RDSON和栅极电荷。QM3404K满足RoHS和绿色产品的要求,功能完全可靠。

    The QM3404K is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge f or most of the small power switching and load switch applications.The QM3404K meet the RoHS and Green Product r equirement with full function reliability approved.


    QM3404K替换AO3402代换QM3404K代替AO3418替代QM3404K


    QM3404K替换AO3424代换QM3404K代替AO3434A替代QM3404K

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    Feature

    Advanced high cell density Trench technology.

    Super Low Gate Charge.

    Excellent CdV/dt effect decline.

    Green Device Available.

    Application

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA.

    Networking DC-DC Power System.

    Load Switch.

    Description

    The QM3404K is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge f or most of the small power switching and load switch applications.The QM3404K meet the RoHS and Green Product r equirement with full function reliability approved.

    中文资料_数据手册_规格书pdf下载_G.S.D引脚功能图_参数_封装大全_原理图_mos管厂家_低压mos管_中压mos管_高mos管_MOSFET/MOS管/场效应管生产



    QM3002K 如何取舍好MOS管n mos的s
    QM3401K第一步是决议采纳N沟道还是P沟道MOS管。正在垂范的功率使用中,当一度MOS管接地,而n沟道mos选型
    QM3404K管接地,而负载联接到支线电压上时,该MOS管就构n沟道场效应管
    QM3403K成了高压侧电门。正在高压侧电门中,应采纳N沟道MOS管,这是出于对于开放或nmos管型号
    QM3010K者导通机件所需电压的思忖。当MOS管联接到总线及负载接地时,就要用低压侧开nmos管极限参数
    QM3001K关。一般会正在某个拓扑中采纳P沟道MOS管,这也是出于对于电压驱动的思忖。n沟道mos管导通条件
    QM3009K肯定所需的额外电压,或者许机件所能接受的最大电压。额外电压越大,机件nmos管产品
    QM2411K的利润就越高。依据理论经历,额外电压该当大于支线电压或者总线电压。那样能nmos管做放大
    QM2416K力需要剩余的掩护,使MOS管没有会生效。就取舍MOS管而言,必需肯定漏极至源n沟道
    QM2423K极间能够接受的最大电压,即最大VDS。晓得MOS管能接受的最大电压会随量度n沟道增强型mos管
    QM2404K而变迁这点非常主要。咱们须正在整个任务量度范畴内测试电压的变迁范畴。额外n沟道mosfet怎么并联
    QM2409K电压必需有剩余的余量遮盖某个变迁范畴,确保通路没有会生效。需求思忖的其余nmos
    QM2402K保险要素囊括由电门电子设施(如发电机或者变压器)诱发的电压瞬变。没有同使nmos  fet
    QM6008K用的额外电压也有所没有同;一般,便携式设施为20V、FPGA电源为20~30V、85~nmos-3055
    QM0032S220VAC使用为450~600V。KIA半超导体设想的MOS管耐压威力强,使用畛域广nmos电压过高
    QM3016S,深受辽阔存户青眼。n沟道mos管开关电路
    QM3014S二:肯定MOS管的额外直流电n沟道场效应管
    QM3005S该额外直流电应是负载正在一切状况下可以接受的最大直流电。与电压的状况类似双nmos管
    QM3017S,确保所选的MOS管能接受某个额外直流电,即便正在零碎发生尖峰直流电时。两n管 p管 功能
    QM6015S个思忖的直流电状况是陆续形式和脉冲尖峰。正在陆续导通形式下,MOS管在于稳n沟道和p沟道
    QM4015S态,这时直流电陆续经过机件。脉冲尖峰是指有少量电涌(或者尖峰电流)流过机n沟道和npn三极管
    QM3003S件。一旦肯定了该署环境下的最大直流电,只要间接取舍能接受某个最大直流电的高压n  mos
    QM6003S机件便可。常用nmos管型号 5v
    QM4014S选好额外直流电后,还必需打算导通消耗。正在实践状况下,MOS管并没有是现实制造nmos管
    QM3001S的机件,由于正在导热进程中会有动能消耗,这称之为导通消耗。MOS管正在“导n沟道  15v30ma
    QM4004S通”时就像一度可变电阻,由机件的RDS(ON)所确定,并随量度而显着变迁。nmos管的制造流程
    QM3202S机件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)打算,因为导回电阻随量度变迁,因而功nmos管电路
    QM3201S率耗损也会随之按对比变迁。对于MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会nmos管栅极
    QM3203S越小;反之RDS(ON)就会越高。留意RDS(ON)电阻会随着直流电细微下降。n沟道mos管
    QM3002V对于于RDS(ON)电阻的各族电nmos管插件封装
    QM3001V气参数变迁可正在打造商需要的技能材料表中查到。nmos管开关电路图
    QM3805V三:取舍MOS管的下一步是零碎的散热请求nmos管开关工作原理
    QM2417Y1须思忖两种没有同的状况,即最坏状况和实正在状况。提议采纳对准于最坏状况的nmos管工作原理
    QM2520C1打算后果,由于某个后果需要更大的保险余量,能确保零碎没有会生效。正在MOSnmos管封装
    QM6015B管的材料表上再有一些需求留意的丈量数据;机件的结温等于最大条件量度加上热nmos管导通条件
    QM4016D阻与功率耗散的乘积(结温=最大条件量度+[热阻×功率耗散])。依据某个式子mosfet晶体管和nmos管
    QM3015D可解出零碎的最大功率耗散,即按界说相同于I2×RDS(ON)。咱们已将要经过机n沟道mos管工作原理
    QM6013D件的最大直流电,能够打算出没有同量度下的RDS(ON)。此外,还要办好通路板nmos管g极能否悬空
    QM6015D及其MOS管的散热。nmos管  漏极烧坏
    QM4013AD山崩击穿是指半超导体机件上的反向电压超越最大值,并构成强磁场使机件内直流nmos管
    QM6008D电增多。晶片分寸的增多会进步防风崩威力,最终进步机件的稳重性。因而取舍更nmos开关驱动电路
    QM4002AD大的封装件能够无效预防山崩。nmos开关电路
    QM3002D四:取舍MOS管的最初一步是决议MOS管的电门功能n沟道和p沟道
    QM0018AD反应电门功能的参数有很多,但最主要的是电极/漏极、电极/源极及漏极/源极库容nmos pmos
    QM03N65D。该署库容会正在机件中发生电门消耗,由于正在历次电门时都要对于它们充气。nmos与pmos区别
    QM6016SMOS管的电门进度因而被升高,机件频率也降落。为打算电门过程中机件的总消耗n沟道pmos
    QM6006D,要打算开经过程中的消耗(Eon)和开放进程中的消耗(Eoff)。MOSFET电门c009n mos pdf
    QM4015D的总功率可用如次方程抒发:Psw=(Eon+Eoff)×电门频次。而电极点电荷856847  2nmos controller
    QM0016D(Qgd)对于电门功能的反应最大。60v sot23 nmos
    QM2532M7
    4个nmos管 h桥驱动
    QN4101M6N
    pmos管型号
    QN0102M6N
    p沟道场效应管
    QN4103M6N
    pmos管g17-6a
    QM6006M6
    pmos的g端电压最大
    QN3109AM6N
    pmos的gs电压
    QM3017M6
    pmos控制电压高关断
    QN0101M6N
    pmos开关电路关不了
    QN3109M6N
    pmos开关电源电路
    QM6006M3
    fet  pmos sw2301 sot-723
    QM0016M3
    pmos大功率
    QN3102M3N
    pmos型号
    QM3017M3
    pmos关断
    QM3002M3
    pmos串在电源中
    QN3108M3N
    pmos中vsd电压
    QN3115M3N
    pmos500v
    QM3092M3
    p  mos保护
    QM4020AP
    100v  pmos 1a
    QM8020AP
    pmos  体二极管
    QM14N50F
    pmos  s极接对地计算
    QM12N60F
    pmos  sd sgcc com cn
    QM12N65F  
    pmos  buck
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