产品中心

产品中心
首页 > 台湾 UBIQ MOS管 > 功率MOSFET/功率MOS管

台湾 UBIQ 30V3.3A开关MOS管 QM3001K数据手册规格书

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The QM3001K is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge f or most of the small power switching and load switch applications.QM3001K是性能最高的沟道P-ch mosfet,具有极高的单元密度,为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和栅电荷。


    The QM3001K meet the RoHS and Green Product r equirement , with full function reliability approved.QM3001K符合RoHS和绿色产品要求,全功能可靠性得到认可。

    QM3001K替换AO3407A代替QM3001K替代AO3407_upi-semi_

    中文资料_数据手册_规格书pdf下载_G.S.D引脚功能图_参数_封装大全_原理图_mos管厂家_低压mos管_中压mos管_高mos管_MOSFET/MOS管/场效应管生产

    Feature特色

    Advanced high cell density Trench technology.先进的高密度槽技术。

    Super Low Gate Charge.超低的门电荷。

    Excellent CdV/dt effect decline.CdV/dt效应下降良好。

    Green Device Available.绿色设备可用。

    Application应用程序

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA Networking DC-DC Power System.用于MB/NB/UMPC/VGA网络化DC-DC电源系统的高频负载同步Buck变换器。

    Load Switch.负载开关。


    QM3001K替换AO3407A代替QM3001K替代AO3407



  • QM3001K替换AO3407A代替QM3001K替代AO3407_upi-semi_

    中文资料_数据手册_规格书pdf下载_G.S.D引脚功能图_参数_封装大全_原理图_mos管厂家_低压mos管_中压mos管_高mos管_MOSFET/MOS管/场效应管生产

    Feature

    Advanced high cell density Trench technology.

    Super Low Gate Charge.

    Excellent CdV/dt effect decline.

    Green Device Available.

    Application

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA

    Networking DC-DC Power System.

    Load Switch.



    QM3002K低开启电压MOS管应用pmos的型号
    QM3401K对于一个电子产品,总功耗为该产品正常工作时的电压与电流的乘积,这就是低功耗大功率pmos管
    QM3404K设计的需要注意事项之一。pmos管做开关电路图
    QM3403K为了降低产品的功耗,在电子产品开发时尽量采用低开启电压MOS管的产品。比如pmos管开关电路图
    QM3010K一个产品,曾经用5v单片机正常工作,后来又了3.3v的单片机或者工作电压更低的,pmos管电源开关电路
    QM3001K那么就是在第一层次中进行了低功耗设计,这也就是我们常说的研发前期低功耗器件pmos管驱动电路
    QM3009K选择。这一般需要有广阔的芯片涉猎范围或者与供应商有良好的沟通。pmos  100v  10a
    QM2411K其次是模块工作的选择控制,一般选择具有休眠功能的芯片。比如在设计一个系统中pmos  插件
    QM2416K,如果某些外部模块在工作中是不经常使用的,我们可以使其进入休眠模式或者在硬常用大功率pmos管
    QM2423K件电路设计中采用数字开关来控制器工作与否,当需要使用模块时将其唤醒,这样我贴片pmos管价格
    QM2404K们可以在整个系统进入低功耗模式时,关闭一些不必要的器件,以起到省电的作用,150v pmos
    QM2409K延长了待机时间。一般常用方法:①具有休眠模式的功能芯片②MOS管做电子开关pmos  电压选择
    QM2402K③具有使能端的LDO芯片。p沟道mos管
    QM6008K再次,选择具有省电模式的主控芯片。现在的主控芯片一般都具有省电模式,通过以p沟道耗尽型mos管
    QM0032S往的经验可以知道,当主控芯片在省电模式条件下,其工作电流往往是正常工作电流两个p mos管并联
    QM3016S的几分之一,这样可以大大增强消费类产品电池的使用时间。同时,现在一些控制芯p沟道mos管做开关管
    QM3014S片具有双时钟的模式,通过软件的配置使芯片在不同的使用场合使用不同的外部始终p沟道60a的mos管
    QM3005S从而降低其功耗。这与始终分频器具有异曲同工之妙,不同之处想必就是BOM的价pmos应用电路图
    QM3017S格问题。现在火爆的APPLE WATCH就是低功耗的一个例子:全功能运行3-4小时,mos增强型p沟道
    QM6015S持续运行18小时。pmos 怎样选型
    QM4015S主控芯片或者相关模块唤醒的方式选择。通常进过以上的步骤设计好了硬件结构,在pmos管g17-6a   sod23
    QM3003S系统需要省电,在什么时候进入省电模式,这一般在软件设计中实现,但是最主要还mos p沟道
    QM6003S是需要根据产品的功能特性来决定了。当系统进入了省电模式,而系统的唤醒也需要p沟道 驱动
    QM4014S控制。一般系统的唤醒分为自动唤醒和外部唤醒。无二极管  pmos 8a 30v
    QM3001SA、自动唤醒是使用芯片内部的定时器来计时睡眠时间,当睡眠时间达到预定时间时并联  p沟道
    QM4004S,自动进行唤醒。这与我们使用的看门狗或者中断有比较相近之处,不同就是其工作p沟道  -12v -10a
    QM3202S与否的时序。常用pmos管型号
    QM3201SB、 外部唤醒就是芯片一直处于一种休眠状态,当有一个外部事件(主要是通过接口)常用pmos
    QM3203S来对芯片进行一个触发,则芯片会唤醒,在事件处理之后消除该触发事件而在此进入100v  p mos 23-6
    QM3002V休眠状态。因此,根据系统的特性,就需要进行软件设计时,来决定如何使用睡眠及p沟道增强型mos场效应管的原理
    QM3001V唤醒,以降低系统的功耗。低vgs  1v pmos
    QM3805VMOS管导通电阻小,可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件,追求某项指标二极管连接的pmos
    QM2417Y1必会影响其它指标。以MOS管来说,高耐压与低电阻是矛盾的,不可兼得,所以不不带二极管的pmos
    QM2520C1能说导通电阻越小越好,因为这是牺牲其它性能获得的。但是一般mos管额定电流越三极管搭配pmos管
    QM6015B大,额定导通电阻也就越小。 x小电流p  mos
    QM4016D低开启电压(YGS(th))也称为“栅极阈值电压”,这个数值的选择在这里主要与sot23   pmos   6a
    QM3015D用作比拟器的运放有火。VMOS不像BJT,栅极相关于源极需求有一定的电压才干开523  p沟道
    QM6013D通,这个电压的最低值(通常是一个范围)称为开启电压,饱和导通电压普通为开启pmos高端驱动
    QM6015D电压的一倍左右,假如技术手册给出的开启电压是一个范围,取最大值。VMOS的开pmos防反接电路
    QM4013AD启电压普通为5V左右,低开启电压的种类有2V左右的。假如采用5. 5V丁作电压的运pmos选型  vgs大
    QM6008D放,其输出电平最大约为土2.5V,即便采用低开启电压的VMOS,如图2.6中的pmos调压
    QM4002AD2SK2313,最低驱动电平也至少为土5V,因而依据上文关于运放的选择准绳,5.5Vpmos结构图
    QM3002D工作电压的运放实践上是不能用的,引荐的工作电压最低为±6V,由于运放的最高输pmos管驱动电路设计
    QM0018AD出电平通常会略低于工作电压,即便是近年来开端普遍应用的“轨至轨”输入/输出p沟道mos
    QM03N65D的运放也是如此。p沟道mos管  smt
    QM6016SP沟道VMOS当然也能用,只是驱动办法与N沟道相反。不过,直到现在,与N沟通pmos管符号
    QM6006D同一系列同电压规格的P沟通的VMOS,普通电流规格比N沟道的低,而饱和导通电p沟道mos管导通条件
    QM4015D压比N沟道高。因而选N沟道而不选P沟道。p沟道增强型场效应管
    QM0016D1、电压规格(VDSS)e/d pmos 结构图
    QM2532M7俗称耐压,至少应该为主绕组的3倍,需求留意的是,主绕组的电压指的是图2.6中的pmos管工作原理
    QN4101M6NN2或者N3,而不是二者相加。详细而言,图中为10.5V,因而Q1、Q2的电压规格41n6003-mos
    QN0102M6N至少为31.5V,思索到10%的动摇和1.5倍的保险系数,则电压规格不应该低于31.54  nmos管芯片
    QN4103M6NX 1.1X 1.5=52V。图中的2SK2313的电压规格为60v,契合请求。3400  nmos
    QM6006M6其次,依据普通经历,电压规格超越200V的VMOS,饱和导通电阻的优势就不明显3.3v  nmos fet
    QN3109AM6N了,而本钱却比二极管高得多,电路也复杂。因而,用作同步整流时,主绕组的最高12n1012  mos
    QM3017M6电压不应该高于40V。2、电流规格(In)0.5v低导通电压nmos管
    QN0101M6N这个问题主要与最大耗散功率有关,由于计算办法复杂并且需求实验停止验证,因而两个n沟道mos管串联
    QN3109M6N也能够直接用理论办法进行肯定,即在实践的工作环境中,依照最极端的最高环境温n沟道耗尽型mos管符号
    QM6006M3度,比方夏天比拟热的温度,如35℃,依据实践所需求的工作电流,接上适宜的假n沟道同步整流mos  8205a
    QM0016M3负载,连续工作2小时左右,假如MOS管散热片(TAB)不烫手,就根本上能够运用。n沟道同步整流mos
    QN3102M3N这个办法固然粗略,但是很简单适用。3、mos饱和导通电阻(RDS(ON))n沟道mos管开关电路
    QM3017M3越小越好,典型值最好小于10mQ,这个数值以从技术手册上查到。n沟道mos管工作原理
    QM3002M34、MOS管导通条件stm32io直接驱动nmos
    QN3108M3N导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压n沟道mos管
    QN3115M3N即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。但是,场效应管分为n沟道mosfet  驱动   容性 负载 电路
    QM3092M3增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而n沟道  mos场效应管
    QM4020AP耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。cmos管电路由n沟道的mos管组成
    QM8020AP开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态:AOS MOS管
    QM14N50F
    n沟道场效应管结构
    QM12N60F
    n沟道场效应管符号
    QM12N65F  
    n沟道mos  fet
品质第一

品质第一

Quality first
价格合理

价格合理

price is reasonable
交货快捷

交货快捷

Fast delivery
服务至上

服务至上

Service-oriented
凝聚客户

凝聚客户

Convergence of customers
产品中心
AOS
重庆万国
国产 茂捷
日本 特瑞仕
台湾 UBIQ MOS管
台湾 松木 MOS管
国产 新洁能 MOS管
国产 LRC 二极管
国产 LRC 三极管
霍尼韦尔(Honeywell)
解决方案
解决方案
关于我们
公司介绍
企业文化
组织架构
新闻中心
投诉建议
关注我们
微信公众号扫描
粤ICP备16122434号
网站地图
联系电话:0755-83322522
友情链接:led透明屏 氧气浓度检测仪 渣浆泵厂家 GDW高低温试验箱 电动筛选器 锅炉水硬度检测 LED控制器 气动隔膜泵 超声波热量计 SEO顾问 夹层锅 电子元器件采购 Bartender 电子负载 电子元器件商城 安全光栅 PE电熔管件 电池巡检仪 液晶广告机 工业液晶显示器 usb数据线厂家 触控一体机 上海机械设备 激光切割机

QQ客服联系客服

联系电话0755-83322522